EUV辐射源和相关方法技术

一种激光产生等离子体类型的EUV辐射源包括：被配置为产生燃料微滴的燃料发射器；以及被配置为利用辐射照射燃料微滴以在等离子体形成区域处将燃料微滴转换为等离子体的激光系统；其中激光系统包括：被配置为产生第一波长的辐射的激光器；以及非线性介质，非线性介质被配置为接收第一波长的辐射，在辐射转换区域处使用非线性光学过程来产生第二波长的辐射，并且将第二波长的辐射传输到等离子体形成区域；其中第二波长长于第一波长。其中第二波长长于第一波长。其中第二波长长于第一波长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】EUV辐射源和相关方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年1月15日提交的EP申请19151860.4和于2019年3月22日提交的EP申请19164608.2的优先权。这两个申请均通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术涉及激光产生等离子体类型的极紫外辐射源和相关方法。极紫外辐射源可以形成光刻系统的部分。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。例如，光刻设备可以将图案化装置(例如，掩模)处的图案投射到在衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了在衬底上投射图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与常规光刻设备(可以使用例如波长为193nm的辐射)相比，使用波长在4至20nm范围内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小的特征。
[0006]一种已知类型的EUV辐射源将激光辐射引导到燃料微本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光产生等离子体类型的EUV辐射源，包括：燃料发射器，被配置为产生燃料微滴；以及激光系统，被配置为利用辐射照射燃料微滴以在等离子体形成区域处将所述燃料微滴转换为等离子体；其中所述激光系统包括：激光器，被配置为产生第一波长的辐射；以及非线性介质，被配置为接收所述第一波长的辐射，在辐射转换区域处使用非线性光学过程来产生第二波长的辐射，并且将所述第二波长的辐射传输到所述等离子体形成区域；其中所述第二波长长于所述第一波长。2.根据权利要求1所述的EUV辐射源，其中所述激光器包括基于YAG的激光器。3.根据权利要求1或2所述的EUV辐射源，其中所述第二波长在1.4微米至12微米的范围内。4.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中所述第二波长在1.4微米至2.4微米的范围内。5.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中所述第二波长在1.9微米至2.4微米的范围内。6.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中所述第二波长约为1.9微米。7.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，其中所述燃料微滴还被所述第一波长的辐射照射。8.根据权利要求1所述的EUV辐射源，其中所述非线性介质包括拉曼活性材料并且所述非线性光学过程是受激拉曼散射。9.根据权利要求8所述的EUV辐射源，其中所述非线性介质包括气体。10.根据权利要求8或9所述的EUV辐射源，其中所述非线性介质包括氢。11.根据权利要求9所述的EUV辐射源，还包括流动系统，所述流动系统被配置为将所述辐射转换区域中的被电离的气体替换为未被电离的气体。12.根据权利要求11所述的EUV辐射源，其中所述流动系统包括气体流动路径和泵，所述泵被配置为使气体在所述气体流动路径周围循环。13.根据权利要求1至7中任一项所述的EUV辐射源，其中所述激光系统还包括光参量振荡器，并且其中所述光参量振荡器包括所述非线性介质。14.根据权利要求13所述的EUV辐射源，其中所述非线性过程还被配置为在所述辐射转换区域处产生第三波长的辐射。15.根据权利要求14所述的EUV辐射源，其中所述燃料微滴还被所述第三波长的辐射照射。16.根据权利要求13至15中任一项所述的EUV辐射源，还包括用于放大所述第一波长的辐射、所述第二波长的辐射或所述第三波长的辐射中的至少一项的光参量放大器。17.根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源，还包括在所述辐射转换区域之后的延迟级。18.一种光刻系统，包括根据前述权利要求中任一项所述的EUV辐射源。19.一种生成EUV辐射的方法，包括：
提供激光器，所述激光器被配置为产生第一波长的辐射；提供非线性介质；将所述第一波长的辐射引导到所述非线性介质，使得在辐射转换区域处经由非线性光学过程产生第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：