【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年4月4日提交的EP申请19167341.7的优先权,该申请通过引用整体并入本文。
[0003]本专利技术涉及一种被配置为产生辐射的辐射系统和相关方法。
技术介绍
[0004]光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将来自图案化装置(例如,掩模)的图案投射到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]光刻设备用来将图案投射到衬底上的辐射波长决定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。与传统光刻设备(例如,可以使用波长为193nm的电磁辐射)相比,使用EUV辐射(即,波长在4
‑
20nm范围内的电磁辐射)的光刻设备可以用来在衬底上形成更小的特征。
[0006]EUV辐射可以通过将燃料(例如,锡)转换为等离子体来产生。燃料的一个或多个液滴可以被一个或多个激光脉冲照射。例如,每个液滴可以被用于调节液滴的预脉冲和用于将大部分或全部经 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种辐射系统,被配置为产生辐射,并且包括:液滴发生器,被配置为产生朝向等离子体形成区域行进的燃料液滴;激光系统,操作以生成预脉冲和主脉冲,其中所述预脉冲被配置为调节所述液滴以接收所述主脉冲,并且其中所述主脉冲被配置为将经调节液滴转换为产生所述辐射的等离子体;以及控制系统,被配置为控制在横向于所述预脉冲的传播方向的平面中所述预脉冲与所述液滴之间的空间偏移;其中所述控制系统被配置为调节所述空间偏移以最大化在横向于所述主脉冲的传播方向的平面中所述经调节液滴的速度变化。2.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述控制系统被配置为基于所述经调节空间偏移来调节横向于所述预脉冲的所述传播方向的所述平面中的所述预脉冲与横向于所述主脉冲的所述传播方向的所述平面中的所述主脉冲之间的间隔。3.根据权利要求1或2所述的辐射系统,其中所述控制系统被配置为基于所述经调节空间偏移来调节所述预脉冲的所述生成和所述主脉冲的所述生成之间的延迟时间。4.根据前述权利要求任一项所述的辐射系统,其中所述激光系统被配置为将所述主脉冲引导朝向目标区域,所述经调节液滴在所述目标区域处被转换为产生辐射的等离子体。5.根据权利要求4所述的辐射系统,其中所述控制系统被配置为依赖于以下中的至少一项来调节所述目标区域:所述经调节空间偏移,所述速度变化,横向于所述预脉冲的所述传播方向的平面中的所述预脉冲与横向于所述主脉冲的所述传播方向的平面中的所述主脉冲之间的间隔,以及所述预脉冲的所述生成与所述主脉冲的所述生成之间的延迟时间。6.根据前述权利要求中任一项所述的辐射系统,其中所述控制系统被配置为依赖于一个或多个参数来调节所述空间偏移以最大化所述速度变化。7.根据权利要求6所述的辐射系统,其中所述一个或多个参数包括所述预脉冲的持续时间和/或所述预脉冲的能量。8.根据权利要求6或7所述的辐射系统,其中所述一个或多个参数包括以下中的至少一项:在横向于所述预脉冲的所述传播方向的平面中所述液滴的位置,在横向于所述预脉冲的所述传播方向的平面中所述预脉冲的位置,在横向于所述预脉冲的所述传播方向的平面中所述液滴的位置的变化,在横向于所述预脉冲的所述传播方向的平面中所述预脉冲的位置的变化,在横向于所述主脉冲的所述传播方向的平面中所述主脉冲的位置,以及在横向于所述主脉冲的所述传播方向的平面中所述主脉冲的所述位置的变化。9.根据权利要求6至8中任一项所述的辐射系统,其中所述辐射系统包括被配置为感测所述一个或多个参数中的至少一个参数的传感器系统。10.根据权利要求9所述的辐射系统,其中所述控制系统被配置为依赖于所述一个或多个参数中的感测的所述至少一个参数来控制和/或调节所述空间偏移。
11.根据前述权利要求任一项所述的辐射系统,其中所述经调节空间偏移在约20μm至25μm之间。12.根据前述权利要求任一项所述的辐射系统,其中所述辐射系统包括被配置为感测属性或参数的传感器系统;并且其中所述激光系统包括:预脉冲种子激光器,被配置为生成种子预脉冲;主脉冲种子激光器,被配置为生成种子主脉冲;组合器,被配置为将所述种子预脉冲和所述种子主脉冲放置到公共路径上;放大器系统,位于所述公共路径上并且被配置为放大所述种子预脉冲以生成所述预脉冲并且放大所述种子主脉冲以生成所述主脉冲;放大器控制系统,被配置为依赖于感测到的属性或参数来控制所述放大;另外的控制系统,被配置为依赖于感测到的属性或参数来控制所述种子预脉冲的持续时间。13.根据权利要求12所述的辐射系统,其中所述属性或参数包括所产生的辐射的属性或参数。14.根据权利要求12或13所述的辐射系统,其中所述属性或参数包括以下中的至少一项:所产生的辐射的功率,所述空间偏移,以及所述空间偏移的变化。15.根据权利要求12至14中任一项所述的辐射系统,其中所述另外的控制系统被配置为调节所述种子预脉冲激光器的持续时间,使得当所述种子预脉冲和所述种子主脉冲依赖于检测到的属性或参数被放大时,所述速度变化基本不变或恒定。16.根据任一前述权利要求所述的辐射系统,其中所述控制系统操作以通过控制所述预脉冲的持续时间来最大化所述速度变化。17.根据任一前述权利要求所述的辐射系统,其中所述控制系统操作以响应于所述预脉...
【专利技术属性】
技术研发人员:G,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。