【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于空芯光纤的宽带辐射产生器，并且具体地涉及与集成电路制造中的量测应用有关的此类宽带辐射产生器。
技术介绍
1、光刻设备是构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路（ic）。光刻设备可以例如将图案形成装置（例如，掩模）处的图案（通常也称为“设计布局”或“设计”）投影至设置于衬底（例如，晶片）上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。
2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。此辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型波长为365 nm（i线）、248 nm、193nm和13.5 nm。相比于使用例如具有193 nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有处于4 nm至20 nm的范围内的波长（例如，6.7 nm或13.5 nm）的极紫外（euv）辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
3、低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在此工艺中，可以将分辨率公式表达为cd = k1×λ/na，其中，λ为所使用的辐射的波长，na...
【技术保护点】
1.一种源装置，所述源装置被配置为用于产生宽带辐射输出并且所述源装置包括：
2.根据权利要求1所述的源装置，其中，气体混合物的气体组成物被优化，以使所述气体混合物的所述最优声学抑制频率匹配所述泵浦辐射的所述重复率。
3.根据权利要求1或2所述的源装置，其中，所述泵浦辐射的所述重复率被调谐以匹配所述气体混合物的所述最优声学抑制频率。
4.根据权利要求1或2所述的源装置，其中，所述泵浦辐射的所述重复率被优化以使所述泵浦辐射的所述重复率不匹配所述空芯光子晶体光纤的内包层结构的所述声学共振频率中的任何声学共振频率。
5.一种源装...
【技术特征摘要】
1.一种源装置，所述源装置被配置为用于产生宽带辐射输出并且所述源装置包括：
2.根据权利要求1所述的源装置，其中，气体混合物的气体组成物被优化，以使所述气体混合物的所述最优声学抑制频率匹配所述泵浦辐射的所述重复率。
3.根据权利要求1或2所述的源装置，其中，所述泵浦辐射的所述重复率被调谐以匹配所述气体混合物的所述最优声学抑制频率。
4.根据权利要求1或2所述的源装置，其中，所述泵浦辐射的所述重复率被优化以使所述泵浦辐射的所述重复率不匹配所述空芯光子晶体光纤的内包层结构的所述声学共振频率中的任何声学共振频率。
5.一种源装置，所述源装置被配置为用于产生宽带辐射输出并且所述源装置包括：
6.根据权利要求1、2和5中任一项所述的源装置，其中，所述气体混合物包括至少一种第一气体及至少一种第二气体，其中，所述至少一种第一气体被配置为用于产生宽带辐射，并且所述至少一种第二气体被配置为提高所述气体混合物的热导率和/或提供对在宽带辐射的所述产生期间引发的冲击波的声学抑制，此外其中，所述气体混合物包括不超过百万分之十...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·阿布多尔万德，克里斯蒂安·博格丹·克雷斯，安娜·埃泽斯卡娅，法尼·库马尔·多马拉帕雷，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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