控制光刻装置的方法和相关装置制造方法及图纸

公开了一种用于配置用于向衬底上的层提供结构的装置的方法，该方法包括：获取第一数据，该第一数据包括在结构到衬底上的层的提供之前测量和/或建模的衬底特定数据；以及针对至少两个不同控制方案基于上述第一数据和包括与至少两个控制方案相关联的参数的共同评价函数的使用来确定该装置的配置。价函数的使用来确定该装置的配置。价函数的使用来确定该装置的配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制光刻装置的方法和相关装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年3月22日提交的EP申请19164702.3和于2019年7月11日提交的EP申请19185785.3的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及用于在光刻处理中将图案施加到衬底的方法和装置。

技术介绍

[0004]光刻装置是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以使用图案化设备(替代地称为掩模或掩模版)生成要形成在IC的个体层上的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来照射每个目标部分，同时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于配置用于向衬底上的层提供结构的装置的方法，所述方法包括：获取第一数据，所述第一数据包括在向所述衬底上的所述层提供所述结构之前所测量和/或建模的衬底特定数据；以及针对不同的至少两个控制方案，基于所述第一数据以及共同评价函数的使用来确定所述装置的配置，所述共同评价函数包括与所述至少两个控制方案相关联的参数。2.根据权利要求1的方法，其中所述衬底特定数据包括与所述衬底的特性相关的和/或与在所述结构被提供给所述衬底上的所述层时所述装置的状态相关的量测数据。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述配置的确定是针对在其上提供所述结构的每个衬底基于与所述衬底相对应的所述衬底特定数据单独地执行的。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述装置是光刻装置并且所述衬底特定数据包括描述所述衬底形状的调平数据，并且一个或多个所述控制方案包括对衬底台和掩模版台中的一者或两者的平行于衬底平面的控制、以及对所述衬底台和所述掩模版台中的一者或两者的垂直于所述衬底平面的控制，所述衬底台和所述掩模版台被包括在所述光刻装置内。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一数据包括在多个衬底上平均的平均量测数据，并且确定所述配置的步骤是基于所述平均量测数据而执行的，从而确定用于所述装置的致动器偏移，以用于对配置的确定的一个或多个另外步骤中。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述装置是光刻装置，并且所述控制方案包括以下中的两项或更多项：x、y和z方向中的每个方向上的曝光轨迹控制、透镜像差校正、剂量控制、和用于所述光刻装...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：