ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有3480项专利

  • 一种光刻设备和器件制造方法,其中在剂量控制器中考虑来自EUV辐射源的带外辐射量,例如到达衬底的DUV辐射,以提供基于实际有效剂量的剂量控制,从而提供对带外辐射的影响的更好控制,例如带外辐射对抗蚀剂和成像的影响,特别是对由于取决于抗蚀剂类...
  • 一种光学调制器,包括声光组件和热管理装置。声光组件包括:声光材料;第一侧,被配置为接收入射光束;以及第二侧,被配置为基于入射光束发射输出光束。热管理装置包括:与声光组件的第一侧热接触的第一导热材料;以及与声光组件的第二侧热接触的第二导热...
  • 公开了一种用于增强图像的改进装置和方法,更具体地,公开了一种用于通过多带电粒子束检查中的串扰消除来增强图像的装置和方法。一种用于增强图像的方法包括从多束检查系统的检测器获取多个图像信号的第一图像信号。第一图像信号对应于来自检测器的第一区...
  • 披露了一种光瞳整形布置,所述光瞳整形布置用于获得被配置成用于在量测应用中使用的量测照射束的经限定光瞳强度分布。所述光瞳整形布置包括工程扩散器,所述工程扩散器具有被配置成将所述经限定光瞳强度分布施加到所述量测照射束的经限定远场分布。所述光...
  • 本文描述具有子分段光栅结构作为量测标记的半导体器件的结构和用于配置所述量测标记的方法。用于配置量测标记的方法可以用于光刻过程中。所述方法包括确定设置于叠置层内的初始量测标记的初始特性函数。所述方法还包括使所述量测标记的多个子分段的一个或...
  • 一种掩模版调节系统,包括:支撑结构,该支撑结构用于支撑掩模版;气体供应模块,该气体供应模块用于提供邻近于掩模版的气流;以及偏压模块,该偏压模块用于控制掩模版的电势。偏压模块包括第一电极、第二电极和电源。第一电极和第二电极每一个与掩模版间...
  • 一种扩散器,所述扩散器被配置成接收和透射辐射。所述扩散器包括散射层(510),所述散射层被配置成散射所接收的辐射,所述散射层(510)包括第一物质且具有在其中分布的多个空隙。所述第一物质可以是散射物质,或替代地,所述空隙中的至少一个空隙...
  • 描述一种用于监测制造过程的性能的方法。所述方法包括:接收传递与由所述制造过程所产生的衬底的几何形状有关的信息的一个或更多个输入信号;和利用预测模型、基于所述一个或更多个输入信号,确定所述制造过程中的变化。也描述一种用于预测与制造过程相关...
  • 本发明披露一种对器件制造过程的参数进行测量的方法。所述方法包括通过使用测量辐射照射衬底上的目标并且使用光学设备以检测由所述目标所散射的所述测量辐射来测量所述目标。所述目标包括具有第一周期性部件和第二周期性部件的目标结构。所述光学设备接收...
  • 提供了一种使用机器学习来生成用于晶片检查的预测图像的系统和方法。该系统和方法的一些实施例包括获取在被施加到晶片的光致抗蚀剂已被显影之后的晶片;对经显影的晶片的片段进行成像;获取在晶片已被蚀刻之后的晶片;对经蚀刻的晶片的片段进行成像;使用...
  • 使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法,无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器,其中生成用于控制无掩模图案写入器曝光晶片以用于创建电子器件的束波控制数据。基于设计版图数据和选择数据生成束波控制数据,设计版图数据定义适用于要从晶片制造的...
  • 一种使用光刻系统模拟待成像于衬底上的图案的方法,所述方法包括:获得待成像于所述衬底上的图案;使所述图案平滑化;以及模拟平滑化的图案的图像。所述平滑化可以包括应用图形低通滤波器,并且所述模拟可以包括应用来自边缘滤波器库的边缘滤波器。边缘滤...
  • 一种用于光刻设备的清洁装置(10),所述清洁装置包括:辐射源(2),所述辐射源被配置成供应能够从所述光刻系统的光学部件(IL;PS)或其它部件的表面去除水或其它污染物的净化辐射(8);其中,所述清洁装置被配置成由在由所述光刻设备执行的曝...
  • 本文中披露一种确定用于具有可配置的视场FOV的检查工具的视场设定的方法,该方法包括:获得衬底的至少一部分上的特征的工艺裕度分布;获得阈值;依赖于所获得的工艺裕度分布和阈值来识别衬底的至少一部分上的一个或更多个区;以及依赖于识别的所述一个...
  • 提供一种用于确定图案形成装置的表面参数的方法,包括以下步骤:使用第一测量系统相对于曝光辐射束的路径定位所述图案形成装置;将所述图案形成装置设置在布置于第二测量系统中的色差透镜的第一焦平面处;用穿过所述色差透镜的辐射照射所述图案形成装置的...
  • 用于通过光谱展宽生成宽带辐射的辐射源组件和方法。所述组件包括泵浦源,被配置为以一个或多个波长发射经调制的泵浦辐射。所述组件还包括光纤,被配置为接收由所述泵浦源发射的所述经调制的泵浦辐射,所述光纤包括沿着所述光纤的长度的一部分延伸的中空芯...
  • 公开了一种用于EUV光刻设备的辐射源。辐射源包括:腔室,包括等离子体形成区域;辐射收集器,被布置在腔室中,被配置成收集在等离子体形成区域发射的辐射并将所收集的辐射引向中间焦点区域;以及辐射管道,设置在辐射收集器和中间焦点区域之间。辐射管...
  • 一种被配置为保持衬底的衬底台,包括:多个传感器元件,被配置为检测来自投影系统的辐射束,辐射束形成在衬底水平具有细长形状的照射区域,细长形状具有长边缘和短边缘并且限定纵向方向和垂直于纵向方向的横向方向,传感器元件沿着纵向方向布置,其中多个...
  • 传感器可以用于测量样本的倾斜度。传感器可以包括具有光源、第一光学元件、第二光学元件、第三光学元件、透镜以及光阑的设备。第一光学元件可以从光源朝向样本提供光,并且可以从样本朝向第二光学元件提供输入到第一光学元件中的光。第二光学元件可以朝向...
  • 本发明中披露了构造过程模型的方法,该过程模型用于根据在不同处理条件下产生的图案模拟光刻术的产品的特性。所述方法使用该被模拟的特性的变化与被测量的特性的变化之间的偏差以调整该过程模型的参数。偏差以调整该过程模型的参数。偏差以调整该过程模型...