本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：时钟频率改变模块，所述时钟频率改变模块被配置成响应于将多个内部时钟的输出使能的设定命令和模式寄存器组信号，将外部时钟的频率分频，来输出具有不同频率的所述多个内部时钟，并且产生标志信号以指示...

本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。可变电阻存储器件包括：从衬底垂直地伸出的垂直电极；沿着垂直电极层叠的第一水平电极；沿着垂直电极层叠的第二水平电极；插入在垂直电极与第一和第二水平电极之间的可变电阻层，其中所述第一和第二水平电...

一种半导体器件，包括：包括由多个沟槽隔开的多个有源区的衬底；形成于所述有源区上方的多个隧道绝缘层图案；形成于所述隧道绝缘膜图案上方的多个导电膜图案；形成于所述沟槽的侧壁和底面上的多个第一隔离层；以及形成于所述导电膜图案之间的多个第二隔离层。

本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有多个隔离区；多个沟槽，其中，所述多个沟槽的每个形成在多个隔离区中的相应的隔离区中，并且所述多个沟槽沿着第一方向平行布置；多个栅极线，所述多个栅极线沿着与多个沟...

本发明提供一种半导体器件和包括半导体器件的半导体系统，所述半导体器件包括电耦接的两个或更多个存储芯片。存储芯片中的每个包括全局线、MUX单元、选择单元和输出单元。全局线传送储存在存储器单元中的数据。MUX单元接收加载在全局线上的数据以输...

本发明公开了一种半导体集成电路及其驱动方法。半导体集成电路包括：正常熔丝单元阵列，其被编程具有正常熔丝数据；虚设熔丝单元阵列，其被编程具有验证熔丝数据；以及传感器，其被配置成从虚设熔丝单元阵列读取验证熔丝数据且从正常熔丝单元阵列读取正常...

本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：熔丝单元，所述熔丝单元与检测节点连接，且被配置成响应于经由检测节点供应的第一电压而被编程；输出单元，所述输出单元与检测节点连接，且被配置成输出指示熔丝单元是否被编程的熔丝信息信号；以及阻挡...

一种锁存电路可包括：多个锁存器，其被配置成响应于供应至上拉供电节点及下拉供电节点的电力而操作；延迟单元，其被配置成通过延迟第一重设信号及第二重设信号来产生第一延迟的重设信号及第二延迟的重设信号；供电单元，其被配置成响应于激活的第一重设信...

一种半导体基板、具有其的半导体芯片和堆叠半导体封装体。该半导体基板包括：基板本体，分成器件区域和在器件区域之外的外围区域，并且基板本体具有一个表面、实质上背对一个表面的另一个表面、限定在器件区域中一个表面下方的沟槽以及由于限定沟槽而形成...

本发明公开了一种可变电阻存储器件，所述可变电阻存储器件包括：第一电极对和插入在第一电极对之间的第二电极；第一可变电阻材料层，所述第一可变电阻材料层插入在第一电极中的一个第一电极与第二电极之间；以及第二可变电阻材料层，所述第二可变电阻材料...

本发明提供一种测试电路和包括测试电路的半导体装置，所述测试电路包括：穿通通孔测试单元，被配置成响应于第一测试控制信号而被设定成第一电阻值以及响应于第一测试控制信号和第二测试控制信号而被设定成第二电阻值，并且形成包括将第一芯片和第二芯片电...

本发明公开了一种反熔丝电路，所述反熔丝电路包括：反熔丝单元，所述反熔丝单元包括能够响应于断裂信号而被编程的反熔丝，并被配置成产生与反熔丝的状态相对应的熔丝信号；虚设熔丝单元，所述虚设熔丝单元包括虚设熔丝，并被配置成产生与虚设熔丝的状态相...

本发明公开了一种半导体器件。半导体器件包括：第一驱动电压发生单元，其被配置成产生第一驱动电压；熔丝单元，其被耦接在接收第一驱动电压的输出节点与熔丝状态感测节点之间；驱动单元，其被配置成响应于控制信号用第二驱动电压来驱动熔丝状态感测节点；...

本发明公开了一种可在高频操作中进行稳定的数据传输的半导体存储电路、以及使用该半导体存储电路的数据处理系统。数据处理系统包括半导体存储电路和控制器，半导体存储电路被配置成响应于外部选通信号而输出与读取命令相对应的数据，控制器被配置成对半导...

本发明公开了一种相变随机存取存储器器件及其制造方法。所述相变随机存取存储器器件包括加热电极，所述加热电极具有以台阶状突出的上表面；相变材料层，所述相变材料层形成在加热电极上的相变空间中，所述相变材料层具有多个部分，所述多个部分具有与台阶...

本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，所述可变电阻存储器件包括：有源区，所述有源区在半导体衬底中由隔离层限定；半导体衬底中的沟槽，所述沟槽沿与有源区相交叉的方向延伸；结区，所述结区形成在位于沟槽两侧的有源区中；以及可变电阻图案，...

本发明公开了一种半导体基板以及具有其的半导体芯片和堆叠半导体封装体。该半导体芯片包括：半导体基板，该半导体基板包括基板本体和有源层，基板本体分成装置区域和基本上在装置区域之外的周边区域，基板本体的一个表面基本上背对另一个表面，基板本体具...

本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：半导体衬底；有源区，所述有源区包括多个单位有源区，且被设置在半导体衬底之上以及与半导体衬底间隔开；字线对，所述字线对被形成在单位有源区的上表面和侧面上；虚设字线，所述虚设字...

本发明是半导体器件及其制造方法。半导体器件，包括：衬底；以及栅线，形成在所述衬底之上，其包括第一导电层和位于所述第一导电层中的一个或多个第二导电图案层。第二导电图案层包括金属层以由此减少栅线的电阻。

一种无结垂直栅晶体管，包括：有源柱体，所述有源柱体从衬底垂直地突出，并包括第一杂质区、在所述第一杂质区之上顺序地形成的第二杂质区和第三杂质区；栅电极，所述栅电极耦合到所述第二杂质区的侧壁；以及位线，所述位线沿着与所述栅电极相交的方向排列...