本发明涉及一种用于处置大致平面物体的物体处置设备，所述物体处置设备包括：两个支撑臂，所述两个支撑臂中的至少一个相对于另一支撑臂大致在平面中可移动，使得所述两个支撑臂可操作以抓取和保持设置在所述平面中的物体；其中所述支撑臂中的每个支撑臂包...

一种反射镜，包括本体和由本体限定的表面。本体包括多个层。当具有第一波长的辐射入射到该表面上时，该多个层被布置成充当具有所述第一波长的辐射的多层布拉格反射器。表面的局部切面相对于多个层的局部切面以非零角度倾斜。倾斜。倾斜。

本发明涉及一种致动器组件，包括第一压电致动器和第二压电致动器。根据第一方面，所述压电致动器包括校正单元，其被配置为确定：输出电压差，表示所述第一压电致动器的所述输出端子处的电压与所述第二压电致动器的所述输出端子处的电压之间的差异；以及基...

披露了一种用于在本体上提供耐磨材料的方法。也披露了一种可以通过所述方法获得的复合体。所述复合体可以是用于光刻设备中的衬底保持器或掩模版夹具。所述方法包括：提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体；提供具有大于20GPa的硬度的耐磨材料；和...

本发明提供了一种被配置为将物体保持在保持表面上的载物台，所述载物台包括：主体；从主体延伸的多个突节，突节的端面限定保持表面；致动器组件；其中致动器组件被配置为使主体变形，以基于要被保持的物体的形状信息来生成保持表面的平面外变形。成保持表...

公开了一种检测设备，用于在多个不同聚焦水平同时获取物体的多个图像；包括：调制器，用于获得入射束的多个束副本；以及检测器，能够操作以捕获多个束副本，使得多个束副本中的至少两个在不同的聚焦水平捕获。还公开了一种包括这种检测系统的检查设备。括...

一种用于极紫外光(EUV)源的目标输送系统包括：导管，该导管包括外部、内部导管区域和限定孔口的端部。内部导管区域被配置为接收当处于等离子体状态时发射EUV光的目标材料，并且孔口被配置为向真空室的内部提供目标材料。目标输送系统还包括保护系...

用于控制用于生成EUV辐射的液滴形成的装置和方法，包括产生指向辐照区域和液滴源的激光束的装置。该液滴源包括具有喷嘴的毛细管和用于在该毛细管中的液体源材料中产生干扰的电致动元件。该液滴源产生流，该流破碎为液滴，当它们朝着该辐照区域前进时，...

一种被配置用于光刻设备的图案形成装置，所述光刻设备被配置为使用辐射经由投影光学器件将所述图案形成装置的图案成像到衬底上。所述图案形成装置包括：第一部件，用于反射和/或透射所述辐射；以及第二部件，覆盖所述第一部件的表面的至少部分，并且被配...

一种器件制造方法，该器件制造方法使用具有局部浸没系统的光刻装置，局部浸没系统用于将浸没液体限制到投影系统和要由投影系统曝光的基板之间的空间，该方法包括：

本发明公开用于形成图案化材料层的方法和装置。在一个布置中，衬底的表面的选定部分在沉积过程期间被照射，所述照射在所述选定部分中局部驱动所述沉积过程，并且由此在由所述选定部分限定的图案中形成沉积材料层。对所述沉积材料进行退火以改变所述沉积材...

一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基，并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下，净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。碎片沉积...

本公开描述了一种具有半导体芯片的图像形成元件，半导体芯片具有微机电系统(MEMS)装置(210)和电压生成器(220)，每个电压生成器被配置为：生成由MEMS装置中的一个或多个MEMS装置使用的电压。浮置接地可以用于向由电压生成器生成的...

一种设备，包括：静电夹具，所述静电夹具用于夹持部件；和用于在所述静电夹具相邻处产生自由电荷的机构。所述静电夹具包括一电极或多个电极。所述设备被配置成：在第一模式中操作，在所述第一模式中，所述电极或每个电极被设置处于一电位，使得在所述静电...

披露了一种暗场量测装置，所述暗场量测装置包括物镜布置和用于阻挡所述零阶辐射的零阶阻挡件。所述物镜布置将照射引导到待测量的试样上并且从所述试样收集散射辐射，所述散射辐射包括零阶辐射和较高阶衍射辐射。所述暗场量测装置能够操作以：执行照射扫描...

一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域；以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域。所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层...

本发明提供一种物体定位器，包括：具有物体支撑表面的物体支撑件，该物体支撑表面被配置为接合物体的至少一部分，所述物体支撑表面具有支撑表面温度；热装置，该热装置被配置为向物体的至少一部分提供第一物体温度，该第一物体温度与支撑表面温度相差第一...

一种方法涉及：基于蚀刻偏差模型确定待使用图案化过程的蚀刻步骤蚀刻的图案的蚀刻偏差，所述蚀刻偏差模型包括公式，所述公式包括：与图案的空间属性关联的变量或与蚀刻步骤的蚀刻等离子体物种浓度关联的变量，和包括与参数的幂拟合的或基于蚀刻步骤的蚀刻...

描述了一种用于减少对成像的M3D效应的方法。所述方法包括：识别光刻系统的源平面内的与图案移位相关联的点，所述图像移位是由于光在介于成像辐射束与掩模法线之间的入射角下衍射离开光掩模衍射而产生的；确定与所识别的源平面点相关联的图案移位；以及...

一种量测装置，包括：诊断装置，被配置为在当前目标进入目标空间之前在诊断区域处使诊断探针与当前目标进行交互；检测装置；以及与检测装置通信的控制系统。检测装置包括：光传感器，该光传感器具有与诊断区域重叠的视场并且被配置为感测从诊断区域处的诊...