测量对准标记或对准标记组件的方法、对准系统和光刻工具技术方案

本发明专利技术提供了一种测量对准标记或对准标记组件的方法，其中对准标记包括在至少两个方向上延伸的网格特征，该方法包括：使用对准标记或对准标记组件的预期地点来测量对准标记或对准标记组件；确定对准标记或对准标记组件在第一方向上的第一位置；确定对准标记或对准标记组件在第二方向上的第二位置，其中第二位置垂直于第一位置；确定对准标记或对准标记组件在第二方向上的预期地点与所确定的第二位置之间的第二方向扫描偏移；以及使用至少一个校正数据集基于第二方向扫描偏移来校正第一位置，以提供第一校正位置。以提供第一校正位置。以提供第一校正位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】测量对准标记或对准标记组件的方法、对准系统和光刻工具
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年3月27日提交的EP申请19165581.0的优先权，其通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种测量对准标记或对准标记组件的方法、用于测量对准标记或对准标记组件的对准系统和包括这种对准系统的光刻工具。

技术介绍

[0004]光刻装置是被构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。例如，光刻装置可以将图案化设备(例如掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到在衬底(例如晶片)上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]随着半导体制造过程的不断发展，遵循一般被称为
‘
摩尔定律
’
的趋势，电路元件的尺寸不断减小，但几十年来每个设备的功能元件(诸如晶体管)的数量却稳定增加。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在寻求能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影在衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种测量对准标记或对准标记组件的方法，其中所述对准标记或对准标记组件包括在至少两个方向上延伸的网格特征，所述方法包括：使用所述对准标记或对准标记组件的预期地点来测量所述对准标记或对准标记组件，确定所述对准标记或对准标记组件在第一方向上的第一位置，确定所述对准标记或对准标记组件在第二方向上的第二位置，确定所述对准标记或对准标记组件在所述第二方向上的所述预期地点与所确定的所述第二位置之间的第二方向扫描偏移，以及使用至少一个校正数据集基于所述第二方向扫描偏移来校正所述第一位置，以提供第一校正位置。2.根据权利要求1所述的方法，包括以下步骤：确定所述对准标记或对准标记组件在所述第一方向上的所述预期地点与所确定的所述第一位置之间的第一方向扫描偏移，使用所述至少一个校正数据集基于所述第一方向扫描偏移来校正所述第二位置，以提供第二校正位置。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述至少一个校正数据集包括至少一个校正图。4.根据权利要求1和2所述的方法，其中所述至少一个校正数据集包括第一校正图和第二校正图，所述第一校正图用于基于所述第二方向扫描偏移来校正所述第一位置，所述第二校正图用于基于所述第一方向扫描偏移来校正所述第二位置。5.根据权利要求1和2所述的方法，其中所述至少一个校正数据集包括二维校正图，所述二维校正图用于基于所述第一方向扫描偏移和所述第二方向扫描偏移来校正所述第一位置和所述第二位置中的至少一个位置。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述第一方向垂直于所述第二方向。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中测量所述对准标记的所述步骤包括：在扫描方向上扫描所述对准标记，所述扫描方向在所述第一方向上具有非零分量，并且在所述第二方向上具有非零分量。8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中测量所述对准标记的所述步骤包括：在第一测量扫描中在平行于所述第一方向的第一扫描方向上扫描所述对准标记，并且在第二测量扫描中在平行于所述第二方向的第二扫描方向上扫描所述对准标记。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述对准标记包括在所述第一方向和所述第二方向上的重叠网格特征。10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述对准标记是内部结构具有子区域的对准标记，所述子区域具有在至少两个方向上延伸的不同网格线特征。11.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述对准标记组件包括第一对准标记和...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：