图案形成装置制造方法及图纸

一种被配置用于光刻设备的图案形成装置，所述光刻设备被配置为使用辐射经由投影光学器件将所述图案形成装置的图案成像到衬底上。所述图案形成装置包括：第一部件，用于反射和/或透射所述辐射；以及第二部件，覆盖所述第一部件的表面的至少部分，并且被配置为至少部分地吸收入射到所述第二部件上的所述辐射。所述第二部件包括侧壁，其中所述侧壁的至少部分以一角度从所述第一部件延伸离开第一部分，所述角度是相对于平行于所述第一部件的所述表面的平面的，并且其中所述角度小于85度。并且其中所述角度小于85度。并且其中所述角度小于85度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案形成装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年5月2日提交的EP申请19172160.4的优先权，其通过引用全部并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种图案形成装置。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够被用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如掩模)处的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影在衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了能够被形成在衬底上的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用波长在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。
[0006]在光刻设备中使用标准衰减相移图案形成装置可能会导致仅相对较小百分比的辐射强度被衍射为在光刻设备的数值孔径(NA)内的衍射阶。由于这个原因，相对较高百分比的辐射损失，并且这增加了期望剂量。因此，可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种被配置用于光刻设备的图案形成装置，所述光刻设备被配置为使用辐射经由投影光学器件将所述图案形成装置的图案成像到衬底上，所述图案形成装置包括：第一部件，用于反射和/或透射所述辐射，以及第二部件，覆盖所述第一部件的表面的至少部分，并且被配置为至少部分地吸收入射到所述第二部件上的所述辐射，其中所述第二部件包括侧壁，其中所述侧壁的至少一部分以一角度从所述第一部件延伸，所述角度是相对于平行于所述第一部件的所述表面的平面的，并且其中所述角度小于85度。2.根据权利要求1所述的图案形成装置，其中所述侧壁的所述至少一部分是所述侧壁的实质部分。3.根据任何前述权利要求任一项所述的图案形成装置，其中所述至少一部分是所述侧壁的大半部分。4.根据任何前述权利要求任一项所述的图案形成装置，其中所述侧壁在所述侧壁的大致中间点处以所述角度从所述第一部件延伸离开所述第一部件。5.根据任何前述权利要求任一项所述的图案形成装置，其中所述侧壁在所述侧壁的远离所述第一部件的所述大致最远点处具有所述角度。6.根据任何前述权利要求任一项所述的图案形成装置，其中在所述侧壁的远离所述第一部件的所述大致最远点处，所述侧壁具有曲线形状。7.根据权利要求6所述的图案形成装置，其中所述曲线是正弦曲线。8.根据任何前...

【专利技术属性】
技术研发人员：玛丽亚克莱尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：