非易失性半导体存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种非易失性半导体存储器件及其制造方法。本发明专利技术能够实现一种即使使用具有相对高电阻率的导电材料用于电极也高度可靠的电阻变化元件。一种非易失性半导体存储器件具有第一布线、第二布线和在一端处电耦合到第一布线且在另一端处电耦合到第二布线的存储单元。该存储单元具有：通过改变电阻值来存储信息的电阻变化层，和耦合在电阻变化层的两端且不包含贵金属的第一电极和第二电极。第一电极包括外部电极和形成在外部电极和电阻变化层之间的界面电极。界面电极的厚度比外部电极的厚度薄。界面电极的电阻率比外部电极的电阻率高。在低电阻状态，第一电极的电阻值比电阻变化层的电阻值低。

【技术实现步骤摘要】
非易失性半导体存储器件及其制造方法相关申请的交叉引用2011年9月9日提交的日本专利申请No.2011-197398的公开，包括说明书、附图和摘要，以其整体作为合并在这里。
本专利技术涉及一种非易失性半导体存储器件及其制造方法，具体地涉及一种电阻随机存取非易失性半导体存储器件及其制造方法。
技术介绍
在非易失性存储器领域中，已经积极研究了闪速存储器、FeRAM(FerroelectricRandomAccessMemory：铁电随机存取存储器)、MRAM(MagneticRandomAccessMemory：磁性随机存取存储器)、OUM(OvonicUnifiedMemory：奥弗辛斯基电效应统一存储器)、PRAM(PhasechangeRandomAccessMemory：相变随机存取存储器；专利文献1)等。近年来，已经提出了一种与该非易失性存储器不同的电阻随机存取非易失性存储器(ReRAM：resistancerandomaccessnonvolatilememory)(非专利文献1)。在这种电阻随机存取非易失性存储器中，通过施加电压脉冲并改变存储单元的电阻变化部分的电阻值来写入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性半导体存储器件，包括：第一布线；第二布线；和存储单元，所述存储单元在一端电耦合到所述第一布线，在另一端电耦合到所述第二布线，其中所述存储单元包括：电阻变化层，所述电阻变化层通过改变电阻值来存储信息；和第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极耦合到所述电阻变化层的两端并且不包含贵金属，其中所述第一电极包括：第一外部电极；和第一界面电极，所述第一界面电极形成在所述第一外部电极和所述电阻变化层之间，其中所述第一界面电极的厚度比所述第一外部电极的厚度薄，其中所述第一界面电极的电阻率比所述第一外部电极的电阻率高，并且其中在低电阻状态中，所述第一电极的电阻值比所述电阻变化层的电阻值低。

【技术特征摘要】
2011.09.09 JP 2011-1973981.一种非易失性半导体存储器件，包括：第一布线；第二布线；和存储单元，所述存储单元在一端电耦合到所述第一布线，在另一端电耦合到所述第二布线，其中所述存储单元包括：电阻变化层，所述电阻变化层通过改变电阻值来存储信息；和第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极耦合到所述电阻变化层的两端并且不包含贵金属，其中所述第一电极包括：第一外部电极；和第一界面电极，所述第一界面电极形成在所述第一外部电极和所述电阻变化层之间，其中所述第一界面电极的厚度比所述第一外部电极的厚度薄，其中所述第一界面电极的电阻率比所述第一外部电极的电阻率高，并且其中在低电阻状态中，所述第一电极的电阻值比所述电阻变化层的电阻值低，其中所述非易失性半导体存储器件是导电细丝型电阻随机存储器件，其中所述第一界面电极的材料与在所述电阻变化层中包括的元素相比是难氧化的。2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其中所述第一界面电极包括过渡金属氮化物。3.根据权利要求2所述的非易失性半导体存储器件，其中所述第一界面电极包括氮化钛或氮化钽。4.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：迫坪行广，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：