用于EUV光刻术的隔膜制造技术

公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中，隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中第一金属与第二金属不同，第三金属与第一金属相同或不同。第三金属与第一金属相同或不同。第三金属与第一金属相同或不同。

【技术实现步骤摘要】
用于EUV光刻术的隔膜
[0001]本申请是国际申请PCT/EP2017/058721于2018年10月24日进入中国国家阶段、申请号为201780025510.6的专利技术申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求于2016年4月25日提交的EP申请16166775.3、于2016年10月21日提交的EP申请16195123.1以及2016年12月20日提交的EP申请16205298.9的优先权，这些申请的内容在此通过引用而全文并入本文。


[0004]本专利技术涉及用于一种EUV光刻术的隔膜、图案形成装置组件和动态气锁组件。

技术介绍

[0005]光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在集成电路的单层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或几个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。
[0006]光刻术被广泛地看作制造集成电路和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成实现制造微型集成电路或其他器件和/或结构的更加关键因素。
[0007]图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：
[0008][0009]其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。
[0010]为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在10
‑
20nm范围内的波长的电磁辐射，例如具有在13
‑
14nm范围内的波长的电磁辐射。进一步地还提出可以使用具有小于10nm波长的EUV辐射，例如波长在5
‑
10nm范围内，诸如6.7nm或6.8nm的波长。这样的辐射被称为术语“极紫外辐射”或“软X射线辐射”。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或者基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。
[0011]光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模板)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可以提供隔膜组件以保护图案形成装置免受空气中悬浮颗粒和其它形式的污染物影响。用于保护图案形成装置的隔膜组件可以被称为
表膜。图案形成装置的表面上的污染物可能导致在衬底上的制造缺陷。隔膜组件可以包括边界和横跨边界伸展的隔膜。
[0012]期望隔膜具有高发射率和低失效可能性的组合。也期望隔膜具有高EUV透射率。

技术实现思路

[0013]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜，该隔膜包括具有以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；基层，包括化合物，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中第一金属与第二金属不同，第三金属与第一金属相同或不同。
[0014]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜，其中：所述隔膜包括隔膜层，所述隔膜层包括化合物，所述化合物包括金属和附加元素；和隔膜的两个外表面的至少一部分由隔膜层中的化合物或附加元素的氧化物形成，其中：
[0015]所述金属是Mo，所述附加元素是Si；
[0016]所述金属是Ru，所述附加元素是Si；
[0017]所述金属是Zr，所述附加元素是Si；
[0018]所述金属是La，所述附加元素是Si；
[0019]所述金属是Sc，所述附加元素是Si；
[0020]所述金属是Y，所述附加元素是Si；
[0021]所述金属是Nb，所述附加元素是Si；
[0022]所述金属是Mo，所述附加元素是B；
[0023]所述金属是Ru，所述附加元素是B；
[0024]所述金属是Zr，所述附加元素是B；
[0025]所述金属是Nb，所述附加元素是B；
[0026]所述金属是Ti，所述附加元素是B；
[0027]所述金属是La，所述附加元素是B；或者
[0028]所述金属是Zr，所述附加元素是C。
[0029]根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造用于EUV光刻术的隔膜的方法，包括：提供基层；和提供发射率层，发射率层在红外线中的发射率高于基层在红外线中的发射率，其中发射率层设置在不规则的支撑表面上；并且，发射率层的厚度使得不规则的支撑表面的不规则性在与不规则支撑表面相对的发射率层的表面中产生相应的不规则性。
[0030]根据本专利技术的一个方面，提供了一种制造用于EUV光刻术的隔膜的方法，包括：使用掩模来限定待蚀刻的支撑结构中的区域；蚀刻限定的所述区域，其中：所述掩模具有由包括多个直线段的掩模边界线限定的形状；并且每对直接相邻的直线段之间的内角大于90度。
[0031]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜，包括自支撑部分，其中：自支撑部分的形状由包括多个基本上直线段的自支撑部分边界线限定；并且每对直接相邻的直线段之间的内角大于90度。
[0032]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜包括：基层；和覆盖层，其中所述覆盖层包括Mo与至少一种其他金属的合金。
[0033]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜包括：基层；和覆盖层，其中所述覆盖层包括硼硅酸盐玻璃。
[0034]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜包括：基层，所述基层包括以下物质中的一种或更多种：YSi2，ZrSi2，LaSi2和NbSi2。
[0035]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于使用具有波长λ的EUV辐射的EUV光刻术的隔膜，所述隔膜包括以下列顺序的层的叠层：第一保护性覆盖层；第一发射率层，具有λ/2的厚度；第一阻挡层，具有λ/4的厚度；基层；其中第一保护性覆盖层的折射率与第一发射率层的折射率和第一阻挡层的折射率相匹配；并且其中选择层的厚度以实现自隔膜的相对侧上的界面的EUV反射之间的相消干涉。
[0036]根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于清洁用于EUV光刻术的隔膜的清洁工具，包括腔室，所述腔室包括入口开口和排出开口，用于提供穿过腔室的层流气流，使得所述层流的方向与隔膜的外表面平行；在所述腔室中，界面板设置成保持隔膜，和振动台，耦接到界面板并布置成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于EUV光刻的隔膜，所述隔膜包括：基层，包括以下的一种或多种：YSi2、ZrSi2、LaSi2、NbSi2、MoSi2和RuSi2；覆盖层，所述覆盖层提供所述隔膜的外表面。2.根据权利要求1所述的隔膜，其中，所述覆盖层包括硼硅酸盐玻璃。3.根据权利要求1所述的隔膜，其中，所述覆盖层包括具有至少20％的sp3碳的比例的碳。4.根据权利要求3所述的隔膜，其中，所述基层包括碳，所述碳具有sp3碳的比例低于所述覆盖层的碳中sp3碳的比例。5.根据权利要求1所述的隔膜，其中所述覆盖层包括掺杂有碱金属或碱土金属的过渡金属。6.根据权利要求1所述的隔膜，其中所述覆盖层包括Mo与至少一种其他金属的合金。7.根据权利要求6所述的隔膜，其中所述至少一种其他金属包括以下中的一种或多种：Ta、Ti、Cr、Ni和Nb。8.根据权利要求1所述的隔膜，其中所述覆盖层包括覆盖层第一子层和覆盖层第二子层，其中：所述覆盖层第一子层与所述基层接触，所述覆盖层第二子层位于所述覆盖层第一子层的与所述基层相对的一侧；和所述覆盖层第一子层包括MoSi2或Si。9.根据权利要求1所述的隔膜，其中所述覆盖层包括M1
x
M2
y
O
z
，其中M1包括一种或多种碱金属和/或一种或多种碱土金属，并且M2包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：