本发明公开了一种半导体集成电路系统及其驱动方法，所述半导体集成电路系统包括：相变线，所述相变线包括构成第一存储器单元的第一相变区域和构成第二存储器单元的第二相变区域；写入电流提供单元，所述写入电流提供单元被配置成将所述第一相变区域和所述...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：至少4个导线组，所述至少4个导线组被平行布置在一个存储器单元块之上，并且每个导线组被配置成包括导线；第一接触焊盘，所述第一接触焊盘可以在第一方向上与4个导线组中的两个导线组的导...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底被划分成限定在第一方向上的单元区和外围电路区，其中，外围电路区被划分成限定在与第一方向实质正交的第二方向上的第一区和第二区；栅极线，所述栅极线被形成在单...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：垂直沟道层，所述垂直沟道层从半导体衬底向上突出；隧道绝缘层，所述隧道绝缘层覆盖垂直沟道层的侧壁；多个浮栅，所述多个浮栅彼此分开并沿着垂直沟道层彼此层叠，并且...

本发明公开了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成沿与第一方向相交叉的第二方向延伸的选择线，其中，半导体衬底具有被隔离层分隔开并沿第一方向延伸的有源区；通过在选择线之间分别将第一杂质注入到有源区...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底中限定有单元区和外围电路区；半导体存储器元件，所述半导体存储器元件被形成在所述单元区中的半导体衬底之上；层间绝缘层，所述层间绝缘层被形成在所述外围电路...

本发明公开了一种半导体装置。所述装置包括传输控制单元，所述传输控制单元被配置成响应于所接收的具有第一脉冲宽度的脉冲信号而产生具有比第一脉冲宽度大的第二脉冲宽度的传输控制信号和具有比第二脉冲宽度大的第三脉冲宽度的同步控制信号。所述装置还包...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括设置有第一驱动晶体管的第一驱动晶体管区和设置有第二驱动晶体管的第二驱动晶体管区，其中，采用比所述第一驱动晶体管低的电压来驱动所述第二驱动晶体管；第...

本发明公开了半导体芯片、封装体以及制造半导体芯片和封装体的方法。半导体芯片包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括具有第一底表面的第一基板。第二半导体芯片包括具有第二底表面的第二基板。第一底表面直接接...

本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：平行延伸的多个导线，每个导线具有沿第一方向延伸的第一区域以及与第一区域耦接并沿与第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域；以及多个接触焊盘，每个接触焊盘与第二区域的相应导线耦接，其中...

本发明公开了一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括：存储器单元区域，所述存储器单元区域包括层叠于其中的多个存储器单元阵列，每个存储器单元阵列具有集成并形成于其中的多个存储器单元以储存数据，并具有形成于其中的多个穿通线以传送信号；以及...

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：包括多个存储器单元的单元串；包括锁存器和开关元件的页缓冲器，其中，开关元件耦接在锁存器与耦接到单元串的位线之间；以及页缓冲器控制器，所述页缓冲器控制器被配置成在编程操作的位线设定操作期间施加逐渐...

本发明公开了一种相变随机存取存储器件即PCRAM器件及其制造方法。所述PCRAM器件包括底电极接触，所述底电极接触形成在包括下结构的半导体衬底上；相变材料图案，所述相变材料图案分别与所述底电极接触接触；以及热绝缘单元，所述热绝缘单元形成...

本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：每个被配置成包括沟道对的存储块，每个所述沟道包括形成在所述存储块的管道栅中的管道沟道，以及与所述管道沟道相耦接的漏侧沟道和源侧沟道；第一缝隙，所述第一缝隙位于与其它的存储块相邻的存储块之间...

本发明公开了一种非易失性存储器件，包括：第一和第二垂直沟道层，其实质上平行地从半导体衬底大致地向上突出；第一栅极组，其被配置成包括多个存储器单元栅，所述多个存储器单元栅实质上沿第一垂直沟道层层叠并且通过实质上插入在存储器单元栅之间的层间...

本发明提供了半导体存储器件及其操作方法。所述操作方法包括：执行第一LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并检测具有低于呈负电位的过擦除参考...

本发明公开了一种用于控制存储器件的自我刷新操作的自我刷新控制电路，所述自我刷新控制电路包括：自我刷新控制逻辑模块，所述自我刷新控制逻辑模块被配置成控制存储器件以执行自我刷新操作；以及初始刷新控制模块，所述初始刷新控制模块被配置成在存储器...

本发明公开了一种相变随机存取存储(PCRAM)器件及其制造方法。所述PCRAM器件包括：半导体衬底；结字线，所述结字线被形成在所述半导体衬底上；外延字线，所述外延字线被形成在所述结字线上；以及开关器件，所述开关器件被形成在所述外延字线上。

一种对半导体器件进行编程的方法，包括以下步骤：对选在的存储器单元执行最低有效位(LSB)编程操作；对除已执行了LSB编程操作的存储器单元以外的其余的存储器单元执行软编程操作；以及对从已执行了LSB编程操作的存储器单元和已执行了软编程操作...

本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：用于响应于时钟信号和虚设计数时钟而产生计数时钟的计数时钟发生单元；用于响应于所述计数时钟而产生列地址的列地址发生单元；以及用于响应于所述列地址而将储存在页缓冲器单元中的数据发送到数...