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本申请涉及一种晶圆与掩模版的对准方法及纳米结构的套刻方法，该对准方法包括：S1、将掩模版移动至晶圆上且掩模版和晶圆位于基于近场扫描光学显微镜原理的成像装置的扫描区域内，且用以与本步骤中的移动至晶圆上的掩模版对准的参考基准标记暴露；S2、利用...
该专利属于上海传芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海传芯半导体有限公司授权不得商用。

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