非易失性存储器元件及其阵列制造技术

一种非易失性存储器元件，包括一第一电极、一电阻结构、一选择器结构以及一第二电极。电阻结构包括一第一氧化层以及一第一金属层。选择器结构配置于电阻结构上。选择器结构包括一第二氧化层、一第三氧化层以及一第四氧化层。第二氧化层配置于第一金属层上。第三氧化层配置于第二氧化层。第四氧化层配置于第三氧化层上。选择器结构包括一双极性选择器，具有一第一端及一第二端。双极性选择器中的一隧道电子流根据其两端的偏压由第一端流至第二端，或者由第二端流至第一端。另外，一种包括上述存储器元件的非易失性存储器阵列亦被提出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电子元件及其阵列，且特别是有关于一种非易失性存储器元件及其阵列。
技术介绍
近来，电阻式随机存取存储器(ResistiveRandom Access Memory, RRAM)已广泛地应用在非易失性存储器的
，此乃因其简易的交错式(crossbar)阵列架构以及低温工艺等优势。此交错式(crossbar)阵列的架构基于电阻切换元件(resistive-switching elements)的概念来设计,其理论上可获得最小的晶胞尺寸(cellsize) 4F2,其中F代表特征尺寸(feature size)。因此,交错式的非易失性存储器阵列可具有相当高的积体密度(integration density)。图1即为此晶胞尺寸的概念示意图。请参考图1，在图1中，非易失性存储器阵列由多条位线BL与字线WL所组成，两者的交错处(cross-point)即存储器单元所在之处。各存储器单元的晶胞尺寸(即其所占的面积)约为4F2。因此，如果要达到每平方公分IT位组(I terabyte/cm2)的积体密度,则必须满足F = 5纳米的条件。在现有技术中，若各存储器单元包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器元件，包括：一第一电极；一电阻结构，配置于该第一电极上，包括：一第一氧化层，配置于该第一电极上；以及一第一金属层，配置于该第一氧化层上；一选择器结构，配置于该电阻结构上，包括：一第二氧化层，配置于该第一金属层上；一第三氧化层，配置于该第二氧化层上；以及一第四氧化层，配置于该第三氧化层上；以及一第二电极，配置于该选择器结构上，其中该选择器结构包括一双极性选择器，具有一第一端及一第二端，该双极性选择器中的一隧道电子流根据其两端的偏压由该第一端流至该第二端，或者由该第二端流至该第一端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯拓宏，黄俊嘉，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：