一种半导体芯片包括：中心区域，所述中心区域具有多个第一存储器单元；以及第一边缘，所述第一边缘与中心区域的第一侧相邻。第一边缘包括第一区域和第二区域。第一区域包括多个第二存储器单元，第二区域包括第一焊盘部，地址信号、命令信号、时钟信号、数...

一种周期信号发生电路，包括控制电压发生器和周期控制器。控制电压发生器选择温度相关电压中的一个，以将选中的温度相关电压作为控制电压输出。第一温度相关电压和第二温度相关电压根据温度而变化，而第三温度相关电压是恒定的而与温度的变化无关。周期控...

半导体存储装置的温度检测电路包括固定周期振荡器、温度可变信号发生单元和计数单元。振荡器被配置成当使能信号被使能时，生成固定周期振荡信号。温度可变信号发生单元被配置成当使能信号被使能时，生成其使能间隔基于温度变化而改变的温度可变信号。计数...

一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底中限定了单元区和接触区；焊盘结构，所述焊盘结构包括在衬底的接触区中彼此交替地形成的多个第一导电层和多个第一绝缘层，其中，所述焊盘结构的端部被图案化为台阶状，所述第一导电层的在所述焊盘结构的端部暴露的部...

一种半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底之上的栅绝缘层。在栅绝缘层之上形成栅电极。栅电极包括含硅电极，含硅电极包括掺杂剂、捕获掺杂剂的捕获材料以及控制掺杂剂的激活的激活控制材料。

一种可变电阻存储器件包括多个单元块和多个选择单元，所述多个单元块的每个包括：多个第一线，所述多个第一线沿着第一方向彼此平行地延伸；多个第二线，所述多个第二线沿着与第一方向交叉的第二方向彼此平行地延伸；以及多个存储器单元，所述多个存储器单...

一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底之上形成栅介质层；在该栅介质层之上形成含金属层，该含金属层含有有效功函数调节物质；在该含金属层之上形成抗反应层；增大该含金属层中所含的该有效功函数调节物质的量；以及通过刻蚀该抗反应层、该含...

一种半导体器件，其包括基板和设置在基板上且由沟槽彼此分隔的多个有源柱。多个有源柱的每一个包括埋设的金属硅化物图案和堆叠在埋设的金属硅化物图案上的有源区域，并且有源区域包括杂质结区域。

提供了一种相变随机存取存储器件及其制造方法。所述方法包括以下步骤：提供包括加热电极的半导体衬底；在半导体衬底上形成包括初步相变区的层间绝缘层；将初步相变区的入口部分的直径减小成比初步相变区的底部部分的直径更小；利用入口部分的直径与底部部...

非易失性存储器件包括：存储栅，包括被设置在衬底之上的存储层和被设置在存储层之上的栅电极，存储栅具有被分别设置在存储栅的第一侧和第二侧的对置的第一侧壁和第二侧壁；第一选择栅和第二选择栅，被设置在存储栅的第一侧壁和第二侧壁上；源极区，被形成...

本发明提供一种比较器电路，包括：第一比较器，所述第一比较器配置成在第一时段期间储存偏移，以及在第二时段期间在补偿储存的偏移的同时比较第一输入信号和第二输入信号以产生第一比较信号；第二比较器，所述第二比较器配置成在补偿偏移的同时比较第一输...

一种半导体装置的数据写入电路，包括：数据路径，配置为接收模式信号并且产生第一延迟模式信号；数据选通信号路径，配置为接收模式信号并且产生第二延迟模式信号；数据锁存器块，配置为响应于第二延迟模式信号而锁存第一延迟模式信号，并且输出所得信号；...

本技术提供了一种半导体器件及其制造方法，可以减小相邻的导电结构之间的寄生电容。制造半导体器件的方法可以包括以下步骤：在衬底之上形成多个位线结构；在位线结构之间形成接触孔；在接触孔的侧壁之上形成牺牲间隔件；形成凹陷在各个接触孔内的第一插塞...

根据一个实施例，一种半导体封装包括带阻滤波器，所述带阻滤波器包括：被布置在封装基板上的传输线图案；以及以与传输线图案分开的状态沿着传输线图案布置的导电短截线图案。

半导体存储器件可以通过对内部产生的控制信号的相位与内部产生的时钟信号的相位进行比较的测试来有效地评估。具体地，如果经由所述测试内部数据选通信号IDQS的相位与内部时钟信号ICLK的相位同步，则数据选通信号DQS也可以与外部时钟信号CLK...

一种存储系统包括存储单元和存储器控制器。存储单元包括多个存储体，其中，储存在存储体中的信息通过字线和位线来访问。存储器控制器被配置成限制对同一字线或同一位线的重复访问，使得连续访问的次数小于预定临界值。

根据本发明的实施例，一种具有多个通道的通道控制电路包括：通道控制信号发生模块，所述通道控制信号发生模块被配置成响应于第一测试模式信号和第二测试模式信号的组合而产生能选择性地控制通道的激活状态的通道控制信号；扫描缓冲器控制信号发生模块，所...

一种半导体装置包括测试单元，所述测试单元包括：数据判断单元，所述数据判断单元被配置成接收多个数据，判断多个数据是否相同，以及将判断结果输出为压缩信号；以及输出控制单元，所述输出控制单元被配置成响应于测试模式信号和裸片激活信号，而将压缩信...

一种非易失性存储装置包括读取驱动器。读取驱动器单元被配置成在用于输出储存在存储器单元中的数据的正常读取操作中将读取电流施加到存储器单元、并且在刷新操作中将比读取电流大的刷新电流施加到存储器单元。

一种半导体集成电路可以包括：多个半导体芯片，被配置成以三维形式层叠；第一组穿通芯片通孔，被配置成分别穿过多个半导体芯片，并且用于半导体集成电路的密度扩展；以及第二组穿通芯片通孔，被配置成分别穿过多个半导体芯片，并且用于半导体集成电路的带...