一种控制半导体制造过程的方法，该方法包括：基于在第一过程步骤之后执行的测量结果获得第一量测数据；基于在第一过程步骤和至少一个另外过程步骤之后执行的测量结果获得第二量测数据；估计对以下过程的贡献：a)至少部分地基于第二量测数据的控制动作，...

本文描述一种用于训练机器学习模型的方法，所述机器学习模型被配置成预测与衬底相关联的物理特性的值以用于调整图案化过程。所述方法涉及：获得参考图像；确定所述机器学习模型的模型参数值的第一集合，使得第一成本函数从使用初始模型参数值集合获得的成...

公开了热机械致动器(100)，其包括压电模块(110)，压电模块包括至少一个压电元件(120)，其中热机械致动器被配置为：接收用于控制压电模块的热行为的热致动信号(132)或者提供表示压电模块的热状态的热感测信号(132)，并且其中热机...

描述一种制造表膜隔膜的方法，所述方法包括：在平面基板上设置第一牺牲层以形成叠层；以及向所述叠层的至少一部分提供形成所述表膜隔膜的至少一部分的至少一个金属硅化物或掺杂的金属硅化物表膜芯部层。也描述一种表膜隔膜组件，所述表膜隔膜组件包括基板...

本发明提供了一种支撑件(1)，包括：第一端部(2)和第二端部(3)，其中第二端部(3)在支撑件的纵向方向上位于与第一端部(2)相反的一侧上；线圈弹簧(4)，被布置在第一端部(2)和第二端部(3)之间，该线圈弹簧(4)包括：第一螺旋构件(...

公开了检查系统和方法。检查系统可以包括被配置为提供第一着陆能量束的第一能量源和被配置为提供第二着陆能量束的第二能量源。检查系统还可以包括束控制器，该束控制器被配置为朝向相同的视场选择性地递送第一着陆能量束和第二着陆能量束中的一项，并且根...

本发明公开了一种相位调制器设备，包括用于调制输入辐射的至少一个第一相位调制器，以及包括这种相位调制器设备的量测装置。第一相位调制器包括：第一移动光栅，该第一移动光栅处于至少一种操作状态，用于衍射输入辐射并且使经衍射辐射的频率发生多普勒偏...

一种辐射源，包括：中空芯光纤，工作介质；以及脉冲泵浦辐射源。该中空芯光纤包括主体并且具有中空芯。该工作介质被设置在该中空芯内。脉冲泵浦辐射源被布置为产生脉冲泵浦辐射，该脉冲泵浦辐射由中空芯接收并且从输入端传播通过中空芯至输出端。脉冲泵浦...

公开了一种光刻设备，所述光刻设备包括用于在隔间中支撑结构的衬底台，所述隔间具有隔间表面，所述隔间表面在至少一个操作配置中面向所述衬底的顶表面；以及在所述隔间表面上用于捕获颗粒的软涂层。还公开了一种用于光刻设备的热屏蔽件或其部件以及包括这...

公开了一种用于确定场内校正以控制光刻设备的方法，该光刻设备被配置为曝光在衬底的曝光场上的图案，所述方法包括：获取用于确定所述场内校正的量测数据；在该量测数据不可靠的情况下和/或在所述光刻设备在启动基于该量测数据的电位启动输入方面受限的情...

一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法，所述方法包括：在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量；在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量；以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。变所述蚀刻参数。...

公开了用于确定关于目标结构的信息的方法和系统。在一种布置中，获得针对目标结构的不对称指示符的值。不对称指示符的值表示目标结构中套刻无关不对称的量。估计在先前时间对目标结构执行的初始套刻测量中的误差。使用所获得的不对称指示符的值和以下项之...

本发明披露了一种控制光刻过程的光刻设备和相关联的方法。该光刻设备包括控制器，该控制器配置成限定与衬底在光刻设备内的定位相关联的控制栅格。该控制栅格基于以与图案化装置相关联的器件布局为基础，该器件布局限定在光刻过程中待施加到和/或已经施加...

提供了一种用于光刻装置的光学元件。光学元件包括盖层，该盖层包括在其中的氧空位。氧空位通过阻止氢和其他物质穿透盖层和下面的层来防止对盖层的攻击。盖层提供低的氢复合率，使得氢能够清洁光学元件的表面。盖层可以包括合金金属、混合金属氧化物或掺杂...

描述了用于减小与图案化过程相关联的预测模型中的预测不确定性的系统及方法。这些系统及方法可以用于例如校准与图案化过程相关联的过程模型。减小预测模型中的不确定性可以包括基于预测数据确定预测不确定性参数。可以使用预测模型确定预测数据。可以已经...

公开了一种用于测量用于在光刻设备中进行处理的衬底的高度的设备。所述设备包括用于感测所述衬底在第一区域范围内的高度的第一传感器。所述设备还包括用于感测所述衬底在第二区域范围内的高度的第二传感器。所述设备还包括处理器，所述处理器适于：以第二...

一种光刻设备包括：用于支撑衬底的夹持表面，其中夹持表面的属性由至少一个夹持表面参数限定，并且其中夹持表面的属性已被选择为表现出低磨损；夹持设备，用于致动夹持表面与衬底之间的夹持操作，其中夹持操作至少部分地由夹持表面与衬底之间的至少一个界...

公开了一种方法，该方法包括：测量从量测目标反射的辐射，以及将经测量的辐射以分量进行分解，例如傅里叶分量或空间分量。此外，公开一种方案选择方法，其提供一种用于基于基于单分量的经测量的辐射的重新计算的相关性来选择量测设备的参数的算法。择量测...

在各方面中尤其地公开了一种用于带电粒子检查系统的相位板(210)，该相位板被配置和布置为修改束(600)中带电粒子的局部相位以减少透镜像差的影响。相位板由孔阵列组成，其中孔的电压和/或遮蔽度被单独或群组地控制。孔的电压和/或遮蔽度被单独...

公开了一种表面处理设备和方法，用于对诸如晶片或基板的衬底进行表面处理。该表面处理设备包括一个或多个支撑结构，用于支撑一个或多个衬底，以及一个或多个紫外照明源，被配置为发射紫外照明，并且可操作地处理所述一个或多个衬底的所述至少一个表面，同...