高集成半导体存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：半导体衬底；有源区，所述有源区包括多个单位有源区，且被设置在半导体衬底之上以及与半导体衬底间隔开；字线对，所述字线对被形成在单位有源区的上表面和侧面上；虚设字线，所述虚设字线被设置在单位有源区的接触处，并被形成在单位有源区的上表面和侧面上；源极区域，所述源极区域被形成在字线对之间的单位有源区中，并与半导体衬底电连接；漏极区域，所述漏极区域被形成在字线对与虚设字线之间的单位有源区中；以及第一储存层，所述第一储存被形成在漏极区域上并与漏极区域电连接。

【技术实现步骤摘要】
高集成半导体存储器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2012年3月14日向韩国专利局提交的申请号为10-2012-0026091的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体而言，涉及一种相变随机存取存储（PCRAM）器件及其制造方法。
技术介绍
PCRAM器件是非易失性存储器件中的一种，包括电阻根据温度而改变的相变材料。相变材料通常包括含有锗（Ge）、锑（Sb）以及碲（Te）的硫族化物材料。相变材料根据温度改变成非晶状态或结晶状态，以定义RESET（或逻辑“1”）或SET（或逻辑“0”）。如同动态随机存取存储（DRAM）器件，PCRAM器件可以包括由字线和位线限定的多个存储器单元，并且多个存储器单元每个都可以包括由相变材料形成的可变电阻器以及被配置成选择性地驱动可变电阻器的开关元件。在PCRAM中，可以将字线以结区类型设置在半导体衬底中，且可以将位线设置为导线类型。二极管或MOS晶体管可以用作开关元件。正在研究PCRAM以在减小其芯片尺寸的同时增加其集成度。然而，由于分辨率的限制，在最小化特征尺寸方面存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；有源区，所述有源区包括多个单位有源区，并被设置在所述半导体衬底之上以及与所述半导体衬底间隔开；字线对，所述字线对被形成在所述单位有源区的顶表面和侧面上；虚设字线，所述虚设字线被设置在所述单位有源区的接触处，并形成在所述单位有源区的顶表面和侧面上；源极区域，所述源极区域被形成在所述字线对之间的单位有源区中，并与所述半导体衬底电连接；漏极区域，所述漏极区域被形成在所述字线对与所述虚设字线之间的单位有源区中；以及第一储存层，所述第一储存层被形成在所述漏极区域上并与所述漏极区域电连接。

【技术特征摘要】
2012.03.14 KR 10-2012-00260911.一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；有源区，所述有源区包括多个单位有源区，并被设置在所述半导体衬底之上以及与所述半导体衬底间隔开；字线对，所述字线对被形成在所述单位有源区的顶表面和侧面上；虚设字线，所述虚设字线被设置在所述单位有源区的接触处，并形成在所述单位有源区的顶表面和侧面上；源极区域，所述源极区域被形成在所述字线对之间的单位有源区中，并与所述半导体衬底电连接；漏极区域，所述漏极区域被形成在所述字线对与所述虚设字线之间的单位有源区中；第一储存层，所述第一储存层被形成在所述漏极区域上并与所述漏极区域电连接；以及被插入在所述半导体衬底与所述有源区之间的绝缘层，其中，所述源极区域被形成为穿透所述绝缘层。2.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：作为所述字线对和所述虚设字线的多个字线；以及作为所述有源区的多个有源区，其中，所述多个字线在所述多个有源区的顶表面和侧面的周围与所述多个有源区交叉。3.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：栅绝缘层，所述栅绝缘层被插入在所述有源区的表面和所述字线对之间，并插入在所述有源区的表面与所述虚设字线之间。4.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：下电极，所述下电极被分别形成在所述源极区域和所述漏极区域上，并分别与所述源极区域和所述漏极区域电连接。5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第一储存层与所述下电极电连接。6.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，还包括：在被设置在所述源极区域上的下电极上的间隔件绝缘层；以及第二储存层，所述第二储存层被形成所述间隔件绝缘层上，其中，在所述源极区域之上的所述第二储存层与所述源极区域电绝缘。7.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述源极区域之上的所述第一储存层和在所述漏极区域之上的所述第二储存层被分别设置在所述字线对之间的空间和所述字线对与所述虚...

【专利技术属性】
技术研发人员：李章旭，金圣哲，崔康植，金锡基，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：