暗场显微镜制造技术

披露了一种暗场量测装置，所述暗场量测装置包括物镜布置和用于阻挡所述零阶辐射的零阶阻挡件。所述物镜布置将照射引导到待测量的试样上并且从所述试样收集散射辐射，所述散射辐射包括零阶辐射和较高阶衍射辐射。所述暗场量测装置能够操作以：执行照射扫描，以使所述照射在所述最大照射角范围的至少两个不同子集的范围内进行扫描；并且同时执行检测扫描，所述检测扫描使所述零阶阻挡件和所述散射辐射之一或两者在所述照射扫描的至少一部分期间在所述最大检测角范围的相对应的子集的范围内相对于彼此进行扫描。围内相对于彼此进行扫描。围内相对于彼此进行扫描。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】暗场显微镜
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求保护于2019年5月6日递交的欧洲申请19172766.8的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本专利技术涉及用于暗场显微术的设备。

技术介绍

[0004]光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情况下，图案形成装置(其被替代地称作掩模或掩模版)可以用于产生待形成在IC的单个层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来照射每个目标部分；和所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束来扫描图案的同时平行或反向平行于这种方向来同步地扫描衬底，从而照射每个目标部分。也可以通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种暗场量测装置，包括：物镜布置，所述物镜布置能够操作以将照射引导到待测量的试样上并且从所述试样收集散射辐射，所述散射辐射包括零阶辐射和较高阶衍射辐射，其中所述物镜布置限定用于在照射路径中接收所述照射的最大照射角范围和用于在检测路径中接收所述散射辐射的最大检测角范围；和零阶阻挡件，所述零阶阻挡件能够操作以阻挡所述零阶辐射；其中所述暗场量测装置能够操作以：执行照射扫描，以使所述照射在所述最大照射角范围的至少两个不同子集的范围内进行扫描；并且同时地执行检测扫描，所述检测扫描使所述零阶阻挡件和所述散射辐射之一或两者在所述照射扫描的至少一部分期间在所述最大检测角范围的相对应的子集的范围内相对于彼此进行扫描。2.根据权利要求1所述的暗场量测装置，其中所述检测扫描以与所述照射扫描的至少一部分同步的方式被同时执行，以确保在所述照射扫描期间所述零阶总是被阻挡。3.根据权利要求1或2所述的暗场量测装置，其中所述检测扫描包括移动所述零阶阻挡件。4.根据权利要求1或2所述的暗场量测装置，其中所述检测扫描包括在所述零阶阻挡件被固定的情况下使所述散射辐射在所述零阶阻挡件上进行扫描。5.根据权利要求4所述的暗场量测装置，其中由公共的光学元件同时地执行所述照射扫描和检测扫描以确保同步。6.根据任一前述权利要求所述的暗场量测装置，其中在所述最大照射角范围的多个不同子集处执行所述照射扫描，所述子集的数目取决于所述照射的相干性。7.根据权利要求6所述的暗场量测装置，其中所述照射是空间不相干的，具有M个空间模式，并且针对所述最大照射角范围的K个不同子集执行所述照射扫描，使得M*K约等于在试样程度的情况下待被寻址的和/或可利用的空间模式的总数目。8.根据权利要求6所述的暗场量测装置，其中所述照射是空间不相干的照射，并且在两个平台中执行所述照射扫描和检测扫描，所述两个平台是第一平台和第二平台，第一平台包括在所述零阶阻挡件相对于所述散射辐射被固定的同时在所述最大照射角范围的多个第一子集的范围内执行所述照射扫描，在第二平台中在所述最大照射角范围的多个第二子集的范围内同时执行所述照射扫描...

【专利技术属性】
技术研发人员：塞巴斯蒂安努斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：