对准偏差的补偿方法技术

一种对准偏差的补偿方法，包括：根据第一对准模型和第二对准模型，获取对准模型偏差信息；在对初始第二光刻层进行初始光刻对准后，根据对准模型偏差信息对初始第二光刻层进行补偿光刻对准，以图形化初始第二光刻层，形成第二光刻层。从而，在光刻工艺中，提高了光刻对准的精度和可靠性，并提高了光刻对准的稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
对准偏差的补偿方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种对准偏差的补偿方法。

技术介绍

[0002]光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，其能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。
[0003]光刻工艺过程中，在曝光之前，首先，需要对晶圆进行对准，即，将晶圆中用于对准的对准层与掩模版对准。
[0004]在晶圆制造的过程中，由于受到制造工艺的影响，晶圆会产生形变，因此，晶圆的对准层的对准标记受到形变的影响也发生变化，导致对准标记的实际位置发生了变化。通常，在对晶圆进行对准的过程中，会采用对准模型根据检测到的对准标记的位置信息对晶圆的对准过程补偿，以提高对准标记的实际位置与掩膜版对准程度。
[0005]为了针对晶圆的微小形变作出对准补偿，以进一步提高光刻对准的精度，提出了一种径向基函数对准模型(RBF Alignment Model，Radial Base FunctionAlignment Model)。RBF对准模型由于补偿灵敏度高，因此，对于晶圆的微小形变也能够作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对准偏差的补偿方法，其特征在于，包括：提供待补偿晶圆，所述待补偿晶圆包括初始第一层、以及位于所述初始第一层上的初始第一光刻层；提供第一对准模型和第二对准模型；根据第一对准模型对所述初始第一光刻层进行光刻对准，以图形化所述初始第一光刻层，形成第一光刻层；根据所述第一光刻层图形化所述初始第一层，以形成第一层；在所述第一层上形成初始第二光刻层；根据所述第二对准模型，对所述初始第二光刻层进行初始光刻对准；根据所述第一对准模型和第二对准模型，获取对准模型偏差信息；在对所述初始第二光刻层进行初始光刻对准后，根据所述对准模型偏差信息对所述初始第二光刻层进行补偿光刻对准，以图形化所述初始第二光刻层，形成第二光刻层。2.如权利要求1所述的对准偏差的补偿方法，其特征在于，所述待补偿晶圆还包括：第一对准层，所述初始第一层位于所述第一对准层上，并且，所述初始第一光刻层在进行光刻对准时，对准所述第一对准层。3.如权利要求2所述的对准偏差的补偿方法，其特征在于，根据所述第一对准模型和第二对准模型，获取对准模型偏差信息的方法包括：提供所述第一对准层的第一预设对准位置信息；根据所述第一预设对准位置信息和第一对准层获取第一检测对准位置信息；根据第一检测对准位置信息以及第一对准模型，获取第一对准偏移信息；根据第一检测对准位置信息以及第二对准模型，获取第二对准偏移信息；根据所述第一对准偏移信息和第二对准偏移信息，获取对准模型偏差信息。4.如权利要求3所述的对准偏差的补偿方法，其特征在于，在根据第一对准模型对所述初始第一光刻层进行光刻对准时，获取所述第一对准偏移信息。5.如权利要求3所述的对准偏差的补偿方法，其特征在于，在根据所述第一对准模型对所述初始第一光刻层进行光刻对准时，获取所述第二对准偏移信息。6.如权利要求3所述的对准偏差的补偿方法，其特征在于，在图形化所述初始第一光刻层，形成第一光刻层之前，根据所述第二对准模型对所述初始第一光刻层进行光刻对准，以获取所述第二对准偏移信息。7.如权利要求3所述的对准偏差的补偿方法，其特征在于，所述第一对准层包括若干第一对准标记，所述第一预设对准位置信息包括每个所述第一对准标记的预设位置信息；所述第一光刻层包括若干第一光刻对准标记，每个所述第一光刻对准标记与1个所述第一对准标记对应。8.如权利要求7所述的对准偏差的补偿方法，其特征在于，所述第一对准偏移信息包括若干第一偏移信息，每个第一光刻对准标记与1个第一偏移信息对应；所述第二对准偏移信息包括若干第二偏移信息，每个第一光刻对准标记还与1个第二偏移信息对应；所述对准模型偏差信息包括：每个第一光刻对准标记的模型偏移信息，所述模型偏移信息是与该第一光刻对准标记对应的1个第一偏移信息、以及1个第二偏移信息之间的偏差信息。9.如权利要求8所述的对准偏差的补偿方法，其特征在于，获取第一检测对准位置信息的方法包括：根据每个...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海，杨晓松，吴怡旻，季颖娣，
申请(专利权)人：中芯南方集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：