对准标记结构、掩膜板和半导体结构制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于光刻设备的对准标记结构、掩膜板以及半导体结构。所述对准标记结构包括多个主标记，用于实现光刻工艺中的对准；所述多个主标记中的每个主标记包括相互平行且间隔设置的多个对准栅条；以及虚设标记，用于匹配所述光刻设备的尺寸需求；所述虚设标记包括呈阵列间隔排布的多个点状结构。虚设标记包括呈阵列间隔排布的多个点状结构。虚设标记包括呈阵列间隔排布的多个点状结构。

Alignment mark structure, mask plate and semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
对准标记结构、掩膜板和半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种用于光刻设备的对准标记结构以及包含其的掩膜板和半导体结构。

技术介绍

[0002]在半导体光刻领域中，划线槽对准方式是目前光刻技术中广为采用的一种对准方式。划线槽又称为切割道，用于划片，以将晶圆切割成多片管芯(或者裸片)。诸如狭长矩形的划线槽主标记(scribe lane primary mark，SPM)的对准标记形成在每一层或者多个层的切割道中，后一层中的对准标记可以与前一层或前几层中的对准标记对准。
[0003]相关技术中，一种精度较高的划线槽主标记，大尺寸的划线槽主标记兼具捕捉范围广和高阶信号强的优点。然而，在一些特定使用场景下，部分光栅标记未被用于光刻对准时，这些光栅标记容易在键合过程中引入过多的气泡，从而影响键合质量；同时容易影响化学机械平坦化时的平坦度。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题中的至少部分，本专利技术实施例提供了一种用于光刻设备的对准标记结构，包括：
[0005]多个主标记，用于实现光刻工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于光刻设备的对准标记结构，其特征在于，包括：多个主标记，用于实现光刻工艺中的对准；所述多个主标记中的每个主标记包括相互平行且间隔设置的多个对准栅条；以及虚设标记，用于匹配所述光刻设备的尺寸需求；所述虚设标记包括呈阵列间隔排布的多个点状结构。2.根据权利要求1所述的用于光刻设备的对准标记结构，其特征在于，所述点状结构的形状包括圆形、三角形或者四边形。3.根据权利要求2所述的用于光刻设备的对准标记结构，其特征在于，所述多个点状结构均匀地间隔开，且所述点状结构间的间隔δ满足：0.5μm≤δ≤1.5μm。4.根据权利要求2所述的用于光刻设备的对准标记结构，其特征在于，所述点状结构的材料与所述主标记中的对准栅条的材料相同；所述点状结构间的间隔物的材料与所述主标记中的对准栅条的间隔物的材料相同。5.根据权利要求1所述的用于光刻设备的对准标记结构，其特征在于，所述多个主标记包括并列设置的第一主标记、第二主标记和第三主标记；所述第三主标记和所述虚设标记位于所述第一主标记和第二主标记之间；所述第一主标记和第二主标记对应的对准栅条的宽度大于所述第三主标记对应的对准栅条的宽度。6.根据权利要求5所述的用于光刻设备的对准标记结构，其特征在于，所述第一主标记对应的第一对...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡帅，张鹏真，徐陈林，彭熙锦，王梦婷，崔佳森，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：