清洁装置、光刻设备、去除水或其它污染物的方法、和器件制造方法制造方法及图纸

一种用于光刻设备的清洁装置(10)，所述清洁装置包括：辐射源(2)，所述辐射源被配置成供应能够从所述光刻系统的光学部件(IL；PS)或其它部件的表面去除水或其它污染物的净化辐射(8)；其中，所述清洁装置被配置成由在由所述光刻设备执行的曝光过程期间夹持图案形成装置的夹具(7)夹持。的夹具(7)夹持。的夹具(7)夹持。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁装置、光刻设备、去除水或其它污染物的方法、和器件制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年10月1日提交的欧洲申请19200715.1的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本专利技术涉及清洁装置、光刻设备、去除水或其它污染物的方法、以及设备制造方法。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底上(通常是在所述衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在所述实例中，图案形成装置(其替代地被称为掩模或掩模版)可以被用于产生待形成于所述IC的单个层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，经由成像到被设置在所述衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行所述图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。
[0005]光刻技术被广泛认为是制造集成电路和其它器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术而制作的特征的尺寸变得更小，光刻术正成为用于制造微型IC或其它器件和/或结构的更关键因素。
[0006]可以由瑞利(Rayleigh)分辨率判据给出图案印制极限的理论估计值，如方程式(1)所示：
[0007][0008]其中λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印制所述图案的所述投影系统的数值孔径，k1是依赖于过程的调整系数(也被称为瑞利常数)，并且CD是所印制的特征的特征大小(或临界尺寸)。从方程式(1)可以得出，可以通过以下三种方式来获得特征的最小可印制大小的减小：通过缩短曝光波长λ；通过增加所述数值孔径NA；或通过减小k1的值。
[0009]为了缩短所述曝光波长，并且因而减小所述最小可印制大小，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在10nm至20nm的范围内，例如在13nm至14nm范围内的波长的电磁辐射。已进一步提出可以使用具有小于10nm的波长的EUV辐射，例如在5nm至10nm范围内(诸如6.7mm或6.8nm)。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生等离子体源、放电等离子体源、或基于由电子储存环所提供的同步辐射的源。
[0010]可以使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供所述等离子体的激光器、以及用于容纳所述等离子体的源收集器模块。可以例如通过将激光束引导到燃料处来产生所述等离子体，所述燃料诸如合适的材料(例如，锡)的颗粒、或合适的气体或蒸汽(诸如Xe气体或Li蒸汽)的流。所得到的等离子体发射了使
用辐射收集器所收集的输出辐射，例如EUV辐射。所述辐射收集器可以是镜面正入射辐射收集器，所述镜面正入射辐射收集器接收所述辐射并且将所述辐射聚焦为束。所述源收集器模块可以包括被布置成提供真空环境以支持所述等离子体的围封结构或腔室。这样的辐射系统典型地被称为激光产生等离子体(LPP)源。
[0011]光刻设备包括例如用于产生所述辐射束并且将所述辐射束投影至所述衬底的光学元件。在维修干预之后，水和碳氢化合物污染可能会沉积在所述光学元件上。此外，由于所述光学元件上的水和可能的污染颗粒，则所述光学元件的透射和反射性质可能随着时间而劣化。可以使用扫描器来清洁所述光学元件。
[0012]期望提供一种能够较有效地和/或以较低成本的方式清洁所述光学元件的清洁装置。

技术实现思路

[0013]根据本专利技术的一方面，提供一种用于光刻设备的清洁装置，所述清洁装置包括：辐射源，所述辐射源被配置成供应能够从所述光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物的净化辐射或去污辐射；其中，所述清洁装置被配置成由在由所述光刻设备执行的曝光过程期间夹持图案形成装置的夹具夹持。
[0014]根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括：辐射系统，所述辐射系统被配置成提供辐射的投影束；支撑结构，所述支撑结构被配置成支撑用于根据期望的图案对所述投影束进行图案化的图案形成装置；衬底台，所述衬底台被配置成保持衬底；投影系统，所述投影系统被配置成将被图案化的束投影至所述衬底的目标部分上；以及如上所述提及的清洁装置，其中所述支撑结构被配置成支撑所述清洁装置。
[0015]根据本专利技术的一方面，提供一种从光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物的方法，所述方法包括以下步骤：将清洁装置夹持到支撑结构上，所述支撑结构被配置成支撑用于根据期望的图案对投影束进行图案化的图案形成装置；和供应来自清洁装置的净化辐射，以便从所述光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物。
[0016]根据本专利技术的一方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤：通过来自清洁装置的、利用能够去除来自光刻设备的光学部件或其它部件的表面的水或其它污染物的辐射进行的辐照，去除所述水或其它污染物；用图案形成装置替换所述清洁装置；提供至少部分地由辐射敏感材料层覆盖的衬底；使用辐射系统提供辐射投影束；使用所述图案形成装置在所述投影束的横截面中向所述投影束赋予图案；以及将被图案化的辐射束投影至所述辐射敏感材料层的目标部分上。
附图说明
[0017]现在将仅以示例的方式，参考随附的示意性附图来描述本专利技术的实施例，在附图中，相应的附图标记指示相应的部分或部件，并且在附图中：
[0018]图1描绘了根据本专利技术实施例的光刻设备；
[0019]图2是所述光刻设备的较详细视图；
[0020]图3是图1和图2的设备的源收集器模块SO的较详细视图；并且
[0021]图4是根据本专利技术实施例的EUV光刻设备中的清洁装置的示意图。
[0022]根据下文阐述的具体实施方式，当与附图结合时，将明白本专利技术的特征和优点，在整个附图中相似的附图标记标识相应的元件。在附图中，相似的附图标记通常指示相同的、功能上类似的和/或结构上类似的元件。
具体实施方式
[0023]图1示意性地示出了根据本专利技术的一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。所述设备包括：
[0024]‑
照射系统(照射器)IL，所述照射系统(照射器)IL被配置成调节辐射束B(例如，EUV辐射)；
[0025]‑
支撑结构(例如，掩模台)MT，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模或掩模版)MA并且被连接至第一定位器PM，所述第一定位器PM被配置成准确地定位所述图案形成装置；
[0026]‑
衬底台(例如，晶片台)WT，所述衬底台被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且被连接至第二定位器PW，所述第二定位器PW被配置成准确地定位所述衬底；以及
[0027]‑
投影系统(例如，反射型投影系统)PS，所述投影系统PS被配置成将由图案形成装置MA赋予所述辐射束PB的图案投影到所述衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于光刻设备的清洁装置，所述清洁装置包括：辐射源，所述辐射源被配置成供应能够从所述光刻设备的光学部件或其它部件的表面去除水或其它污染物的净化辐射；其中，所述清洁装置被配置成由在由所述光刻设备执行的曝光过程期间夹持图案形成装置的夹具夹持。2.根据权利要求1所述的清洁装置，其中所述光刻设备是EUV光刻设备，其中所述夹具是静电夹具，并且其中所述清洁装置具有用于EUV光刻的图案形成装置的标准尺寸。3.根据权利要求1所述的清洁装置，其中所述清洁装置具有正方形形状。4.根据权利要求3所述的清洁装置，其中所述正方形形状具有152mm的边长。5.根据权利要求3或4所述的清洁装置，其中所述清洁装置具有6.35mm的厚度。6.根据任一前述权利要求所述的清洁装置，包括：能量源，所述能量源被配置成向所述辐射源供应能量以供应所述净化辐射。7.根据权利要求6所述的清洁装置，其中所述能量源是电池。8.根据权利要求1至5中任一项所述的清洁装置，包括：感应线圈，所述感应线圈被配置成接收来自电磁场的电能，其中所述感应线圈与所述辐射源电连接，以便向所述辐射源供应能量以供应所述净化辐射。9.根据任一前述权利要求所述的清洁装置，包括：控制器，所述控制器被配置成控制由所述辐射源供应净化辐射。10.根据任一前述权利要求所述的清洁装置，包括：气体释放模块，所述气体释放模块被配置成从所述清洁装置向外供应气体。11.根据任一前述权利要求所述的清洁装置，包括：光学元件，所述光学元件被配置成聚焦和引导由所述辐射源供应的所述净化辐射。12.一种光刻设备，包括：辐射系统，所述辐射系统被配置成提供辐射的投影束；支撑结构，所述支撑结构被配置成支撑用于根据期望的图案对所述投影束进...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：