中芯南方集成电路制造有限公司专利技术

中芯南方集成电路制造有限公司共有58项专利

  • 本申请提供一种离子注入设备,所述离子注入设备包括:反应腔;抽气管路,与所述反应腔连通,用于对所述反应腔抽气,所述抽气管路上设置有自动阀门;自动控制装置,被配置为在所述反应腔打开时自动控制所述自动阀门开启。本申请提供一种离子注入设备,在进...
  • 本申请提供一种曝光方法及系统,所述方法包括:将曝光时使用的综合套准补偿数据拆分成X方向的前馈套准补偿数据和Y方向的前馈套准补偿数据;发送套准补偿数据获取指令给曝光机台;将待曝光晶圆送入曝光机台;所述曝光机台根据所述获取指令同时获取对应的...
  • 本申请提供一种曝光方法及系统,所述方法包括:在曝光准备阶段,设备自动控制程序同时发送前馈套准补偿数据和反馈套准补偿数据获取指令给曝光机台;将待曝光晶圆送入曝光机台;所述曝光机台根据所述获取指令同时获取所述前馈套准补偿数据和反馈套准补偿数...
  • 一种半导体结构的形成方法和曝光对准系统,所述形成方法包括:利用掩膜组对第一材料层进行多次图形化;所述掩膜组包括:第一掩膜和第二掩膜,利用掩膜组对所述第一材料层进行多次图形化的步骤包括:利用所述第一掩膜对所述第一材料层进行第一图形化操作,...
  • 本申请提供一种电路接头连接结构,包括:接头公头,所述接头公头包括第一公头螺母和第二公头螺母;接头母头,所述接头母头包括第一母头螺母和第二母头螺母;第一螺栓,连接所述第一公头螺母和第一母头螺母;第二螺栓,连接所述第二公头螺母和第二母头螺母...
  • 本申请提供一种晶圆搬运装置控制系统,所述系统包括:音频检测器件,被配置为检测所述晶圆搬运装置所处空间的声音并输出为检测音频信号;设定器,被配置为连续输出设定音频信号;比较器,被配置为接收所述检测音频信号和所述设定音频信号,将所述检测音频...
  • 本申请提供一种尾气处理装置,所述尾气处理装置包括:水槽以及分别连通所述水槽两端的竖式尾气处理管路和竖式排气管路;所述尾气处理管路包括:尾气进气口;旋转内管,设置于所述尾气处理管路中,连通所述尾气进气口,所述旋转内管被配置为绕所述旋转内管...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:包括:提供衬底,所述衬底包括沿第一方向排布的第一区和若干第二区,所述第一区位于相邻的所述第二区之间,所述第一区上具有若干沿所述第一方向排布的鳍部;采用流体化学气相沉积工艺形成初始隔离层,所述...
  • 本申请提供一种气压过渡装置、晶圆传送装置及晶圆传送方法,所述气压过渡装置包括:腔体;气泵,通过常关气动阀与所述腔体连接,被配置为向所述腔体充气或从所述腔体抽气;离子真空计,通过气管与所述腔体连接,被配置为测量所述腔体的气压;常开气动阀,...
  • 本申请提供一种衔接装置,用于衔接真空泵和管路,包括腔体,其中,腔体上设置有第一接口和第二接口,第一接口用于连接真空泵,第二接口用于连接管路;腔体内设置有至少一个逆止结构,至少一个逆止结构将腔体分隔为沿第一方向分布的至少两个子腔体,至少两...
  • 本申请提供一种炉管设备,包括:本体,本体具有反应腔体;排气结构,排气结构包括至少一个环形腔体,至少一个环形腔体环绕在本体底部的外侧面上,且通过第一连通结构与反应腔体连通;其中,至少一个环形腔体具有排气口。本申请实施例提供的炉管设备能够提...
  • 本申请提供一种阴极安装结构、离子源装置、离子注入设备,所述阴极安装结构包括:阴极;承载装置,所述承载装置包括承载部和安装部,所述阴极安装于所述承载装置的承载部;绝缘底座,所述绝缘底座上具有自锁螺纹孔,所述承载装置的安装部通过螺丝与所述自...
  • 本申请提供了一种取片器结构及取片系统,所述取片器结构包括:取片器,用于承载待传送晶圆;温度传感器,安装于所述取片器上,用于感应所述待传送晶圆的温度并转换成电压信号输出,且所述电压信号用于判断是否停止传送所述晶圆。本申请技术方案的取片器结...
  • 一种半导体结构及半导体结构的形成方法,结构包括:衬底;位于衬底上的介质层;位于介质层内的栅极开口,所述栅极开口包括第一区和位于第一区上的第二区,所述第一区在衬底上具有第一投影,所述第二区在衬底上具有第二投影,所述第二投影的面积大于第一投...
  • 一种炉管装置,包括:炉管腔体;位于所述炉管腔体内部的晶舟;位于所述炉管腔体底部的炉管炉门;位于所述炉管炉门上的盖板,所述盖板位于晶舟下方,所述盖板具有相对的第一表面和第二表面,以及位于所述第一表面和第二表面之间的外侧面,所述第一表面面向...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供待刻蚀层,包括第一区和第二区;在第一区和第二区上形成分立的核心层;在待刻蚀层上、核心层侧壁表面和顶部表面形成侧墙材料层;在第一区上相邻的核心层之间形成隔离层;在第二区上相邻的核心层之间形成牺牲层,牺牲...
  • 一种半导体结构的形成方法:提供衬底;在衬底上形成栅极结构、源漏掺杂区和第一介质层;在第一介质层上形成第二介质层;在第二介质层上形成掩膜结构,包括第一掩膜层、位于第一掩膜层顶部的第二掩膜层以及位于第一掩膜层和第二掩膜层侧壁的第三掩膜层,第...
  • 一种自动化搬运系统及工作方法,系统包括:装卸台,用于装载和卸载物料盒;设置于装卸台周围的光栅检测仪,光栅检测仪用于检测装卸台周围是否为安全环境,光栅检测仪具有遮光传感器,光栅检测仪与装卸台电连接;空中吊运设备,空中吊运设备位于装卸台上方...
  • 一种喷嘴组件及其安装方法,其特征在于,包括:接头,所述接头内部具有沿第一方向延伸的气体管道,所述接头在第一方向上具有相对的第一端和第二端,所述接头的外壁表面固定有第一定位部;套设于所述接头外部的接头螺母,所述接头螺母具有相对的第三端和第...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:在所述层间介质层内形成初始第一凹槽,所述初始第一凹槽暴露出所述源漏层顶部表面的第一刻蚀停止层;在所述层间介质层内形成初始第二凹槽,所述初始第二凹槽暴露出所述栅极表面的第一刻蚀停止层,且所述初始第...