一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，首先制备氧化镍薄膜；随后在氧化镍薄膜上制备碳膜，得碳/氧化镍复合薄膜，使用溅射仪对碳/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。本发明专利技术将碳膜与氧化镍薄膜进行复合，相比较于其他具有阻变特性的材料，碳/氧化镍复合薄膜的表面光滑，制备成本低、工艺简单、容易控制，提高了制备复合薄膜的制备效率，并且其阻变性能明显优于单一的氧化镍薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子材料阻变存储器薄膜材料
，具体涉及一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法。
技术介绍
随着人们生活需求的提高，无论是笔记本电脑，移动硬盘还是智能手机和数码相机等均需要性能优异的存储器保证人们对数据，对信息存储的需求。同时，数据的复杂和庞大致使人们对数据的存储能力、擦写能力和读取速度的要求越来越高，低成本、低功耗和高存储密度的存储器将成为未来发展的首要趋势。非挥发性存储器主要以“闪存”存储器(FLASH)为主。FLASH存储器由于具有非挥发性，每次重启设备都可以节约大量的时间成本，因而得到广泛的应用。但是其擦写速度比较慢(ms级以上)，而且擦除电压也比较高。这些缺点使得FLASH难以满足人们对信息存储的需求。特别是现今器件高度集成时，隧穿氧化层厚度越来越薄，电荷隧穿效应使得FLASH存储器的稳定性变差。与此同时，电阻式存储器不断地向着低功耗、高密度、低成本和较快的读写速度发展，新一代的电阻式存储器都具有各自的特点。因此，如何在提高其擦写速度的同时降低擦除电压是一个关键问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，解决了现有存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备氧化镍薄膜；步骤2，在步骤1所得氧化镍薄膜上制备碳膜，得碳/氧化镍复合薄膜；步骤3，使用溅射仪对步骤2所得碳/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。

【技术特征摘要】
1.一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备氧化镍薄膜；步骤2，在步骤1所得氧化镍薄膜上制备碳膜，得碳/氧化镍复合薄膜；步骤3，使用溅射仪对步骤2所得碳/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。2.根据权利要求1所述的一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，氧化镍薄膜的制备过程为：步骤1.1：配制氧化镍溶胶；步骤1.2：在室温下，采用浸渍-提拉法将步骤1.1所得氧化镍溶胶在Pt铂金电极基板上提拉，得氧化镍凝胶薄膜；步骤1.3：将步骤1.2制得的氧化镍凝胶薄膜在室温下干燥后，在60～80℃下烘烤10～15min，随后在300～700℃温度下热处理20～30min，冷却后，即得在Pt铂金电极基板上的氧化镍薄膜。3.根据权利要求2所述的一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1.1中，氧化镍溶胶的配制过程为：将醋酸镍、乙酰丙酮、丙烯酸及乙二醇甲醚按1:1:1:12的用量混合。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李颖，赵高扬，杨志孟，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61