晶圆与掩模版的对准方法及纳米结构的套刻方法技术

本申请涉及一种晶圆与掩模版的对准方法及纳米结构的套刻方法，该对准方法包括：S1、将掩模版移动至晶圆上且掩模版和晶圆位于基于近场扫描光学显微镜原理的成像装置的扫描区域内，且用以与本步骤中的移动至晶圆上的掩模版对准的参考基准标记暴露；S2、利用扫描装置对扫描区域进行扫描，获取参考基准标记的第一位置数据和对准标记的第二位置数据；S3、对于每个第一位置数据，确定第一位置数据与第二位置数据之间的最小相对距离；S4、移动掩模版以使最小相对距离落于预设距离范围。该晶圆与掩模版的对准方法及纳米结构套刻方法能够实现纳米尺度下光学成像，从而实现高精度套刻对准。准。准。

【技术实现步骤摘要】
晶圆与掩模版的对准方法及纳米结构的套刻方法


[0001]本专利技术涉及一种晶圆与掩模版的对准方法及纳米结构的套刻方法，应用于套刻技术，属于半导体


技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工艺中，当形成具有半导体器件的电路图案的叠层结构时，对每一层进行光刻工艺。在电路图案中，在上层和下层之间也必须形成连接。因此，各个层的图案的重叠套刻精度很重要。目前，在微电子等半导体领域中，通过掩模版实现套刻通常包括三大类：投影方式(通过投影式光刻机实现)、纳米压印技术和接触式光刻技术(即，广义的接触式光刻技术，该广义的接触式光刻技术通常包括接触式、近场式和真空式三种)，其中，在后两类套刻技术中，对掩模版与晶圆的套刻对准的要求较高，特别是随着半导体芯片的集成度不断提高，半导体芯片的特征尺寸也随着摩尔定律的发展不断缩小，其特征尺寸的不断缩小，对光刻/压印工艺的套刻精度与特征尺寸均匀性的要求也不断提高。
[0003]如为了提高光刻精度，WO2015043450A1公开了一种超分辨成像光刻，用于非接触方式光刻，其通过照明光场产生装置使透射通过掩模图形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆与掩模版的对准方法，其特征在于，所述晶圆上形成有至少两个参考基准标记，所述掩模版包括至少两个对准标记和与对准标记错位设置的探测孔，所述方法包括：S1、将所述掩模版移动至所述晶圆上且所述掩模版和所述晶圆位于所述扫描装置的扫描区域内，所述扫描装置基于近场扫描光学显微镜原理，其中，所述探测孔将所述晶圆上的参考基准标记暴露，其中每个所述探测孔仅暴露一个所述参考基准标记；S2、利用扫描装置对所述扫描区域进行扫描，获取参考基准标记的第一位置数据和所述对准标记的第二位置数据；S3、对于每个所述第一位置数据，确定所述第一位置数据与所述第二位置数据之间的最小相对距离；S4、在所述最小相对距离大于或小于预设距离范围的情况下，移动所述掩模版以使所述最小相对距离落于所述预设距离范围。2.如权利要求1所述的晶圆与掩模版的对准方法，其特征在于，所述第一位置数据包括X方向数据和Y方向数据；所述第二位置数据包括X方向数据和Y方向数据。3.如权利要求1所述的晶圆与掩模版的对准方法，其特征在于，所述最小相对距离为所述参考基准标记和所述对准标记之间的直线距离。4.如权利要求1所述的晶圆与掩模版的对准方法，其特征在于，在步骤S2中，当探针移动所述探测孔时，所述探针在Z方向移动至所述晶圆的近表面进行扫描，以确定位于所述探测孔内的参考基准标记的第一位置数据。5.如权利要求1所述的晶圆与掩模版的对...

【专利技术属性】
技术研发人员：林岳明，季明华，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：