中空芯部光纤中的改进的宽带辐射生成制造技术

用于通过光谱展宽生成宽带辐射的辐射源组件和方法。所述组件包括泵浦源，被配置为以一个或多个波长发射经调制的泵浦辐射。所述组件还包括光纤，被配置为接收由所述泵浦源发射的所述经调制的泵浦辐射，所述光纤包括沿着所述光纤的长度的一部分延伸的中空芯部。所述中空芯部被配置为在通过所述光纤传播期间引导所述接收到的辐射。由所述泵浦源发射的所述辐射包括处于泵浦波长的第一辐射，并且所述泵浦源被配置为调制所述第一辐射以激发所述光纤中的光谱展宽。中的光谱展宽。中的光谱展宽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】中空芯部光纤中的改进的宽带辐射生成
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年9月18日提交的EP申请19198064.8和于2019年10月9日提交的EP申请19202163.2的优先权，其通过引用全部并入本文。


[0003]本专利技术涉及用于通过光谱展宽生成宽带辐射的方法、组件和设备。在具体的示例性布置中，本专利技术涉及激发中空芯部光纤内的辐射的光谱展宽。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如在图案形成装置(例如掩模)处将图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了可以被形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4至20nm范围内(例如6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于通过光谱展宽生成宽带辐射的辐射源组件，所述组件包括：泵浦源，被配置为以一个或多个波长发射经调制的泵浦辐射；光纤，被配置为接收由所述泵浦源发射的所述经调制的泵浦辐射，并且包括沿着所述光纤的长度的至少一部分延伸的中空芯部，所述中空芯部被配置为在通过所述光纤传播期间引导所述接收到的辐射，其中由所述泵浦源发射的所述辐射包括处于泵浦波长的第一辐射，并且其中所述泵浦源被配置为调制所述第一辐射以激发所述光纤中的光谱展宽。2.根据权利要求1所述的组件，其中所述泵浦源还包括：第一辐射源，被配置为生成所述第一辐射；和/或第二辐射源，被配置为以种子波长生成第二辐射，以调制所述第一辐射。3.根据权利要求2所述的组件，其中所述第一辐射和所述第二辐射被混合，以通过将所述第一辐射的至少一部分与所述第二辐射的至少一部分在空间上重叠来调制所述第一辐射以产生经调制的泵浦辐射，并且其中可选地，混合所述第一辐射和所述第二辐射包括：将所述第一辐射的至少一部分与所述第二辐射的至少一部分相干地重叠。4.根据权利要求2或3所述的组件，其中所述种子波长和所述泵浦波长满足用于四波混合的相位匹配条件。5.根据权利要求2至4中任一项所述的组件，其中所述种子辐射的强度不超过所述经调制的泵浦辐射的强度的15％。6.根据前述权利要求任一项所述的组件，其中所述泵浦源被配置为在所述时域中调制所述第一辐射，其中可选地，所述第一辐射源被配置为发射第一辐射脉冲，并且当所述第一辐射的强度高于阈值强度时，调制所述第一辐射脉冲。7.根据前述权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪永锋，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：