提供了一种垂直存储器件及其制造方法，所述垂直存储器件能够使单元尺寸最小化、并且改善电流驱动能力。所述垂直存储器件包括公共源极区和形成在所述公共源极区上、并且沿着第一方向延伸的源极区。沟道区形成在每个源极区上，所述沟道区沿着第一方向延伸。...

本发明公开了一种具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：由金属硅化物形成的掩埋位线、和形成在分隔开掩埋位线的沟槽之下的衬底中的硅化防止区。

本发明公开了一种包括具有改善的掺杂特性的凹陷栅结构的晶体管及其制造方法。晶体管包括半导体衬底中的凹部，其中凹部被填充了包括杂质掺杂层和掺杂捕获物类的层的凹陷栅结构。捕获物类累积杂质并且使杂质扩散至凹陷栅结构的其它层。

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在包括第一区和第二区的衬底之上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层之上形成硬掩模层；在硬掩模层之上形成第一刻蚀掩模，其中，所述第一刻蚀掩模包括多个线图案和形成在所述多个线图案之上的牺牲...

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底之上形成金属层；在金属层之上形成覆盖层；以及经由热处理将金属层致密化。

本发明公开了一种存储器，所述存储器包括：存储体，所述存储体包括多个存储器单元；命令译码器，所述命令译码器被配置成与时钟信号同步地操作、并且响应于多个命令信号而将包括激活命令、写入命令、校准命令、以及MRS命令的多个命令中的至少一个激活；...

一种存储器件包括：奇偶校验电路，被配置成利用多个命令信号和多个地址信号来检测错误的存在或不存在；命令移位电路，被配置成与控制时钟同步地将多个命令信号移位预设的延迟值；时钟控制电路，被配置成当正在命令移位电路中移位的命令信号中不存在有效命...

提供一种可利用低功耗操作的阻变存储器件和包括所述阻变存储器件的存储装置和数据处理系统。所述阻变存储器件包括包含10wt%至60wt%（原子重量）的硒（Se）或碲（Te）的硫族化合物。

一种半导体存储装置包括：阻变存储器单元，所述阻变存储器单元被耦接在位线与取反位线之间；控制单元，所述控制单元被配置成响应于第一感测放大器使能信号和第二感测放大器使能信号而将位线耦接至第一节点、并且将参考电压施加到第二节点；数据输出感测放...

本发明提供一种半导体存储器件，包括：第一电介质层，所述第一电介质层位于包括接触区和非接触区的半导体衬底上；刻蚀停止层图案，所述刻蚀停止层图案被形成以暴露非接触区中的第一电介质层以及覆盖接触区中的第一电介质层；接触孔，所述接触孔穿过刻蚀停...

本发明涉及一种半导体装置、一种包括该半导体装置的存储器系统以及一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：在衬底上形成的垂直沟道层；在每个垂直沟道层的长度周围交替形成的传导层图案和绝缘层图案；以及在每个垂直沟道层和每个传导层图案之间...

本发明是具有用于覆盖气隙的间隔件的半导体器件及其制造方法。用于制造存储器件的方法包含以下步骤：形成位线图案，其包括第一导电层和层叠在衬底上方的硬掩模；在该位线图案的侧壁上形成牺牲层；形成第二导电层，其与该牺牲层接触并与该位线图案相邻；使...

本发明公开了一种具有多层式存储节点的半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：在衬底的第二区之上形成第一电介质结构以暴露出衬底的第一区；在包括第一电介质结构的整个表面之上形成阻挡层；在第一区中的阻挡层之上形成第二电介质结构；通过刻蚀...

本发明提供一种非易失性存储器件以及控制该非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括：页面缓冲器，其构造成存储编程位；增量阶跃脉冲编程（ISPP）控制单元，其构造成对存储在页面缓冲器中的编程位进行计数，并且基于编程位的变化来有差异地控...

本发明涉及一种半导体器件和操作该半导体器件的方法，尤其涉及一种包括存储器单元阵列的半导体存储器件和操作该半导体存储器件的方法。所述存储器件包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及外围电路，其被配置成将选中的存储器单元编程为目标编...

一种存储器件包括：译码器电路，所述译码器电路被配置成：当设置了参考模式时，如果施加设置命令，则激活设置信号和写入信号；延迟电路，所述延迟电路被配置成延迟并产生延迟写入信号；以及设置电路，所述设置电路被配置成：当设置了参考模式时，响应于延...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一源极层；至少一个第二源极层，所述第二源极层大体形成在第一源极层中；多个导电层，所述多个导电层大体层叠在第一源极层之上；沟道层，所述沟道层穿通多个导电层且与第二源极层耦接；以...

本发明提供一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底之上形成多个位线结构；在位线结构之上形成彼此之间插入有覆盖层的多层间隔件层；通过选择性刻蚀间隔件层来暴露出衬底的表面；通过选择性刻蚀覆盖层来形成气隙和用于覆盖气隙的上部的覆盖间隔件；...

一种用以制造垂直沟道晶体管的方法包括：形成具有两个横向相对侧壁的多个柱状物于衬底上；形成栅极介电层于所述柱状物的两个侧壁上；形成覆盖所述柱状物的任一侧壁的第一栅极电极、及覆盖所述柱状物的其他侧壁且具有比所述第一栅极电极低的高度的屏蔽栅极...

本发明提供了一种能够减少测试时间的修复控制电路和使用修复控制电路的半导体集成电路。所述半导体集成电路包括：多个存储块，其中布置有多个字线；多个字线驱动器，所述多个字线驱动器响应于多个存储块选择信号而驱动多个字线中的一个或更多个；以及修复...