对准方法和相关联的对准和光刻设备技术

披露了一种用于确定在光刻过程中的平台位置或对所述平台位置的校正的方法。所述方法包括：获得描述对准辐射到所述衬底上的传输的传输数据；获得与所述平台的平台位置和/或所述传感器的传感器位置有关的位置数据。基于所述传输数据来确定针对所述位置数据的加权。所述位置是基于所述传输数据、位置数据和加权。位置数据和加权。位置数据和加权。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对准方法和相关联的对准和光刻设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年12月5日递交的欧洲申请19213963.2的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。


[0003]本专利技术涉及能够在例如由光刻技术进行的器件制造中使用的方法和设备，并且涉及使用所述光刻技术来制造器件的方法。本专利技术涉及量测装置，并且更具体地涉及用于测量诸如对准传感器和具有这样的对准传感器的光刻设备之类的位置的量测装置。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或若干管芯)上。典型地，经由将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网格。这些目标部分通常被称为“场”。
[0005]在复杂的器件的制造中，典型地执行许多光刻图案化步骤，由此在所述衬底上的连续层中形成功能特征。因此，光刻设备的性能的重要方面是将被施加的图案相对于在先前的层中(通过相同的设备或不同的光刻设备)设置的特征正确地且准确地放置的能力。为此目的，所述衬底具备一组或更多组对准标记。每个标记是这样的结构：其位置可以稍后使用位置传感器(典型地，光学位置传感器)来测量。所述光刻设备包括一个或更多个对准传感器，通过所述对准传感器可以准确地测量衬底上的标记的位置。不同类型的标记和不同类型的对准传感器已知来自不同的制造商和相同的制造商的不同的产品。
[0006]在其它应用中，量测传感器被用于测量衬底上的经曝光的结构(抗蚀剂中和/或蚀刻之后)。快速且非侵入形式的专用检查工具是这样的散射仪：其中辐射束被引导到所述衬底的表面上的目标上，并且测量散射或反射束的性质。已知散射仪的例子包括US2006033921A1和US2010201963A1中所述类型的角分辨散射仪。除了通过重构进行特征形状的测量以外，也可以使用这种设备测量基于衍射的重叠，如公开的专利申请案US2006066855A1中所描述的。使用衍射阶的暗场成像的基于衍射的重叠量测能够实现对较小目标的重叠测量。可以在国际专利申请WO2009/078708和WO2009/106279中找到暗场成像量测的示例，这些文献的全部内容由此以引用方式并入。在已公开的专利公开US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中已经描述了技术的进一步发展。这些目标可以小于照射斑并且可以被晶片上的产品结构包围。使用复合光栅目标可以在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容同样通过引用并入本文中。
[0007]在一些量测应用中，诸如在使用对准传感器的位置量测中，互补平台位置监测
(SPM)子系统与所述对准传感器互补地操作。这样的SPM子系统监测所述平台(晶片平台/衬底平台和/或掩模版平台)与所述传感器之间的位置差异并且确定针对所述平台的定位和/或运动的校正。这样的SPM子系统可以监测所述平台的位置、所述传感器(或所述传感器的任何特定部件)的位置，和其组合。期望针对其它类型的对准传感器提供或调适这样的SPM子系统。

技术实现思路

[0008]本专利技术在第一方面中提供一种用于使用传感器来确定在对准过程中由平台支撑的衬底上的目标结构的位置的方法；包括：获得描述对准辐射到所述衬底上的传输的传输数据；获得与所述平台的平台位置和/或所述传感器的传感器位置有关的位置数据；基于所述传输数据来确定所述位置数据的加权；以及基于所述传输数据、位置数据和加权来确定所述位置。
[0009]本专利技术在第二方面中提供一种用于使用传感器来确定在对准过程中由平台支撑的衬底上的目标结构的位置的方法；包括：获得描述对准辐射到所述衬底上的传输的传输数据；获得与所述平台的平台位置和/或所述传感器的传感器位置有关的位置数据；调谐所述对准辐射的所述传输的光谱特性，使得所述对准辐射的所述传输具有相对于所述位置数据的光谱特性改善的光谱特性；以及基于所述位置数据来确定所述位置。
[0010]也披露了能够操作以执行所述第一方面和/或第二方面的方法的计算机程序、量测设备和光刻设备。
[0011]将根据下文描述的示例的考虑因素来理解本专利技术的以上方面和其它方面。
附图说明
[0012]现在将仅通过举例的方式、参考随附附图来描述本专利技术的实施例，在附图中：
[0013]图1描绘了光刻设备；
[0014]图2示意性地图示图1的设备中的测量和曝光过程；
[0015]图3是根据实施例能够调适的第一对准传感器的示意图；
[0016]图4是根据实施例能够调适的第二对准传感器的示意图；
[0017]图5是也能够用于对准且根据实施例能够调适的替代量测装置的示意图；
[0018]图6包括：(a)入射辐射的光瞳图像；(b)图示出图5的所述量测装置的操作原理的离轴照射束的光瞳图像；以及(c)图示出图5的所述量测装置的另一操作原理的离轴照射束的光瞳图像；
[0019]图7是用于诸如图5中图示出的量测装置的示例性照射源布置；以及
[0020]图8包括以下项目的时间曲线图：(a)平台位置监测信号；和(b)根据实施例的用于所述平台位置监测信号的加权函数；以及
[0021]图9包括：(a)平台位置监测信号的时间曲线图；(b)所述平台位置监测信号的相对应的光谱曲线图；(c)所述量测装置的传输特性的时间曲线图；以及(d)所述传输特性的相对应的光谱曲线图。
具体实施方式
[0022]在详细地描述本专利技术的实施例之前，提出可以实施本专利技术的实施例的示例环境是有指导意义的。
[0023]图1示意性地描绘了光刻设备LA。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如，掩模台)MT，所述图案形成装置支撑件或支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且与被配置成根据某些参数准确地定位所述图案形成装置的第一定位器PM连接；两个衬底台(例如，晶片台)WTa和WTb，每个衬底台被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且每个衬底台与被配置成根据某些参数准确地定位所述衬底的第二定位器PW连接；以及投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统PS被配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到所述衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。参考框架RF连接各种部件，并且用作设置和测量所述图案形成装置和衬底的位置、以及所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于使用传感器来确定在对准过程中由平台支撑的衬底上的目标结构的位置的方法；所述方法包括：获得描述对准辐射到所述衬底上的传输的传输数据；获得与所述平台的平台位置和/或所述传感器的传感器位置有关的位置数据；基于所述传输数据来确定针对所述位置数据的加权；以及基于所述传输数据、位置数据和加权来确定所述位置。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述位置数据涉及相对于期望的位置和/或运动对所述平台的定位和/或运动的校正。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述对准过程中确定所述期望的位置和/或运动。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述加权相对于与对准辐射没有被传输到所述衬底上的时间周期相对应的所述位置数据进行加权。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，经由多模光纤，通过将经聚焦的辐射束扫描掠过所述多模光纤的输入琢面上以扰乱所述辐射束的空间相干性，来将对准辐射传输至所述衬底，所述扫描包括所述经聚焦的辐射束入射到所述输入琢面的芯部区之外的周期。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述获得传输数据包括使用所述对准辐射的光源模型经由模拟来确定所述传输数据。7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述获得传输数据包括使用检测器直接测量被传输通过所述光纤的和/或从所述光纤反射的光的量。8.根据权利要求7所述的方法，其中，经由所述多模光纤中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：