公开了用于保护激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)光系统中的种子激光器的方法和设备。被定位在光路上的隔离级使从LPPEUV光系统中的进一步的部件反射的光转向，以免到达种子激光器。隔离级包括通过延迟线分离的两个AOM。AOM当打开时...

描述了用于使用目标图案和参考层图案为掩模生成光学邻近校正(OPC)后结果的实施例。所述目标图案和参考层的图像被提供为机器学习(ML)模型的输入，以生成OPC后图像。所述图像可以被单独输入，或者被组合为复合图像(例如使用线性函数)并且输入...

本文中描述了一种确定待印制在衬底上的目标图案的掩模图案的方法(400)。该方法包括：参考目标图案上的给定位置，将包括目标图案的设计布局(401)的一部分划分(P401)成多个单元(402)；在多个单元中的特定单元内分配(P403)多个变...

公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中，隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，...

本发明提供一种用于夹持物体的吸力夹具。所述吸力夹具包括：基部结构，所述基部结构包括基部和连接区域；和第一垫，所述第一垫用于接收所述物体。所述吸力夹具还包括弹性构件，所述弹性构件将所述第一垫连接至所述基部结构的所述连接区域，使得所述第一垫...

一种用于将输入辐射转换成宽带辐射的中空芯体光子晶体光纤(HC

本发明涉及一种用于产生和发射带电粒子束的带电粒子源模块，包括：框架，包括第一框架部分、第二框架部分以及布置在第一框架部分和第二框架部分之间的并且刚性地连接至它们的一个或多个刚性支撑构件，框架包括安装构件，安装构件通过挠曲连接件而连接到第...

一种设备，包括像素集和像素控制构件集，该像素集被配置为对接近该像素集的子束进行成形，像素控制构件分别与像素集中的每个像素相关联，每个像素控制构件被布置且被配置为向相关联的像素施加信号以用于对子束进行成形。相关联的像素施加信号以用于对子束...

本发明涉及一种具有背侧表面的衬底，所述背侧表面被配置为当在衬底装载周期中衬底被装载到衬底保持器上时提供摩擦切换，其中衬底背侧表面包括分子组合体，所述分子组合体包括至少一个高相互作用区域和至少一个低相互作用区域。本发明还涉及使用这种衬底的...

提供了一种用于光刻设备的表膜隔膜，所述隔膜包括基体，所述基体包括分布在其中的多个包含物。还提供了一种制造所述表膜隔膜的方法、包括所述表膜隔膜的光刻设备、用于光刻设备的包括所述隔膜的表膜组件、以及表膜隔膜在光刻设备或方法中的用途。光刻设备...

一种带电粒子评估工具，包括：物镜，被配置为将多个带电粒子束投射到样品上，该物镜具有面向样品的表面，该面向样品的表面对多个束孔径进行限定，带电粒子束中的相应带电粒子束通过束孔径朝向样品被发射；以及多个捕获电极，与束孔径中的相应束孔径相邻并...

一种系统(400)，包括照射系统(402)、检测器(404)和比较器(406)。所述照射系统包括辐射源(408)和空间光调制器(410)。所述辐射源产生辐射的束(442)。所述空间光调制器朝向物体(428)的表面(436)引导所述束并调...

披露了一种用于确定测量选配方案的方法，所述测量选配方案描述用于对来自经受蚀刻引发的参数误差影响的衬底的所关注的参数进行测量的测量设定，所述蚀刻引发的参数误差以取决于选配方案的方式影响对所述所关注的参数的测量。所述方法包括：获得与对至少一...

用于带电粒子检测系统的超快束流调节的设备、方法和系统，包括：带电粒子源，被配置为发射带电粒子以扫描样品；以及发射增强器，被配置为在带电粒子检测系统的扫描操作的第一周期中向带电粒子源照射电磁辐射以增强带电粒子发射，并且在扫描操作的第二周期...

一种减少像差的方法，包括：基于射束(811)的带电粒子的能量(810)分离(830)带电粒子以形成束波(812至814)，这些束波中的每个束波被配置为包括处于中心能级的带电粒子；以及使(950)束波偏转，使得具有不同中心能级的束波被不同...

公开了一种量测方法。方法包括：将辐射照射到衬底上；获得与衬底上的一个或多个结构中的每个结构的至少一个测量值相关的测量数据；使用傅里叶相关变换将测量数据变换为经变换的测量数据；以及从经变换的测量数据提取衬底的特征或者消除妨害性参数的影响。...

公开了用于多射束检查系统的多模态操作的装置、系统和方法。一种用于生成多模态束波的装置可以包括孔径阵列，该孔径阵列包括具有第一尺寸的第一孔径组和具有不同于第一尺寸的第二尺寸的第二孔径组，第二孔径组与第一孔径组邻接，其中第一孔径组和第二孔径...

针对光刻设备的接合组件包括在两个或更多个配合表面(17a、19a)之间的接合部(16)，配合表面中的至少一个包括锡(18)。针对光刻设备的接合组件包括在由不同于锡的材料形成的两个或更多个组件(17、19)之间的接合部，两个组件在相应的配...

一种用于EUV辐射源的容器(16)，该容器包括：第一开口(30)，所述第一开口用于访问容器的内部(32)；第一访问构件(34)，所述第一访问构件被构造为允许或防止通过第一开口访问容器的内部；第二开口(36)，所述第二开口用于访问容器的内...

一种量测方法，包括：在衬底上执行第一次曝光，以形成包括多个第一目标单位的第一图案化层，每个第一目标单位包括第一目标特征；在衬底上执行第二次曝光，以形成第二图案化层，该第二图案化层包括与相应一些第一目标单位套刻的多个第二目标单位，每个第二...