可变电阻存储器件及其制造和驱动方法技术

本发明专利技术公开了一种可变电阻存储器件及其制造和驱动方法，所述可变电阻存储器件包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元沿着第一方向以及与第一方向不同的第二方向布置，多个存储器单元的每个包括可变电阻器以及与可变电阻器串联连接的选择器件；公共布线，所述公共布线与多个存储器单元的一端电连接，并且施加公共参考电压；多个布线，所述多个布线分别与多个存储器单元中的沿着第一方向布置的多个存储器单元的另一端电连接；以及多个选择线，所述多个选择线分别与多个存储器单元的选择器件连接，并且连同多个布线一起来选择多个存储器单元中的任何一个。

【技术实现步骤摘要】
可变电阻存储器件及其制造和驱动方法相关申请的交叉引用本申请要求2012年2月13日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0014542的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及一种存储器件，更具体而言，涉及一种可变电阻存储器件及其制造和驱动方法。
技术介绍
随着对诸如数码照相机、MP3播放器、个人数字助理（PDA）以及移动电话等的便携式数字应用设备的需求增加，非易失性存储器市场也快速地增长。具有较低的每比特制造成本的高密度快闪存储器件广泛被用作可编程非易失性存储器。然而，由于快闪存储器需要较高容量的晶体管来执行用于编程的热载流子注入，并且需要厚度足以承受高内部电压的隧道氧化物膜来确保可靠的数据保持，所以在缩小快闪存储器方面存在基本的限制。由于近来快闪存储器已经达到其缩小极限，所以使用可变电阻材料的非易失性存储器件作为替代的非易失性存储器已经引起了注意。由于可变电阻材料具有可通过施加到其的电脉冲来相反地改变的双稳电阻状态，因而可以利用可变电阻材料的物理特性作为数据，可以提供高速存储器件并且可以容易地缩小比例。
技术实现思路
本专利技术提供了一种具有高容量、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可变电阻存储器件，包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元沿着第一方向以及与所述第一方向不同的第二方向布置，所述多个存储器单元中的每个包括可变电阻器以及与所述可变电阻器串联连接的选择器件；公共布线，所述公共布线与所述多个存储器单元的一端电连接，并且施加公共参考电压；多个布线，所述多个布线分别与所述多个存储器单元之中的沿着所述第一方向布置的多个存储器单元的另一端电连接；以及多个选择线，所述多个选择线分别与所述多个存储器单元的选择器件连接，并且连同所述多个布线一起来选择所述多个存储器单元中的任何一个。

【技术特征摘要】
2012.02.13 KR 10-2012-00145421.一种可变电阻存储器件，包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元沿着第一方向以及与所述第一方向不同的第二方向布置，所述多个存储器单元中的每个包括可变电阻器以及与所述可变电阻器串联连接的选择器件；第一布线，所述第一布线与所述多个存储器单元之中的沿着所述第一方向相邻的存储器单元的一端电连接；第二布线，所述第二布线与所述多个存储器单元之中的沿着所述第二方向相邻的存储器单元的另一端电连接；以及公共选择线，所述公共选择线与所述多个存储器单元的选择器件耦接，并且施加等电位的电压。2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述选择器件包括：半导体区，所述半导体区具有不同的导电类型，并且被设置成彼此相邻以在所述半导体区之间提供结；以及至少一个绝缘栅结构，所述至少一个绝缘栅结构与所述半导体区之中的任何一个半导体区耦接，其中，所述绝缘栅结构包括与所述公共选择线耦接的栅电极。3.如权利要求2所述的可变电阻存储器件，其中，所述绝缘栅结构操作为：通过将电场施加到与所述绝缘栅结构耦接的相对应的半导体区来增加流经选中的存储器单元的半导体区的电流的幅度。4.如权利要求2所述的可变电阻存储器件，其中，所述栅电极延伸超过或包围相对应的半导体区的至少一部分。5.如权利要求2所述的可变电阻存储器件，其中，所述可变电阻器和所述选择器件的半导体区具有垂直地形成在衬底上的柱体结构，其中，所述第一布线和所述第二布线被设置成与所述衬底的主表面平行，所述柱体结构在所述第一布线和所述第二布线之间，其中，所述栅电极在所述第一布线与所述第二布线之间延伸。6.如权利要求5所述的可变电阻存储器件，其中，所述绝缘栅结构的栅绝缘膜包围所述柱体结构的侧壁。7.如权利要求5所述的可变电阻存储器件，其中，所述半导体区包括PN二极管结构、PIN二极管结构、金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET沟道结构、或者它们的组合。8.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述可变电阻器包括相变材料、可开关控制的单极或双极导电桥接材料、可开关控制的聚合物、可编程的金属化单元PMC材料、反熔丝材料、熔丝材料、磁阻效应材料、或者它们的组合。9.一种制造可变电阻存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成第一布线层；在所述第一布线层上形成牺牲层，所述牺牲层具有暴露出所述第一布线层的一部分的表面的第一开口；在所述第一开口中形成柱体结构，所述柱体结构包括可变电阻器和提供结的半导体区；去除所述牺牲层以形成第二开口，通过所述第二开口暴露出包括所述半导体区的侧壁表面的所述柱体结构的侧壁；在所述半导体区的暴露出的表面上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成栅电极，其中，所述栅电极与所述半导体区中的任何一个区耦接，并且被设置在所述第二开口中；形成绝缘层以填充所述第二开口；以及在所述绝缘层上形成第二布线层，使得所述第二布线层接触所述柱体结构的顶表面。10.如权利要求9所述的方法，其中，所述第一布线层和所述第二布线层中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴南均，都甲锡，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：