用于确定视场设定的方法技术

本文中披露一种确定用于具有可配置的视场FOV的检查工具的视场设定的方法，该方法包括：获得衬底的至少一部分上的特征的工艺裕度分布；获得阈值；依赖于所获得的工艺裕度分布和阈值来识别衬底的至少一部分上的一个或更多个区；以及依赖于识别的所述一个或更多个区来确定视场设定。来确定视场设定。来确定视场设定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于确定视场设定的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年10月8日递交的欧洲申请19201911.5和2019年11月18日递交的欧洲申请19209797.0的优先权，上述欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本文中的描述涉及可以在衬底上制造的半导体结构上执行的制造、测试、测量和其他工艺，并且更具体地涉及用于依赖于结构的特征的图像来改善工艺中的任一个的方法、非瞬时计算机可读介质和系统。

技术介绍

[0004]光刻投影设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包含或提供对应于IC的单独的层的电路图案(“设计布局”)，并且可以依靠诸如通过图案形成装置上的电路图案而照射衬底(例如，硅晶片)上的已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)的方法将此电路图案转移至所述目标部分上。通常，单个衬底包含多个相邻的目标部分，电路图案由光刻投影设备以一次一个目标部分的方式连续转移至所述多个相邻的目标部分。在一种类型的光刻投影设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种确定用于具有可配置的视场FOV的检查工具的视场设定的方法，所述方法包括：获得衬底的至少一部分上的特征的工艺裕度分布；获得阈值；依赖于所获得的工艺裕度分布和所述阈值来识别所述衬底的至少一部分上的一个或更多个区；以及依赖于识别的所述一个或更多个区来确定视场设定。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括确定取样方案，其中，确定所述取样方案包括以下各项中的一项或更多项：共同确定所述取样方案和视场设定；依赖于所述视场设定来确定所述取样方案；依赖于所述取样方案来确定所述视场设定；依赖于所述工艺裕度分布来确定所述取样方案；依赖于所述阈值来确定所述取样方案；以及依赖于识别的所述一个或更多个区来确定所述取样方案。3.根据权利要求2所述的方法，其中，确定取样方案包括确定以下各项中的一项或更多项：所使用的视场的数目；每个视场的位置；每个视场的尺寸；和利用由每个视场获得的图像执行的测量的密度。4.根据权利要求1所述的方法，其中，确定视场设定包括：确定视场的数目、每个视场的尺寸和/或每个视场的位置。5.根据权利要求1所述的方法，其中，每个视场的尺寸在每个视场的位置处是能够被配置的；以及确定使用视场的多于一个的尺寸。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述视场设定和/或取样方案是进一步依赖于与所述取样方案在所述衬底的所述至少一部分的一个或更多个区上的实施相关联的预期测量时间而被确定的，使得所确定的取样方案提供比测量所述衬底的所述至少一部分上的全部所述特征的取样方案更少的总测量时间。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺裕度分布包...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：