用于形成图案化材料层的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开用于形成图案化材料层的方法和装置。在一个布置中，衬底的表面的选定部分在沉积过程期间被照射，所述照射在所述选定部分中局部驱动所述沉积过程，并且由此在由所述选定部分限定的图案中形成沉积材料层。对所述沉积材料进行退火以改变所述沉积材料。沉积材料进行退火以改变所述沉积材料。沉积材料进行退火以改变所述沉积材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成图案化材料层的方法和装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年4月12日提交的EP申请19168949.6和于2019年6月4日提交的EP申请19178048.5以及于2019年12月12日提交的EP申请19215592.7的优先权，这些申请通过引用被整体并入本文中。


[0003]本专利技术涉及用于形成图案化材料层的方法和装置。

技术介绍

[0004]由于半导体制造过程持续升级，电路元件的尺寸已持续被降低，同时每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量已稳定增加，遵循通常称为
‘
摩尔定律
’
的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正寻求实现越来越小的特征的创建的技术。
[0005]存在各种沉积技术以用于制造二维材料。这些沉积技术包括例如化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)。作为半导体制造过程的部分，使用这些沉积技术来形成器件结构(诸如电路元件)受到关注。挑战在于，沉积技术通常需要高温来有效地工作。高温可退化或损害先前所沉积层和/或限制可使用的先前所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成图案化材料层的方法，包括：在沉积过程期间照射衬底的表面的选定部分，所述照射在所述选定部分中局部驱动所述沉积过程，并且由此在由所述选定部分限定的图案中形成沉积材料层；以及对所述沉积材料进行退火以改变所述沉积材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积过程被配置为形成单层。3.根据权利要求2所述的方法，其中用于驱动所述沉积过程的照射和用于退火的照射按顺序执行，并且所述顺序被重复以在所述选定部分中逐渐构建所述沉积材料的多个单层。4.根据权利要求1所述的方法，其中对所述沉积材料的退火包括：第一步骤，在所述第一步骤中所述衬底的全部被预热到高于室温的目标温度；以及第二步骤，在所述第一步骤之后，在所述第二步骤中所述衬底的选定局部区域被加热到高于所述目标温度的温度，所述选定局部区域小于整个衬底。5.根据权利要求1所述的方法，其中：第一辐射源被用来提供用于驱动所述沉积过程的照射；第二辐射源被用来对所述沉积材料进行退火；以及所述第一辐射源不同于所述第二辐射源。6.根据权利要求1所述的方法，其中相同辐射源在不同时间被用来提供用于驱动所述沉积过程的照射和用于对所述沉积材料进行退火的照射。7.根据权利要求6所述的方法，其中用于驱动所述沉积过程的照射与用于对所述沉积材料进行退火的照射相比以更精细的空间分辨率来执行。8.根据权利要求6所述的方法，其中用于驱动所...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：