用于对EUV容器和EUV收集器进行靶材料碎片清洁的系统、方法和装置制造方法及图纸

技术编号:31377490 阅读:77 留言:0更新日期:2021-12-15 11:16
一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法,包括:在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基,并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下,净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。碎片沉积物。碎片沉积物。

【技术实现步骤摘要】
用于对EUV容器和EUV收集器进行靶材料碎片清洁的系统、方法和装置
[0001]本申请是申请日为2016年12月13日、申请号为201680079709.2、专利技术名称为“用于对EUV容器和EUV收集器进行靶材料碎片清洁的系统、方法和装置”的中国专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求于2016年1月21日提交的题为“用于对EUV容器和EUV收集器进行靶材料碎片清洁的系统、方法和装置(SYSTEM,METHOD AND APPARATUS FOR TARGET MATERIAL DEBRIS CLEANING OF EUV VESSEL AND EUV COLLECTOR)”的美国实用申请No.15/003,385的权益,其通过引用整体并入本文。

技术介绍

[0004]极紫外(EUV)光用于诸如极紫外光刻(EUVL)等应用。
[0005]极紫外(EUV)光可以使用EUV光源来生成,在EUV光源中通过高功率激光源来照射靶材料。激光源对靶材料的照射导致生成发射EUV光的等离子体
[000本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种极紫外EUV光源,包括:EUV容器,具有EUV容器净化气体入口,所述EUV净化气体入口被配置为耦合到净化气体源,以用于将一定量的净化气体分配到所述EUV容器中;EUV收集器,设置在所述EUV容器中,所述EUV收集器具有反射表面;靶材料源,用于将一定量的靶材料分配到所述EUV容器中;氢自由基源,设置在所述EUV容器内,所述氢自由基源包括电容性耦合的氢等离子体室,所述电容性耦合的氢等离子体室包括:氢自由基源出口,靠近所述EUV收集器的所述反射表面设置;氢源入口,被配置为耦合到氢源;氢源电极,被配置为耦合到信号源并且设置在所述EUV容器内,以用于在所述EUV光源的操作期间生成电容性耦合的等离子体,以产生氢自由基,所述氢自由基与设置在所述EUV收集器的所述反射表面上的靶材料碎片沉积物的至少一部分结合以生成挥发性化合物;以及EUV容器净化出口,用于将所述挥发性化合物从所述EUV容器中排出。2.根据权利要求1所述的EUV光源,其中所述EUV收集器具有中央孔,并且所述氢自由基源出口靠近所述中央孔设置,使得在所述EUV光源的操作期间生成的氢自由基穿过所述中央孔。3.根据权利要求1所述的EUV光源,其中所述EUV收集器具有中央孔,并且所述氢自由基源是靠近所述中央孔设置的第一氢自由基源,并且EUV光源进一步包括:靠近所述中央孔设置的第二氢自由基源,所述第一氢自由基源和所述第二氢自由基源中的每个氢自由基源靠近所述中央孔设置,使得在所述EUV光源的操作期间生成的氢自由基穿过所述中央孔。4.一种极紫外EUV光源,包括:EUV容器,具有EUV容器净化气体入口和EUV容器净化气体出口,所述EUV净化气体入口被配置为耦合到净化气体源,以用于将一定量的净化气体供应到所述EUV容器中;EUV收集器,设置在所述EUV容器中,所述EUV收集器具有反射表面;靶材料分配器,用于将一定量的靶材料供应到所述EUV容器中;以及氢自由基源,设置在所述EUV容器内,所述氢自由基源由电容性耦合的氢等离子体室限定,所述电容性耦合的氢等离子体室具有至少一个接地壁以及耦合到信号源的电极,所述氢自由基源被配置为当信号源在操作期间激活时接收氢流并且靠近所述EUV收集器的所述反射表面产生氢自由基,其中在操作期间,所述氢自由基与设置在所述反射表面上的部分靶材料结合,以将所述部分靶材料作为挥发性化合物去除,所述EUV容器净化气体出口用于净化来自所述EUV容器的所述挥发性化合物。5.根据权利要求4所述的EUV光源,其中所述氢自由基源设置在所述EUV容器内,使得在操作期间在所述EUV收集器的周界处提供氢自由基。6.一种极紫外EUV光源,包括:EUV容器,具有EUV净化气体入口,所述EUV净化气体入口被配置为耦合到净化气体源,以用于将一定量的净化气体分配到所述EUV容器中;
EUV收集器,设置在所述EUV容器中,所述EUV收集器具有反射表面;靶材料源,用于将一定量的靶材料分配到所述EUV容器中;至少一个氢源出口,设置为使氢流过所述EUV收集器的所述反射表面的至少一部分;至少一个电感线圈,被布置为在来自所述氢源出口的所述氢中生成氢自由基,其中在所述EUV光源的操作期间,所述氢自由基与设置在所述EUV收集器的所述反射表面的所述一部分上的靶材料碎片沉积物的至少一部分结合,以生成挥发性化合物,所述至少一个电感线圈被布置在所述至少一个氢源出口与所述EUV收集器的周界之间;以及EUV容器净化出口,用于将所述挥发性化合物从所述EUV容器中排出。7.根据权利要求6所述的EUV光源,其中所述至少一个氢源出口包括第一氢源出口,并且所述至少一个电感线圈被布置在所述第一氢源出口与所述EUV收集器的所述周界之间,所述EUV光源进一步包括多个附加氢源出口,所述多个附加氢源出口围绕所述EUV收集...

【专利技术属性】
技术研发人员:白宗薰M
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:

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