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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
干涉仪系统和光刻设备技术方案
本发明涉及一种干涉仪系统,所述干涉仪系统包括光源、光纤和光学单元,所述光源用于提供辐射束,所述光学单元被布置在关注的物体上,所述光学单元包括光纤端保持装置和反射件,所述光纤端保持装置用于保持所述光纤的测量端,所述反射件被布置在所述关注的...
带电粒子系统中的流体传送系统技术方案
公开了用于将流体传送至带电粒子束系统中的台的装置、系统和方法。在一些实施例中,台可以被配置为固定晶片;腔可以被配置为容纳台;并且管可以被设置在腔中,以在台和腔外部之间传送流体。管可以包括第一材料的第一管状层,其中,第一材料是柔性聚合物;...
用于以基于缺陷的过程窗口为基础的校准模拟过程的方法技术
本文中描述关于改善与芯片的制造相关联的模拟过程和解决方案(例如,重定目标图案)的方法。方法包括获得多个剂量
在多带电粒子束检查中根据检查图像的轮廓提取方法技术
公开了一种用于在多带电粒子束检查系统中从检查图像提取图案轮廓信息的改进的设备和方法。一种用于从检查图像提取图案轮廓信息的改进方法,包括:根据从带电粒子束检查系统获得的检查图像来标识在检查图像中部分重叠的第一图案和第二图案。该方法还包括:...
确定光刻匹配性能制造技术
描述了一种确定用于半导体制造的工具之间的匹配性能的方法以及相关联的工具。该方法包括获得与多个工具相关的多个数据集,以及在减小的空间中的所述数据集的表示,该减小的空间具有减小的维度。基于匹配减小的空间中的所述减小的数据集,确定匹配度量和/...
包括使用经训练机器学习模型的光学邻近效应校正的用于确定掩模图案的方法技术
本文中描述一种用于确定掩模图案的方法和一种用于训练机器学习模型的方法。所述用于确定掩模图案的方法包括:经由使用待印制于衬底上的目标图案作为输入图案而执行模型来获得光学邻近效应校正后(OPC后)图案;基于OPC后图案来确定将被印制于所述衬...
多步骤过程检查方法技术
一种用于标识由多步骤过程形成的特征的阵列的一部分的图像中的特征的图像分析方法,该方法包括:分析图像中可见的特征的变化;以及至少部分基于分析的结果,将图像的特征与多步骤过程的步骤相关联。步骤过程的步骤相关联。步骤过程的步骤相关联。
用于控制制造过程的方法和关联设备技术
公开了一种用于控制在衬底上制造半导体器件的过程的方法和关联设备。所述方法包括:获得与所述过程相关的过程数据,以及基于所述过程数据和与所述衬底上的所述器件相关联的第一控制目标来确定所述过程的校正。所述第一控制目标可实现的第一概率被确定,并...
衬底台和处置衬底的方法技术
本公开涉及用于光刻的衬底台和处置衬底(W)的方法。在一种布置中,衬底台(WT)包括一个或多个隔膜(8)。致动系统(4)使每个隔膜变形以改变隔膜的一部分的高度。在另一布置中,衬底台包括一个或多个隔膜以及将衬底夹持到衬底台的夹持系统,其中夹...
针对离子泵的振动阻尼和共振减小制造技术
用于对安装有泵的真空容器的振动进行阻尼的设备和系统包括:泵体以及与泵体耦合的阻尼元件,其中泵体和阻尼元件形成基于质量的阻尼器,并且其中泵体形成基于质量的阻尼器的质量部件;并且阻尼元件形成基于质量的阻尼器的阻尼部件。设备和系统还包括:泵体...
基于由光刻设备或过程特性表征的图案表示来选择该图案制造技术
本文描述一种旨在选择用于训练或校准与半导体制造相关的模型的图案的方法和设备。所述方法包括:获得第一图案集合;将所述第一图案集合中的每个图案表示在表示域中,所述表示域对应于电磁函数;以及基于所述表示域,从所述第一图案集合中选择第二图案集合...
带电粒子操纵器装置制造方法及图纸
多束操纵器装置对多束的子束进行操作以使子束路径偏转。该装置包括:作为平行表面对的电极。每个平行表面对包括沿着对应子束线的一侧来布置的第一表面和平行于第一表面并沿着对应子束路径线的相对侧来布置的第二表面。第一平行表面对被配置为与多束中的子...
调整用于光刻过程的模型的方法和相关联的设备技术
一种调整用于特定图案形成装置的光刻过程的方法。所述方法包括:获得与光刻设备(LA)的物镜(PS)相关的波前数据(420),所述波前数据是在使用所述特定图案形成装置(MA)进行的衬底(W)上的图案的曝光之后被测量的;根据所述波前数据(44...
用于无掩模光刻的方法和系统技术方案
一种通过图案化辐射束曝光衬底的方法,包括:提供辐射束;通过可单独控制元件阵列赋予辐射束;通过绕倾斜轴线在不同位置之间倾斜可单独控制元件,从辐射束产生图案化辐射束;将图案化辐射束朝向衬底投影;在扫描方向上跨图案化辐射束扫描衬底,以使衬底曝...
定位装置制造方法及图纸
本发明提供了一种定位装置,包括:第一定位模块,第一定位模块被布置为支撑和定位第一衬底;第二定位模块,所述第二定位模块被布置为支撑和定位第二衬底;第一定位场,在第一定位场中,两个定位模块能够交替地被定位,以执行第一处理序列;第二定位场,在...
使用双平台光刻设备的方法以及光刻设备技术
本发明提供一种使用双平台光刻设备的方法,其中,光刻设备包括:两个衬底支撑件,每个衬底支撑件被布置成移动和支撑衬底;测量场,这两个衬底支撑件中的一个衬底支撑件被选择性地定位在测量场中,测量场用于测量被这两个衬底支撑件中的相应的衬底支撑件支...
工作台系统、工作台系统操作方法、检查工具、光刻设备、校准方法和装置制造方法制造方法及图纸
相对于参考物(RE)可移动的工作台(ST)包括:轴承(BE),用于支撑和引导所述工作台相对于二维平面中的所述参考物的移动;以及致动器系统(ACT),用于相对于所述参考物向所述工作台施加力,以相对于所述二维平面中的所述参考物移动或定位所述...
在带电粒子系统中使用电压对比进行缺陷检查的系统和方法技术方案
提供了一种用于在带电粒子系统中使用电压对比进行缺陷检查的系统和方法。该系统和方法的一些实施例包括:将载物台定位在第一位置处,以使得多个射束中的第一射束能够在第一时间扫描晶片的第一表面区域以生成与第一表面区域相关联的第一图像;将载物台定位...
用于确定衬底上的一个或更多个结构的特性的量测系统和方法技术方案
描述了一种用于确定与在衬底上的至少一个结构相关的感兴趣的特性的量测系统、和相关联的方法。所述量测系统包括处理器,所述处理器配置成根据被检测到的散射辐射的特性以计算的方式确定相位和振幅信息,作为在测量获取中用照射辐射来照射所述至少一个结构...
量测方法和用于测量衬底上的周期性结构的装置制造方法及图纸
披露了一种利用具有至少一个波长的照射辐射来测量衬底上的周期性结构的方法,所述周期性结构具有至少一个间距。所述方法包括基于所述间距与所述波长的比率来配置成下各项中的一个或更多个:照射孔轮廓,所述照射孔轮廓包括傅里叶空间中的一个或更多个照射...
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