一种制造集成电路的方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及一种制造集成电路的方法及系统。所提出的方法包括：根据与晶圆上第一组标记相关联的第一量测数据及第一补偿数据、以及与所述晶圆上第二组标记相关联的第二量测数据及第二补偿数据而计算损失值；以及经由调整与所述第一补偿数据及所述第二补偿数据相关联的第一参数组，使所述损失值与目标损失值之间的差异小于损失临限值。间的差异小于损失临限值。间的差异小于损失临限值。

【技术实现步骤摘要】
一种制造集成电路的方法和系统


[0001]本专利技术大体上涉及半导体
，更具体地，涉及一种制造集成电路的方法和系统。

技术介绍

[0002]在集成电路制造领域，光刻工艺是一种关键的工艺，其工艺质量直接影响集成电路的成品率、可靠性、芯片性能以及使用寿命等参数指标。光刻工艺的工艺质量改进与这些参数指标的稳定性息息相关。
[0003]一种类型的光刻工艺，称为光刻法，其通过将诸如紫外光的光线照射掩膜板，使得掩膜板上的图案曝光到晶圆上的光刻胶。光刻胶包括当暴露于紫外光照射时经历化学转变的一个或多个组件。因而光刻胶发生的特性变化允许选择性的去除光刻胶的曝光部分或者未曝光部分。这样，光刻工艺可将来自掩模版的图案转移到光刻胶，然后选择性的去除光刻胶以显露图案。此外，可以重复以上操作，以实现叠加多个图案层的光刻工艺。
[0004]随着半导体工艺技术的不断革新，如何对多个图案层的叠加偏差进行控制已经成为集成电路成品率的关键因素。如何改善叠加偏差已成为半导体行业面临的主要挑战之一。另一方面，由于掩膜板尺寸的限制，在CCD(电荷耦合器件)和CIS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造集成电路的方法，其包括：根据与晶圆上第一组标记相关联的第一量测数据及第一补偿数据、以及与所述晶圆上第二组标记相关联的第二量测数据及第二补偿数据而计算损失值；以及经由调整与所述第一补偿数据及所述第二补偿数据相关联的第一参数组，使所述损失值与目标损失值之间的差异小于损失临限值。2.根据权利要求1所述的制造集成电路的方法，其进一步包括：根据所述第一参数组校正所述晶圆上的的叠加偏差；以及根据所述第一参数组校正所述晶圆上的的拼接偏差。3.根据权利要求1所述的制造集成电路的方法，其中所述第一组标记设置于所述晶圆的第一区域及第二区域的周缘，且所述第二组标记设置于邻近所述第一区域及所述第二区域的交界处。4.根据权利要求1所述的制造集成电路的方法，其中所述损失值系进一步根据与所述第一组标记相关联的第一加权值、及与所述第二组标记相关联的第二加权值而计算。5.根据权利要求4所述的制造集成电路的方法，其中所述第一加权值与所述第一组标记的数量相关联，且所述第二加权值与所述第二组标记的数量相关联。6.根据权利要求4所述的制造集成电路的方法，其中所述第一加权值与所述第一组标记的数量成反比，且所述第二加权值与所述第二组标记的数量成反比。7.根据权利要求1所述的制造集成电路的方法，其中所述第一补偿数据系根据所述第一参数组以及与所述第一组标记相关联的第一坐标矩阵而获得。8.根据权利要求1所述的制造集成电路的方法，其中所述第二补偿数据系根据所述第一参数组以及与所述第二组标记相关联的第二坐标矩阵而获得。9.根据权利要求1所述的制造集成电路的方法，其中：所述第一补偿数据包含在第一方向上与所述第一组标记相关联的第一组分量，以及在第二方向上与所述第一组标记相关联的第二组分量。10.根据权利要求1所述的制造集成电路的方法，其中：所述第二补偿数据包含在第一方向上与所述第二组标记相关联的第一组分量，以及在第二方向上与所述第二组标记相关联的第二组分量。11.根据权利要求1所述的制造集成电路的方法，其中：所述第一量测数据包含在第一方向上与所述第一组标记相关联的第一组分量，以及在第二方向上与所述第一组标记相关联的第二组分量。12.根据权利要求1所述的制造集成电路的方法，其中：所述第二量测数据包含在第一方向上与所述第二组标记相关联的第一组分量，以及在第二方向上与所述第二组标记相关联的第二组分量。13.一种制造集成电路的方法，其包括根据以下公式计算损失值：其中L2系所述损失值；
OVL
i
系与晶圆上第一组标记相关联的第一补偿数据；系与所述第一组标记相关联的第一量测数据；Stitch
j
系与所述晶圆上第二组标记相关联的第二补偿数据；系与所述第二组标记相关联的第二量测数据；α系第一加权值；且β系第二加权值。14.根据权利要求13所述的制造集成电路的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：浦海峰，朱宁锜，钟声远，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：