公开了一种用于配置用于向衬底上的层提供结构的装置的方法，该方法包括：获取第一数据，该第一数据包括在结构到衬底上的层的提供之前测量和/或建模的衬底特定数据；以及针对至少两个不同控制方案基于上述第一数据和包括与至少两个控制方案相关联的参数的共同评价函数的使用来确定该装置的配置。价函数的使用来确定该装置的配置。价函数的使用来确定该装置的配置。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制光刻装置的方法和相关装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年3月22日提交的EP申请19164702.3和于2019年7月11日提交的EP申请19185785.3的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
[0003]本专利技术涉及用于在光刻处理中将图案施加到衬底的方法和装置。
技术介绍
[0004]光刻装置是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以使用图案化设备(替代地称为掩模或掩模版)生成要形成在IC的个体层上的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来照射每个目标部分，同时同步地平行于或反平行于该方向来扫描衬底。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化设备转印到衬底上。
[0005]图案化衬底的参数被测量，以便监测光刻处理。参数可以包括例如在图案化衬底中或上形成的连续层之间的重叠误差和显影光敏抗蚀剂的临界线宽(CD)。该测量可以在产品衬底和/或专用量测目标上执行。有多种技术可以用于测量在光刻处理中形成的微观结构，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。一种快速且非侵入性形式的专用检查工具是散射仪，在散射仪中，辐射束被指向衬底的表面上的目标上并且散射或反射光束的性质被测量。已知两种主要类型的散射仪。光谱散射仪将宽带辐射束指向衬底上，并且测量散射到特定窄角范围内的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。角分辨散射仪使用单色辐射光束并且测量作为角度的函数的散射辐射的强度。
[0006]已知散射仪的示例包括在US2006033921A1和US2010201963A1中描述的类型的角分辨散射仪。由这样的散射仪所使用的目标相对较大，例如40μm
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40μm的光栅，并且测量光束生成小于光栅的光斑(即，光栅欠填充)。除了通过重构测量特征形状，还可以使用这种装置测量基于衍射的重叠，如公开的专利申请US2006066855A1中所述。使用衍射级的暗场成像的基于衍射的重叠量测可以对较小目标进行重叠测量。暗场成像量测的示例可以在国际专利申请WO2009/078708和WO2009/106279中找到，这些文件通过引用整体并入本文。该技术的进一步发展已经在公开的专利出版物US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中进行了描述。这些目标可以小于照射光斑，并且可以被晶片上的产品结构包围。可以使用复合光栅目标在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也通过引用并入本文。
[0007]在执行光刻处理时，诸如在衬底上施加图案或测量这种图案时，处理控制方法被用于监测和控制处理。这种处理控制技术通常被执行以获取用于控制光刻处理的校正。希望改进这样的处理控制方法。
技术实现思路
[0008]在本专利技术的第一方面，提供了一种用于配置用于向衬底上的层提供结构的装置的方法，该方法包括：获取第一数据，该第一数据包括在向衬底上的层提供结构之前测量和/或建模的衬底特定数据；以及针对不同的至少两个控制方案来基于上述第一数据和共同评价函数的使用来确定该装置的配置，共同评价函数包括与至少两个控制方案相关联的参数。
[0009]在本专利技术的其他方面，提供了一种包括当在合适的装置上运行时可操作以执行第一方面的方法的程序指令的计算机程序、一种包括处理器和具有这种计算机程序的存储设备的处理设备、以及一种具有这种处理设备的装置。
[0010]下面参考附图详细描述本专利技术的其他方面、特征和优点、以及本专利技术的各种实施例的结构和操作。注意，本专利技术不限于本文中描述的特定实施例。这样的实施例在本文中仅出于说明的目的而呈现。基于本文中包含的教导，其他实施例对于相关领域的技术人员将是很清楚的。
附图说明
[0011]现在将参考附图通过示例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中：
[0012]图1描绘了与其他装置一起形成用于半导体器件的生产设施的光刻装置；
[0013]图2包括根据本专利技术的实施例的用于在测量目标时使用的散射仪的示意图；
[0014]图3示出了处理参数的示例性来源；
[0015]图4示意性地示出了重叠处理窗口(OPW)的概念；
[0016]图5示意性地示出了确定用于光刻装置的控制的校正的当前方法；以及
[0017]图6示意性地示出了根据本专利技术的实施例的光刻装置的(a)布置和(b)控制方法。
具体实施方式
[0018]在详细描述本专利技术的实施例之前，呈现可以实现本专利技术的实施例的示例环境是有益的。
[0019]图1在200处示出了作为实现大容量光刻制造处理的工业生产设施的一部分的光刻装置LA。在本示例中，制造处理适用于在诸如半导体晶片等衬底上制造半导体产品(集成电路)。本领域技术人员将理解，可以通过在该处理的变体中处理不同类型的衬底来制造多种产品。半导体产品的生产纯粹用作在今天具有很大商业意义的示例。
[0020]在光刻装置(或简称“光刻工具”200)内，在202处示出了测量站MEA并且在204处示出了曝光站EXP。在206处示出了控制单元LACU。在该示例中，每个衬底游历测量站和曝光站来施加图案。例如，在光学光刻装置中，投射系统用于使用已调节辐射和投射系统将产品图案从图案化设备MA转印到衬底上。这是通过在辐射敏感抗蚀剂材料层中形成图案的图像来进行的。
[0021]本文使用的术语“投射系统”应当广义地解释为涵盖任何类型的投射系统，包括折射、反射、折反射、磁、电磁和静电光学系统、或其任何组合，该投射系统适用于所使用的曝光辐射或其他因素(诸如浸液的使用或真空的使用)。图案化MA装置可以是掩模或掩模版，其将图案赋予由图案化装置透射或反射的辐射束。众所周知的操作模式包括步进模式和扫描模式。众所周知，投射系统可以以多种方式与用于衬底和图案化设备的支撑和定位系统协作以将期望图案施加到衬底上的很多目标部分。可以使用可编程图案化设备代替具有固定图案的掩模版。例如，辐射可以包括深紫外(DUV)或极紫外(EUV)波段的电磁辐射。本公开也适用于其他类型的光刻处理，例如压印光刻和直写光刻，例如通过电子束。
[0022]光刻装置控制单元LACU控制各种致动器和传感器的所有运动和测量以接收衬底W和掩模版MA并且实现图案化操作。LACU还包括信号处理和数据处理能力，以实现与装置的操作相关的期望计算。在实践中，控制单元LAC本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于配置用于向衬底上的层提供结构的装置的方法，所述方法包括：获取第一数据，所述第一数据包括在向所述衬底上的所述层提供所述结构之前所测量和/或建模的衬底特定数据；以及针对不同的至少两个控制方案，基于所述第一数据以及共同评价函数的使用来确定所述装置的配置，所述共同评价函数包括与所述至少两个控制方案相关联的参数。2.根据权利要求1的方法，其中所述衬底特定数据包括与所述衬底的特性相关的和/或与在所述结构被提供给所述衬底上的所述层时所述装置的状态相关的量测数据。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述配置的确定是针对在其上提供所述结构的每个衬底基于与所述衬底相对应的所述衬底特定数据单独地执行的。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述装置是光刻装置并且所述衬底特定数据包括描述所述衬底形状的调平数据，并且一个或多个所述控制方案包括对衬底台和掩模版台中的一者或两者的平行于衬底平面的控制、以及对所述衬底台和所述掩模版台中的一者或两者的垂直于所述衬底平面的控制，所述衬底台和所述掩模版台被包括在所述光刻装置内。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一数据包括在多个衬底上平均的平均量测数据，并且确定所述配置的步骤是基于所述平均量测数据而执行的，从而确定用于所述装置的致动器偏移，以用于对配置的确定的一个或多个另外步骤中。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述装置是光刻装置，并且所述控制方案包括以下中的两项或更多项：x、y和z方向中的每个方向上的曝光轨迹控制、透镜像差校正、剂量控制、和用于所述光刻装...
【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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