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非易失性存储器元件及其阵列制造技术
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文档序号:9034999
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一种非易失性存储器元件,包括一第一电极、一电阻结构、一选择器结构以及一第二电极。电阻结构包括一第一氧化层以及一第一金属层。选择器结构配置于电阻结构上。选择器结构包括一第二氧化层、一第三氧化层以及一第四氧化层。第二氧化层配置于第一金属层上。第...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。
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