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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
物体定位系统、诊断和校准方法、定位控制方法、光刻设备和器件制造方法技术方案
本发明涉及一种物体定位系统,包括:致动器系统;和测量系统,其中致动器系统包括由主要具有电致伸缩特性并且在没有电场的情况下基本没有净极化的材料制成的致动器,其中致动器系统被配置为向致动器施加电场,该电场包括偏置电场和叠加在偏置电场上的致动...
用于多束带电粒子检查系统的图像增强的系统和方法技术方案
与本文公开一致的实施例包括用于多束带电粒子检查系统的图像增强的方法。与本公开一致的系统和方法包括分析代表第一图像和第二图像的信号信息,其中第一图像与一组束中的第一束相关联,并且第二图像与一组束中的第二束相关联;基于分析,检测第一束和第二...
控制极紫外光源中的转换效率制造技术
一种极紫外(EUV)光源包括:真空容器;向真空容器的内部供应靶标的靶标材料供应系统,靶标包括在初始靶标区域处具有初始形状的第一靶标;被配置为向第一靶标区域提供第一光束的第一光源,第一光束被配置为修改初始靶标的初始形状;以及被配置为向第二...
用于预测衬底图像的方法和设备技术
本文中描述了一种用于训练机器学习模型的方法,所述机器学习模型被配置成预测对应于如经由量测工具所测量的衬底的印制图案的衬底图像,所述方法包括:获得训练数据集合,所述训练数据集合包括(i)用于对所述衬底的所述印制图案进行测量的所述量测工具的...
辐射系统技术方案
一种辐射系统,被配置为产生辐射并且包括液滴发生器(3)、激光系统和控制系统,液滴发生器(3)被配置为产生朝向等离子体形成区域行进的燃料液滴,激光系统操作以生成预脉冲(PP)和主脉冲(MP),其中预脉冲被配置为调节液滴以接收主脉冲,并且其...
EUV辐射源和相关方法技术
一种激光产生等离子体类型的EUV辐射源包括:被配置为产生燃料微滴的燃料发射器;以及被配置为利用辐射照射燃料微滴以在等离子体形成区域处将燃料微滴转换为等离子体的激光系统;其中激光系统包括:被配置为产生第一波长的辐射的激光器;以及非线性介质...
用于EUV光刻的表膜制造技术
一种用于制造用于EVU光刻的表膜的方法,所述方法包括:将牺牲层沉积到衬底上;蚀刻掉所述衬底的部分,以暴露所述牺牲层的部分;将芯层沉积到所述牺牲层上,所述芯层在制造后形成所述表膜的隔膜的芯部分;以及蚀刻掉所述牺牲层的部分,以暴露所述芯层的...
光刻设备和相关方法技术
一种设备,包括:位置监测系统,所述位置监测系统被配置成确定衬底相对于投影系统的位置,所述投影系统被配置成将辐射束投影通过所述投影系统中的开口并投影到衬底上,其中所述位置监测系统的部件在使用时位于所述投影系统下方;以及挡板,所述挡板被设置...
具有单束模式的多束检查设备制造技术
公开了一种支持多种操作模式的多束检查设备。支持多种操作模式的用于检查样品的带电粒子束设备包括被配置为沿着主光轴发射带电粒子束的带电粒子束源、在第一位置与第二位置之间能够移动的可移动孔板、以及控制器,控制器具有电路系统并且被配置为改变该设...
测量对准标记或对准标记组件的方法、对准系统和光刻工具技术方案
本发明提供了一种测量对准标记或对准标记组件的方法,其中对准标记包括在至少两个方向上延伸的网格特征,该方法包括:使用对准标记或对准标记组件的预期地点来测量对准标记或对准标记组件;确定对准标记或对准标记组件在第一方向上的第一位置;确定对准标...
用于多射束检查装置中的次级射束的对准的系统和方法制造方法及图纸
公开了一种包括可调射束分离器的多射束检查装置。可调射束分离器被配置为改变次级粒子射束的路径。可调射束分离器包括第一维恩过滤器和第二维恩过滤器。两个维恩过滤器都与初级光学轴线对准。第一维恩过滤器和第二维恩过滤器是分别经由第一激励输入和第二...
确定衬底上的计量点的集合的方法、关联的装置和计算机程序制造方法及图纸
一种确定计量点位置的集合的方法,所述集合包括衬底上的潜在计量点位置的子集;其中所述方法包括:使用现有知识确定与多个所述潜在计量点位置相关联的噪声分布之间的关系;并且使用所确定的关系和与所述衬底相关联的模型来确定所述集合。来确定所述集合。...
频率拓宽装置和方法制造方法及图纸
一种装置(100),用于接收输入辐射(108)并且拓宽输入辐射的频率范围以便提供宽频带输出辐射(110)。该装置包括光纤(102),其中光纤(102)可以包括用于引导辐射传播通过光纤(102)的空芯(104)。装置(100)还包括用于在...
控制光刻装置的方法和相关装置制造方法及图纸
公开了一种用于配置用于向衬底上的层提供结构的装置的方法,该方法包括:获取第一数据,该第一数据包括在结构到衬底上的层的提供之前测量和/或建模的衬底特定数据;以及针对至少两个不同控制方案基于上述第一数据和包括与至少两个控制方案相关联的参数的...
投影系统和包括所述投影系统的光刻设备技术方案
公开了一种用于光刻设备的投影系统,该投影系统包括:被配置为沿路径引导束的多个光学元件、以及被配置为接收指示多个光学元件中的第一光学元件的变形的输入信号的控制系统。多个光学元件可以被配置为将束定位到布置在物体支撑件上的物体上,并且图案可以...
量测图像与设计之间的模拟辅助的对准制造技术
一种方法包括:使用设计布局的特性和图案化过程的特性来模拟图像或图像的特性;确定所述图像或图像的特性与所述设计布局或设计布局的特性之间的偏差;基于所述偏差使从经图案化的衬底获得的量测图像与所述设计布局对准,其中所述经图案化的衬底包括使用图...
提供目标至极紫外光源的目标区域的方法技术
向真空室的内部提供第一目标,朝向第一目标引导第一光束以从第一目标的目标材料形成第一等离子体,第一等离子体与沿着第一发射方向从第一目标发射的粒子和辐射的方向通量相关联,第一发射方向由第一目标的定位确定;向真空室的内部提供第二目标;并且朝向...
用于机器学习辅助的光学邻近效应误差校正的训练方法技术
本文描述的是一种确定用于训练机器学习模型以预测光学邻近效应校正的代表图案的方法。所述方法包括:获得包括一组图案群组的设计布局,每个图案群组包括一个或更多个子群组;确定所述一组图案群组中的一组代表图案,所述代表图案是其实例出现于所述一组图...
用于控制光刻系统的方法技术方案
一种光刻系统,包括辐射源和光刻设备。辐射源将辐射提供至光刻设备。光刻设备使用辐射将图案成像至位于半导体衬底上的光致抗蚀剂层上的多个目标区域上。成像需要预定剂量的辐射。该系统被控制为根据预定剂量的量值来设定辐射的功率水平。辐射的功率水平。...
量测方法和设备、计算机程序和光刻系统技术方案
公开了一种用于量测的方法、计算机程序和相关联的设备。该方法包括确定衬底或衬底部分是否受到工艺效应。该方法包括:获取检查数据,检查数据包括与衬底或其一部分上的结构相关联的多组测量数据;例如测量光瞳;以及获取指纹数据,指纹数据描述感兴趣参数...
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