用于极紫外光源的目标材料储槽制造技术

一种用于极紫外(EUV)光源的装置包括主体。该主体包括：第一结构(246)，其包括第一壁；以及第二结构(248)，其包括第二壁，该第二壁永久地接合到该第一壁。该主体的内部(203)至少部分地由该第一壁和该第二壁限定。该第一壁包括第一金属化材料，并且该第二壁包括第二金属化材料，该第二金属化材料具有与该第一金属化材料不同的热导率。该主体的该内部被配置为流体连接到该EUV光源的目标供应系统。体连接到该EUV光源的目标供应系统。体连接到该EUV光源的目标供应系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于极紫外光源的目标材料储槽
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年12月17日提交的标题为“用于极紫外光源的目标材料储槽(TARGET MATERIAL TANK FOR EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE)”的美国申请第62/949,144号和2020年3月6日提交的标题为“用于极紫外光源的目标材料储槽(TARGET MATERIAL TANK FOR EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE)”的美国申请第62/986,266号的优先权，这两个申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及一种用于极紫外(EUV)光源的目标材料储槽。

技术介绍

[0004]EUV光可以是例如波长为100纳米(nm)或更小的电磁辐射(有时也称为软x射线)，并且包括例如波长为20nm或更小、在5nm和20nm之间、或在13nm和14nm之间的光，并且可以用于光刻工艺中，以通过在抗蚀剂层中引发聚合来在衬底(例如硅晶片)中产生极小的特征。
[0005]产生EUV光的方法包括，但不一定限于，将包括具有EUV范围内的发射线的元素(例如氙、锂或锡)的材料转换成等离子体状态。在一种此类方法中，通常称为激光产生的等离子体(LPP)，可以通过用放大的光束照射作为元素的目标材料来产生所需的等离子体，该元素例如呈材料的液滴、板、带、流或簇的形式且具有处于等离子体状态的EUV范围内的发射线，，该放大的光束可以被称为驱动激光。对于此过程，等离子体通常在密封容器(例如真空室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监测。

技术实现思路

[0006]在一个方面，一种用于极紫外(EUV)光源的装置包括主体。该主体包括：第一结构，其包括第一壁；以及第二结构，其包括第二壁，该第二壁永久地接合到第一壁。主体的内部至少部分地由第一壁和第二壁限定。第一壁包括第一金属化材料，并且第二壁包括第二金属化材料，该第二金属化材料具有与第一金属化材料不同的热导率。主体的内部被配置为流体连接到EUV光源的目标供应系统。
[0007]实现方式可以包括以下特征中的一个或多个。
[0008]第一壁的第一端和第二壁的第二端可在钎焊接口处永久地接合。
[0009]第一金属化材料可以包括钼(Mo)，并且第二金属化材料可以包括不锈钢。
[0010]该装置可以进一步包括温度控制系统，该温度控制系统被配置为控制第一壁和第二壁中的至少一者的温度。温度控制系统可以包括：加热系统，其被配置为热耦合到第一壁；以及冷却系统，其被配置为热耦合到第二壁。第二金属化材料的热导率可以低于第一金属化材料的热导率。
[0011]第二金属化材料的热导率可以低于第一金属化材料的热导率。第一壁可从第一端
延伸到第二端，并且第二壁可从第一端延伸到第二端。第一壁的第一端可以钎焊到第二壁的第二端。该装置可以进一步包括：O形环，其在第二壁的第一端；以及可移除盖，其被配置为保持在O形环处。
[0012]第二金属化材料的热导率可以低于第一金属化材料的热导率。第一壁可从第一端延伸到第二端，并且第二壁可从第一端延伸到第二端。第一壁的第一端可以钎焊到第二壁的第二端。该装置可以进一步包括从第二壁延伸的至少一个端口。至少一个端口可以包括第二金属化材料。第二金属化材料可以包括不锈钢。
[0013]第一金属化材料可以包括第一热膨胀系数，并且第二金属化材料可以包括第二热膨胀系数。
[0014]第一壁的外侧可以永久地接合到第二壁的内侧。
[0015]该主体可以进一步包括第三结构，该第三结构包括第三壁。第三壁可以包括内表面和外表面。第三壁的内表面可以永久地接合到第二壁的外表面。第三壁可以包括第二金属化材料。该装置可以进一步包括温度控制系统，该温度控制系统被配置为控制第一壁、第二壁和第三壁中的至少一者的温度。第二金属化材料的热导率可以低于第一金属化材料的热导率。温度控制系统可以包括：加热系统，其被配置为热耦合到第一壁；以及冷却系统，其被配置为热耦合到第二壁和第三壁。第三壁可在第二壁和冷却系统之间。
[0016]该装置可以是目标材料储槽，该目标材料储槽被配置为在主体内部保持目标材料。当处于等离子体状态时，目标材料可以发射EUV光。
[0017]该装置可以是连接组件。第一结构可以至少包括第一端口，并且第二结构可以至少包括第二端口。第一端口和第二端口可以彼此流体连通。该装置可以被配置为在外部设备，其耦合到第二端口和贮存器，其耦合到第一端口之间提供流体路径。
[0018]在另一个方面，EUV光源包括目标供应系统。该目标供应系统包括：液滴生成器，其被配置为产生目标流；至少一个包括内部区域的装置，其被配置为流体耦合到液滴生成器；以及容器，情况被配置为接收来自液滴生成器的目标。目标包括处于等离子状态时发射EUV光的目标材料。该装置包括：第一结构，其包括第一壁；以及第二结构，其包括第二壁，该第二壁永久地接合到第一壁。内部区域至少部分地由第一壁和第二壁限定。第一壁包括第一金属化材料，并且第二壁包括第二金属化材料，该第二金属化材料具有与第一金属化材料不同的热导率。
[0019]实现方式可以包括以下特征中的一个或多个。
[0020]EUV光源可以进一步包括光源，该光源被配置为产生光脉冲，该光脉冲具有足以将目标中的目标材料中的至少一些转换成等离子体状态的能量，在该等离子体状态中，目标材料发射EUV光。
[0021]该至少一个装置可以是目标材料储槽，该目标材料储槽被配置为在内部区域中保持目标材料。目标供应系统可以进一步包括至少一个阀。该至少一个阀可以被配置为将目标材料储槽的内部区域与液滴生成器流体连接或流体断开。
[0022]该至少一个装置可以是连接组件。第一结构可以至少包括第一端口，并且第二结构可以至少包括第二端口。第一端口和第二端口可以彼此流体连通。目标供应系统可以进一步包括：外部设备，其耦合到第二端口；以及贮存器，其耦合到第一端口。贮存器可以被配置为将目标材料保持在内腔中并且可以流体耦合到液滴生成器。连接组件可以被配置为在
外部设备和贮存器之间提供流体路径。外部设备可以是真空系统或气体供应系统。
[0023]在另一个方面，一种用于EUV光源的目标供应系统包括：液滴生成器，其被配置为产生目标流；以及至少一个包括内部区域的装置，其被配置为流体耦合到液滴生成器。目标包括处于等离子状态时发射EUV光的目标材料。该装置包括：第一结构，其包括第一壁；以及第二结构，其包括第二壁，该第二壁永久地接合到第一壁。内部区域至少部分地由第一壁和第二壁限定。第一壁包括第一金属化材料，并且第二壁包括第二金属化材料，该第二金属化材料具有与第一金属化材料不同的热导率。
[0024]实现方式可以包括以下特征中的一个或多个。
[0025]该至少一个装置可以是目标材料储槽，该目标材料储槽被配置为在内部区域中保持目标材料。
[0026]目标供应系统可以进一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于极紫外(EUV)光源的装置，所述装置包括：主体，包括：第一结构，包括第一壁；以及第二结构，包括第二壁，所述第二壁永久地接合到所述第一壁，其中所述主体的内部至少部分地由所述第一壁和所述第二壁限定，所述第一壁包括第一金属化材料，并且所述第二壁包括第二金属化材料，所述第二金属化材料具有与所述第一金属化材料不同的热导率，并且其中所述主体的所述内部被配置为流体连接到所述EUV光源的目标供应系统。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一壁的第一端和所述第二壁的第二端在钎焊接口处永久地接合。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属化材料包括钼(Mo)，并且所述第二金属化材料包括不锈钢。4.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：温度控制系统，被配置为控制所述第一壁和所述第二壁中的至少一者的温度。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述温度控制系统包括：加热系统，被配置为热耦合到所述第一壁；以及冷却系统，被配置为热耦合到所述第二壁，其中所述第二金属化材料的所述热导率低于所述第一金属化材料的所述热导率。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二金属化材料的所述热导率低于所述第一金属化材料的所述热导率，所述第一壁从第一端延伸到第二端，所述第二壁从第一端延伸到第二端，所述第一壁的所述第一端钎焊到所述第二壁的所述第二端，并且所述装置进一步包括：在所述第二壁的所述第一端处的O形环；以及可移除盖，被配置为保持在所述O形环处。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二金属化材料的所述热导率低于所述第一金属化材料的所述热导率，所述第一壁从第一端延伸到第二端，所述第二壁从第一端延伸到第二端，所述第一壁的第一端钎焊到所述第二壁的所述第二端，并且所述装置进一步包括：至少一个端口，从所述第二壁延伸，所述至少一个端口包括所述第二金属化材料。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二金属化材料包括不锈钢。9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属化材料包括第一热膨胀系数，并且所述第二金属化材料包括第二热膨胀系数。10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一壁的外侧永久地接合到所述第二壁的内侧。11.根据权利要求1所述的装置，其中所述主体进一步包括：第三结构，包括第三壁，所述第三壁包括内表面和外表面；以及其中所述第三壁的所述内表面永久地接合到所述第二壁的外表面，并且所述第三壁包括所述第二金属化材料。12.根据权利要求11所述的装置，进一步包括：
温度控制系统，被配置为控制所述第一壁、所述第二壁和所述第三壁中的至少一者的温度，并且其中所述第二金属化材料的所述热导率低于所述第一金属化材料的所述热导率。13.根据权利要求12所述的装置，其中所述温度控制系统包括：加热系统，被配置为热耦合到所述第一壁；以及冷却系统，被配置为热耦合到所述第二壁和所述第三壁，其中所述第三壁在所述第二壁和所述冷却系统之间。14.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置是目标材料储槽，所述目标材料储槽被配置为将目标材料保持在所述主体的所述内部，所述目标材料在处于等离子体状态时发射EUV光。15.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置是连接组件，所述第一结构至少包括第一端口，所述第二结构至少包括第二端口，并且所述第一端口和所述第二端口彼此流体连...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：