一种无结垂直栅晶体管，包括：有源柱体，所述有源柱体从衬底垂直地突出，并包括第一杂质区、在所述第一杂质区之上顺序地形成的第二杂质区和第三杂质区；栅电极，所述栅电极耦合到所述第二杂质区的侧壁；以及位线，所述位线沿着与所述栅电极相交的方向排列...

本发明涉及在减小测试电路的大小的同时对具有高存储容量的存储器电路平稳地执行测试。根据本发明的测试电路包括：测试执行单元，所述测试执行单元被配置成对目标测试存储器单元执行测试；内部存储单元，所述内部存储单元被配置成储存用于测试执行单元的数...

本发明公开了一种可变存储器件及其制造方法。所述可变存储器件包括可变电阻层，所述可变电阻层形成在形成有下结构的半导体衬底上；下电极，所述下电极形成在可变电阻层上；开关单元，所述开关单元形成在下电极上；以及上电极，所述上电极形成在开关单元上。

本发明公开了一种命令译码器。所述命令译码器包括输入缓冲器，被配置用于根据参考电压而在时钟脉冲信号的第一边沿、第二边沿、第三边沿以及第四边沿缓冲并接收具有地址信息和命令信息的命令地址信号；锁存电路，被配置用于在时钟脉冲信号的第一边沿和第三...

本发明公开了一种非易失性存储器件及其操作方法和制造方法。所述非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底包括由P型半导体构成的多个有源区；第一垂直存储串和第二垂直存储串，所述第一垂直存储串和第二垂直存储串被设置在每个有源区之上，其中，所述第一存...

本发明公开了一种集成电路系统，所述集成电路系统包括：第一芯片，所述第一芯片具有多个穿通通孔；以及第二芯片，所述第二芯片层叠在第一芯片上并具有形成在与第一芯片的多个穿通通孔相对应的位置处的多个穿通通孔，并且第二芯片的每个穿通通孔与第一芯片...

本发明公开了一种半导体装置的数据输出定时控制电路，所述数据输出定时控制电路包括相位调整单元。所述相位调整单元被配置成顺序地与多个延迟时钟同步地将读取命令的相位移位延迟控制码的码值，所述多个延迟时钟是通过分别将外部时钟延迟预定延迟量而获得...

本发明提供一种半导体集成电路，包括经由通孔而彼此耦合的多个半导体芯片，其中，多个半导体芯片中的最下层的半导体芯片被配置为产生第一测试脉冲信号并且经由通孔来发送第一测试脉冲信号，多个半导体芯片中的最上层的半导体芯片被配置为在与第一测试脉冲...

本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造和驱动方法，所述可变电阻存储器件包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元沿着第一方向以及与第一方向不同的第二方向布置，多个存储器单元的每个包括可变电阻器以及与可变电阻器串联连接的选择器件；公共布线...

本发明涉及一种半导体器件，其包括：字线和层间绝缘层，所述字线和所述层间绝缘层交替地堆叠在衬底上；垂直沟道层，所述垂直沟道层从衬底突出并且穿过所述字线和所述层间绝缘层；隧道绝缘层，所述隧道绝缘层围绕每个垂直沟道层；电荷陷阱层，所述电荷陷阱...

本发明是半导体器件及其制造方法。半导体器件，包括：垂直沟道层；管道沟道层，被配置成连接所述垂直沟道层的下端部；以及管道栅，围绕所述管道沟道层且包括第一区域和剩余的第二区域，所述第一区域与管道沟道层接触并包括第一类型杂质，所述剩余的第二区...

本发明提供了具有双极晶体管、CMOS晶体管、漏极延伸MOS晶体管以及双扩散MOS晶体管的半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括形成逻辑器件的逻辑区和形成高功率器件的高电压区；沟槽，所述沟槽在半导体衬底中；隔离层，所述...

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体基板中形成有源线；形成大体横过有源线的接触线；形成大体横过有源线和接触线的线形蚀刻掩模图案；蚀刻被线形蚀刻掩模图案暴露的接触线以形成接触分离凹槽并形成大体保留在线形蚀刻掩模图案与...

本发明公开了一种半导体存储装置及其编程方法和使用半导体存储装置的数据处理系统，所述半导体存储装置包括：存储器单元区，所述存储器单元区包括多个存储器单元，每个存储器单元耦接在字线与位线之间；以及控制器，所述控制器被配置成响应于编程命令而同...

本发明公开具有埋入式栅极的半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：第一层间绝缘层，其位于半导体基板的第一区域和第二区域中；第二层间绝缘层，其位于第一区域和第二区域中的所述第一层间绝缘层上方；硬掩模，其设置在所述第二区域中的所述第一层间...

根据本发明的实施例的三维非易失性存储器件，包括：多个位线；至少一个存储串行，所述至少一个存储串行沿着第一方向延伸、与所述位线耦接并且包括2N个存储串，其中N包括自然数；公共源极选择线，所述公共源极选择线被配置来控制包括在存储器块中的2N...

本发明涉及半导体存储器件、存储芯片、存储模块、存储系统及其制造方法。公开了一种即使在高集成度的条件下也能容易地控制导线与存储层之间的接触面积的半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件包括：多个第一导线；存储层，所述存储层与第一导线...

本发明公开了一种阻变存储器件，所述阻变存储器件包括：下电极，所述下电极设置在衬底上；第一电阻层和第二电阻层，所述第一电阻层和所述第二电阻层分别设置在下电极的相对侧，并且分别在不同的电压下呈现出电阻变化；以及上电极，所述上电极设置在第一电...

本发明公开了一种半导体系统、半导体器件、以及控制命令/地址信号的建立/保持时间的方法。所述半导体系统包括：控制器，被配置成输出时钟使能信号、第一命令/地址信号至第三命令/地址信号、芯片选择信号、第一进入命令和第二进入命令以及退出命令，并...

本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，所述可变电阻存储器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有由沿一个方向延伸的隔离层限定的有源区；栅极线，所述栅极线经由隔离层和有源区沿与隔离层交叉的另一个方向延伸；保护层，所述保护层位于栅极线...