用于光学系统的抑制剂物质技术方案

一种极紫外(EUV)光源，包括：容器，被配置为接收靶材料，该靶材料在处于等离子体态时发射EUV光；输送系统，被配置为将自由基输送到容器的内部；物体，在容器的内部中；以及抑制剂物质。在操作使用中，物体积聚包括靶材料的碎屑，自由基与碎屑中的至少一些碎屑反应以从物体去除碎屑，并且抑制剂物质抑制自由基在物体上的复合。的复合。的复合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光学系统的抑制剂物质
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年11月27日提交的标题为“INHIBITOR SUBSTANCE FOR AN OPTICAL SYSTEM”的美国申请No.62/941,518的优先权，该美国申请通过引用被整体并入本文中。


[0003]本公开涉及用于光学系统的抑制剂物质。光学系统可以是例如极紫外(EUV)光源。

技术介绍

[0004]碎屑可能积聚在光学系统中的物体上。在一些情况下，可以通过使碎屑与自由基反应来去除碎屑。光学系统可以是EUV光源。EUV光可以是例如具有100纳米(nm)或更小的波长的电磁辐射(有时也称为软x射线)，并且具有例如20nm或更小、在5和20nm之间、或在13和14nm之间的波长的光，可以用于光刻工艺中，以通过在抗蚀剂层中引发聚合而在例如硅晶片的衬底中产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不必限于：在等离子体态下将包括例如氙、锂或锡的元素的材料转换为EUV范围内的发射线。在一种这样的方法中，通常称为产生激光的等离子体(LPP)，所需的等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种极紫外(EUV)光源，包括：容器，被配置为接收靶材料，所述靶材料在处于等离子体态时发射EUV光；输送系统，被配置为将自由基输送到所述容器的内部；物体，在所述容器的内部中；以及抑制剂物质，其中，在操作使用中，所述物体积聚碎屑，所述碎屑包括所述靶材料，所述自由基与所述碎屑中的至少一些碎屑反应以从所述物体去除所述碎屑，并且所述抑制剂物质抑制所述自由基在所述物体上的复合。2.根据权利要求1所述的EUV光源，其中所述抑制剂物质包括固相抑制剂物质。3.根据权利要求2所述的EUV光源，其中所述固相抑制剂物质是在所述容器的内部中的所述物体的部分。4.根据权利要求3所述的EUV光源，其中所述固相抑制剂物质遍布于所述物体。5.根据权利要求2所述的EUV光源，其中所述固相抑制剂物质在所述物体的表面上。6.根据权利要求5所述的EUV光源，其中所述抑制剂物质占据所述表面上的催化位点。7.根据权利要求5所述的EUV光源，其中所述固相抑制剂物质延伸到所述物体的主体区域中。8.根据权利要求7所述的EUV光源，其中所述固相抑制剂物质从所述表面延伸到所述物体的所述主体区域中不超过约1微米(μm)。9.根据权利要求2所述的EUV光源，其中所述物体包括光学元件。10.根据权利要求9所述的EUV光源，其中所述物体包括反射式光学元件。11.根据权利要求2所述的EUV光源，其中所述物体包括所述容器的金属内壁。12.根据权利要求11所述的EUV光源，其中所述内壁包括不锈钢、钼、磷镍、铜或铝。13.根据权利要求2所述的EUV光源，其中所述自由基包括氢自由基；所述靶材料包括锡；并且所述抑制剂物质包括砷、锑、铋、硫、硒、碲、铍或氰化物。14.根据权利要求2所述的EUV光源，其中所述抑制剂物质还包括气相抑制剂物质。15.根据权利要求1所述的EUV光源，其中所述抑制剂物质包括气相抑制剂物质。16.根据权利要求1所述的EUV光源，其中所述输送系统还被配置为将所述气相抑制剂物质输送至所述容器的内部。17.根据权利要求16所述的EUV光源，其中所述输送系统被配置为将所述气相抑制剂物质输送至所述物体。18.根据权利要求17所述的EUV光源，其中所述气相抑制剂结合到所述物体的表面上的催化位点。19.根据权利要求15所述的EUV光源，其中所述气相抑制剂包括硫化氢或砷。20.根据权利要求1所述的EUV光源，其中所述物体包括在外表面上的涂层，并且所述抑制剂物质处于所述涂层中。21...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：