使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片技术方案

使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法，无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器，其中生成用于控制无掩模图案写入器曝光晶片以用于创建电子器件的束波控制数据。基于设计版图数据和选择数据生成束波控制数据，设计版图数据定义适用于要从晶片制造的电子器件的多个结构(例如，过孔)，选择数据定义设计版图数据的哪些结构适用于要从晶片制造的每个电子器件，选择数据定义用于电子器件的不同子集的结构的不同集合。根据束波控制数据对晶片的曝光导致针对电子器件的不同子集曝光具有结构的不同集合的图案。结构的不同集合的图案。结构的不同集合的图案。

【技术实现步骤摘要】
使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片
[0001]本申请是国际申请日为2017年9月8日、国际申请号为PCT/JP2017/033371、国家申请号为201780068908.8、专利技术名称为“使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片”的专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种制造方法，即制造诸如半导体芯片的电子器件的方法。更具体地，本专利技术涉及使用带电粒子多束波光刻机来制造独特芯片，其中芯片的独特性由芯片上的结构(诸如过孔结构)限定。因此，本专利技术同样涉及使用这种新的制造方法生产的独特芯片，以及所谓的“代工厂”，即应用这种新方法的制造设施，以及适用于执行改进的制造方法的无掩模光刻曝光系统。本专利技术进一步涉及用于产生束波控制数据的计算机实现的方法，束波控制数据用于控制无掩模图案写入器以曝光用于创建电子器件的晶片。本专利技术还涉及一种用于生成在束波控制数据的生成中使用的选择数据的计算机实现的方法。本专利技术进一步涉及与计算机实现的方法有关的数据处理系统、计算机程序产品和计算机可读存储介质。

技术介绍

>[0003]在半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法，所述无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器，所述方法包括：生成用于控制所述无掩模图案写入器曝光晶片，以用于创建所述电子器件的束波控制数据，其中所述束波控制数据基于以下项生成：设计版图数据，定义用于要从所述晶片制造的所述电子器件的多个结构，其中所述结构包括金属层之间的连接；以及选择数据，定义所述设计版图数据的所述结构中的哪些结构适用于要从所述晶片制造的每个电子器件，所述选择数据定义用于所述电子器件的不同子集的所述结构的不同集合，其中所述设计版图数据包括非共用设计版图数据，所述非共用设计版图数据定义适用于所述电子器件的某些电子器件的结构，从所述某些电子器件中根据所述选择数据可选择所述结构的不同集合，以使得所述电子器件独特，其中根据所述束波控制数据对所述晶片的曝光导致针对所述电子器件的不同子集曝光具有所述结构的不同集合的图案。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述设计版图数据包括：共用设计版图数据，定义适用于所有所述电子器件的结构。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述选择数据针对所述电子器件中的每个电子器件，指定所述束波控制数据是包括还是不包括定义在所述设计版图数据中所定义的所述结构中的一个或多个结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：