提供了用于收集器流动环(CFR)壳体的系统、设备和方法，收集器流动环(CFR)壳体被配置为减轻燃料碎屑在极紫外(EUV)辐射系统中的积聚。示例CFR壳体可以包括多个喷头流动通道出口，该多个喷头流动通道出口被配置为在CFR壳体的等离子体面...

公开了对带电粒子束进行轮廓分析的系统和方法。对带电粒子束进行轮廓分析的方法可以包括激活带电粒子源以沿着主光轴生成带电粒子束，通过调节带电粒子束与驻光波之间的相互作用来修改带电粒子束，在与驻光波相互作用之后从修改后的带电粒子束中检测带电粒...

一种方法包括使用喷嘴来喷射材料的初始微滴。该方法包括使用机电元件将压力施加在喷嘴上。该方法包括使用由波形生成器生成的电信号来控制喷嘴上所施加的压力。电信号包括第一周期性波形和第二周期性波形。该方法包括基于第一和第二周期性波形和拖曳力来聚...

披露了一种用于确定在光刻过程中的平台位置或对所述平台位置的校正的方法。所述方法包括：获得描述对准辐射到所述衬底上的传输的传输数据；获得与所述平台的平台位置和/或所述传感器的传感器位置有关的位置数据。基于所述传输数据来确定针对所述位置数据...

公开了使用多束设备形成样本的图像的系统和方法。该方法可以包括在与多个初级电子束相互作用时从样本上的多个探测斑生成多个次级电子束。该方法还可以包括：调整与样本相互作用的多个初级电子束的取向，将多个次级电子束引导离开多个初级电子束，补偿多个...

描述了光学地确定结构中不同层中的金属特征是否彼此电接触。当金属特征包括不同的金属和/或具有不同的尺寸，导致检测到反射辐射中的一个或多个共振时，基于一个或多个共振的光谱位置，确定不同层中的金属特征彼此接触或不接触。当金属特征由相同金属形成...

一种量测系统，包括：光束量测装置，被配置为感测经放大光束的一个或多个方面并基于感测到的一个或多个方面对经放大光束进行调整；目标量测装置，被配置为在目标与经放大光束相互作用之后测量被修改目标的一个或多个属性，并且确定被修改目标达到参考校准...

一种用于监测靶材料的微滴流的设备，该靶材料的微滴流用以在辐射源中产生辐射束，其中所述设备包括：用于产生靶材料的微滴流的靶材料发射器，其中所述靶材料发射器包括腔室，所述腔室被配置用于所述靶材料在形成所述微滴流之前通过；第一换能器，其被配置...

本发明披露一种暗场数字全息显微镜，所述暗场数字全息显微镜被配置成确定结构的所关注的特性。所述暗场数字全息显微镜包括：照射装置，所述照射装置被配置成至少提供：第一束对，所述第一束对包括第一照射辐射束(1010)和第一参考辐射束(1030)...

一种用于极紫外(EUV)光源的装置包括主体。该主体包括：第一结构(246)，其包括第一壁；以及第二结构(248)，其包括第二壁，该第二壁永久地接合到该第一壁。该主体的内部(203)至少部分地由该第一壁和该第二壁限定。该第一壁包括第一金属...

公开了一种衬底、相关图案形成装置和测量该衬底的位置的方法。该方法包括执行对准标记的对准扫描以同时获得：在第一测量通道中检测到的第一测量信号以及在第二测量通道中检测到的第二测量信号。第一和第二测量信号是通过从第二测量信号的第一方向分量中减...

本公开涉及衬底台和制造用于衬底台的衬底支撑件的方法。在一种布置中，形成通过底座构件的多个孔。突节形成构件被接合至所述底座构件。多个突节结构被形成在所述突节形成构件中。每个突节结构包括在使用中接触被支撑的衬底的远端表面。每个突节结构包括通...

提供了一种在集成电路的制造中用作抗蚀剂的聚合物。还提供了一种非化学放大抗蚀剂组合物，其包括具有至少一个断裂部分的聚合物，该至少一个断裂部分包括被配置成在抗蚀剂组合物曝光于电磁辐射时优先断裂的可光裂解化学连结。还提供了这种抗蚀剂组合物或聚...

公开了一种照射源，其包括具有气体喷嘴的气体递送系统。气体喷嘴包括在气体喷嘴的出口平面中的开口。所述气体递送系统被配置成从所述开口提供气流以用于在相互作用区域处产生所发射的辐射。该照射源被配置成接收具有传播方向的泵浦辐射并且在气流中提供该...

功率放大器包括气体激光器腔室、气体激光器功率源、催化剂腔室、反馈装置和处理器。气体激光器腔室被配置为容纳流动气体混合物。气体激光器功率源被耦合到气体激光器腔室，并且被配置为向流动气体混合物提供能量以输出激光束。催化剂腔室被耦合到气体激光...

描述了增强被成像到衬底上的图案的目标特征。这可以包括在与一图案形成装置中的一个或更多个目标特征相邻的一个或更多个部位中将一个或更多个辅助特征添加到所述图案形成装置。基于所述衬底中的两个或更多个不同聚焦位置来添加所述一个或多个辅助特征。这...

本发明提供一种用于将包括多个细长孔的光纤预制件(FP)连接至压力供应系统(PSS)的装置，所述装置包括：a.第一表面(FS)，所述第一表面待被连接至所述光纤预制件(FP)的、所述多个细长孔终止于其处的端面；b.第二表面，所述第二表面包括...

本发明涉及使用高敏感度极紫外(EUV)抗蚀剂来制造例如集成电路的器件的改进方法。本发明还涉及用于执行这种方法的集成晶片处理系统。该方法包括制造器件，该方法包括：a.将极紫外(EUV)抗蚀剂晶片曝光于EUV辐射，以生产经曝光的EUV抗蚀剂...

一种用于训练机器学习模型以产生预测的被测量图像的方法，包括：获得(a)与参考设计图案相关联的输入目标图像，和(b)与印制于衬底上的指定设计图案相关联的参考测量图像，其中所述输入目标图像与所述参考测量图像为未对准的图像；和通过硬件计算机系...

描述了用于用参数化模型预测复电场图像的方法和系统。针对至所述参数化模型的给定输入，基于所述参数化模型的潜在空间中的维度数据来确定复电场图像的潜在空间表示。所述给定输入可以是与所述复电场图像相关联的测量的振幅(例如强度)。基于所述复电场图...