收集器流动环制造技术

提供了用于收集器流动环(CFR)壳体的系统、设备和方法，收集器流动环(CFR)壳体被配置为减轻燃料碎屑在极紫外(EUV)辐射系统中的积聚。示例CFR壳体可以包括多个喷头流动通道出口，该多个喷头流动通道出口被配置为在CFR壳体的等离子体面向的表面的多个部分之上输出多个第一气态流体流动。示例CFR壳体还可以包括檐槽清洗流动通道出口，该檐槽清洗流动通道出口被配置为在CFR壳体的燃料碎屑接收表面之上输出第二气态流体流动。示例CFR壳体还可包括被配置为支持护罩组装件的护罩安装结构、被配置为输送流体的冷却流动通道、以及被配置为接纳多个光学量测管的多个光学量测端口。接纳多个光学量测管的多个光学量测端口。接纳多个光学量测管的多个光学量测端口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】收集器流动环
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年12月23日提交的题为“COLLECTOR FLOW RING”的美国申请No.62/953,067的优先权；并且还要求于2020年2月5日提交的题为“COLLECTOR FLOW RING”的美国申请No.62/970，497的优先权，这两个申请通过引用被整体并入本文中。


[0003]本公开涉及用于极紫外(EUV)辐射系统的收集器和收集器流动环。

技术介绍

[0004]光刻设备是将所需图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(或者被称为掩模或掩模板)可以用于生成要在IC的单个层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干个裸片的部分)上。图案的转移通常经由成像到被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(扫描方向)上通过辐射束扫描图案同时同步地平行或反平行于(即反向于)该扫描方向扫描目标部分来辐射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底。
[0005]极紫外(EUV)光(例如，具有约50纳米(nm)或更小波长的电磁辐射(有时也被称为软X射线)，并且包括波长为大约13nm的光)可以被用于光刻装置中或与光刻装置一起使用，以在衬底(例如硅晶片)中或上产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不一定限于将包括具有在EUV范围内的发射线的元素(例如氙(Xe)、锂(Li)或锡(Sn))的材料转换为等离子态。例如，在一种被称为激光产生的等离子体(LPP)的此类方法中，可以利用可以被称为驱动激光的经放大光束通过辐射靶材料来产生等离子体，该靶材料在LPP源的上下文中可互换地被称为燃料(例如以材料的微滴、板、带、流或簇的形式)。对于此过程，等离子体通常在密封容器(例如真空室)中产生，并且使用各种类型的量测装备进行监测。
[0006]在传统的锡基辐射源容器内，许多功能(诸如保护性氢气(H2)，热屏蔽和精确的护罩安装)也必须允许量测视场(FOV)和微滴路径间隙，同时防止锡积聚。目前，有许多单独的模块用于单独地解决这些问题中的每个问题。例如，有源热屏蔽吸收不需要的热通量，周边流动环和收集器模块提供护罩安装和周边H2流动，并且这些模块内的切口允许量测FOV和偏转杂散光。然而，在这种传统辐射源容器上没有硬件在流动叶片下方提供喷头流动。此外，没有办法将(i)单个模块或(ii)修改添加到允许增加喷头流动保护的当前模块。

技术实现思路

[0007]本公开描述了用于制造和使用收集器流动环(CFR)壳体的系统、设备和方法的各
个方面，该收集器流动环(CFR)壳体被配置为：减轻燃料碎屑的积聚，移除热量，并且在极紫外(EUV)辐射系统中提供光学量测和各个其他方面。
[0008]在一些方面，本公开描述了一种CFR壳体，该CFR壳体被配置为减轻燃料碎屑在EUV辐射系统中的积聚。该CFR壳体可以包括多个喷头流动通道出口，该多个喷头流动通道出口被配置为在CFR壳体的等离子体面向的表面的多个部分之上输出多个第一气态流体流动。该CFR壳体可以还包括檐槽清洗流动通道出口，该檐槽清洗流动通道出口被配置为在CFR壳体的燃料碎屑接收表面之上输出第二气态流体流动。该CFR壳体可以还包括护罩安装结构，该护罩安装结构被配置为支持护罩组装件。CFR壳体可以还包括冷却流动通道，该冷却流动通道被配置为输送流体，该流体被配置为在EUV辐射系统的EUV辐射生成操作期间从CFR壳体的至少一部分移除热量。CFR壳体可以还包括多个光学量测端口，该多个光学量测端口被配置为接纳多个光学量测管。
[0009]在一些方面，多个喷头流动通道出口、檐槽清洗流动通道出口、和多个光学量测端口被设置在收集器流动环壳体的主体中，即被形成在该主体中，该主体可以是单件材料。
[0010]在一些方面，本公开描述了一种EUV辐射源。该EUV辐射源可以包括激光源，该激光源被配置为生成光学脉冲，该光学脉冲被配置为在照射位置处照射燃料材料，在该照射位置处被照射的燃料材料被配置为生成等离子体，该等离子体被配置为发射EUV辐射。EUV辐射源可以还包括燃料源，该燃料源被配置为将燃料材料递送到照射位置。EUV辐射源可以还包括CFR壳体，该CFR壳体包括多个喷头流动通道出口，该多个喷头流动通道出口被配置为在CFR壳体的等离子体面向的表面的多个部分之上输出多个第一气态流体流动。该CFR壳体可以还包括檐槽清洗流动通道出口，该檐槽清洗流动通道出口被配置为在CFR壳体的燃料碎屑接收表面之上输出第二气态流体流动。该CFR壳体可以还包括护罩安装结构，该护罩安装结构被配置为支持护罩组装件。该CFR壳体可以还包括冷却流动通道，该冷却流动通道被配置为输送液体流体，该液体流体被配置为在EUV辐射系统的EUV辐射生成操作期间从CFR壳体的至少一部分移除热量。该CFR壳体可以还包括多个光学量测端口，该多个光学量测端口被配置为接纳多个光学量测管。EUV辐射源可以还包括控制器，该控制器被配置为生成第一控制信号，该第一控制信号被配置为指示激光源生成光学脉冲。该控制器还可以被配置为生成第二控制信号，该第二控制信号被配置为指示燃料源递送燃料材料。控制器还可以被配置为生成第三控制信号，该第三控制信号被配置为指示气态流体源控制多个第一气态流体流动从多个喷头流动通道出口的输出。第三控制信号还可以被配置为指示气态流体源控制第二气态流体流动从檐槽清洗流动通道出口的输出。控制器还可以被配置为生成第四控制信号，该第四控制信号被配置为指示液体流体源控制液体流体在冷却流动通道中的输送。
[0011]在一些方面，本公开描述了一种用于制造CFR壳体的方法，该CFR壳体被配置为减轻燃料碎屑在极紫外(EUV)辐射系统中的积聚。该方法可以包括形成多个喷头流动通道出口，该多个喷头流动通道出口被配置为在CFR壳体的等离子体面向的表面的多个部分之上输出多个第一气态流体流动。该方法可以还包括形成檐槽清洗流动通道出口，该檐槽清洗流动通道出口被配置为在CFR壳体的燃料碎屑接收表面之上输出第二气态流体流动。该方法可以还包括形成护罩安装结构，该护罩安装结构被配置为支持护罩组装件。该方法可以还包括形成冷却流动通道，该冷却流动通道被配置为输送流体，该流体被配置为在EUV辐射
系统的EUV辐射生成操作期间从CFR壳体的至少一部分移除热量。该方法可以还包括形成多个光学量测端口，该多个光学量测端口被配置为接纳多个光学量测管。
[0012]下面参考附图详细描述其他特征以及各个方面的结构和操作。应注意，本公开不限于本文所述的具体方面。本文仅出于说明目的而呈现此类方面。基于本文所包含的教导，额外的方面将对于相关领域的技术人员而言是明显的。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种收集器流动环壳体，所述收集器流动环壳体被配置为减轻燃料碎屑在极紫外(EUV)辐射系统中的积聚，所述收集器流动环壳体包括：多个喷头流动通道出口，被配置为：在所述收集器流动环壳体的等离子体面向的表面的多个部分之上输出多个第一气态流体流动；檐槽清洗流动通道出口，被配置为：在所述收集器流动环壳体的燃料碎屑接收表面之上输出第二气态流体流动；护罩安装结构，被配置为支持护罩组装件；冷却流动通道，被配置为输送流体，所述流体被配置为在所述EUV辐射系统的EUV辐射生成操作期间从所述收集器流动环壳体的至少一部分移除热量；以及多个光学量测端口，被配置为接纳多个光学量测管。2.根据权利要求1所述的收集器流动环壳体，其中：所述多个喷头流动通道出口被配置为：流体地联接到气态流体腔室；所述檐槽清洗流动通道被配置为：流体地联接到所述气态流体腔室；以及所述气态流体腔室被配置为：在所述多个第一气态流体流动和所述第二气态流体流动之间产生小于约5％的气态流体流动的总体不均匀性。3.根据权利要求1所述的收集器流动环壳体，其中所述多个喷头流动通道出口、所述檐槽清洗流动通道出口和所述多个光学量测端口被设置在形成所述收集器流动环壳体的主体的单件材料中。4.根据权利要求3所述的收集器流动环壳体，还包括减重腔，所述减重腔被形成在所述收集器流动环壳体的所述主体中，并且被配置为：减小所述收集器流动环壳体的总质量；以及修改所述收集器流动环壳体的重心。5.根据权利要求1所述的收集器流动环壳体，还包括多个热量测通道，所述多个热量测通道被配置为支持多个热量测装置。6.根据权利要求1所述的收集器流动环壳体，还包括多个收集器导轨安装结构，所述多个收集器导轨安装结构被配置为附接到多个收集器导轨。7.根据权利要求1所述的收集器流动环壳体，其中所述收集器流动环壳体包括铝(Al)。8.根据权利要求1所述的收集器流动环壳体，还包括选自由以下项构成的组的至少一种材料的涂层：氮化钛(TiN)、锡(Sn)和镍(Ni)。9.一种极紫外(EUV)辐射源，包括：激光源，被配置为生成光学脉冲，所述光学脉冲被配置为在照射位置处照射燃料材料，在所述照射位置处被照射的所述燃料材料被配置为生成发射EUV辐射的等离子体；燃料源，被配置为将所述燃料材料递送到所述照射位置；收集器流动环壳体，包括：多个喷头流动通道出口，被配置为：在所述收集器流动环壳体的等离子体面向的表面的多个部分之上输出多个第一气态流体流动，檐槽清洗流动通道出口，被配置为：在所述收集器流动环壳体的燃料碎屑接收表面之上输出第二气态流体流动，护罩安装结构，被配置为支撑护罩组装件，以及
冷却流动通道，被配置为输送液体流体，所述液体流体被配置为在所述EUV辐射系统的EUV辐射生成操作期间从所述收集器流动环壳体的至少一部分移除热量。10.根据权利要求9所述的EUV辐射源，还包括：多个光学量测端口，被配置为接纳多个光学量测管；以及控制器，被配置为：生成第一控制信号，所述第一控制信号被配置为指示所述激光源生成所述光学脉冲，生成第二控制信号，所述第二控制信号被配置为指示所述燃料源递送所述燃料材料，生成第三控制信号，所述第三控制信号被配置为指示气态流体源控制所述多个第一气态流体流动从所述多个喷头流动通道出口的输出，其中所述第三控制信号还被配置为指示所述气态流体源控制所述第二气态流体流动从所述檐槽清洗流动通道出口的输出，以及生成第四控制信号，所述第四控制信号被配置为指示液体流体源控制所述液体流体在所述冷却流动通道中的输送。11.根据权利要求10所述的EUV辐射源，其中：所述多个喷头流动通道出口...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：