一种三维电致变色氧化镍薄膜的制备方法技术

一种三维电致变色氧化镍薄膜的制备方法，涉及一种氧化镍薄膜的制备方法。本发明专利技术的目的是要解决现有的氧化镍着色效率低、调制范围窄和响应时间长的技术问题。本发明专利技术：一、清洗玻璃基片；二、制备模板；三、电化学沉积薄膜；四、退火。本发明专利技术的有益效果：1、本发明专利技术所得到的氧化镍三维有序结构的孔隙大小可通过调节组成模板的聚苯乙烯微球的粒径进行调节，调节方式便捷且易于实施；2、本发明专利技术所得到的氧化镍三维有序结构比表面积大，并提供有序的离子扩散通道，提高氧化还原反应效率并缩短离子的嵌入脱出时间；3、本发明专利技术方法不需要大型仪器与贵重药品的支持，成本低廉，并且该制备方法简便，易于操作，便于实施。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氧化镍薄膜的制备方法。
技术介绍
材料的光学性能，如透过率、吸收率、反射率等在外电场的作用下可以发生稳定可逆变化的现象被称为电致变色现象，具备电致变色性能的材料被称为电致变色材料。电致变色材料在许多领域都有着十分重要的应用，如利用电致变色材料制备的防眩目后视镜，可以自动调节反射光的强度从而达到防治强光炫目的效果；将其应用在显示器领域所制备的电致变色显示器不需要背光灯，只要屏幕显示的内容不变就无需耗电，这会节约大量的电能；利用其制备的电致变色智能窗，可以通过需要自动调节对外部环境的热响应，使得室内保持冬暖夏凉的同时减少能量消耗。无机电致变色材料大多数为过渡族金属氧化物，按照其变色特性可以将其分为阳极变色材料和阴极变色材料。阳极变色材料在还原态时为褪色态，氧化态时呈着色态，阴极变色材料反之。氧化镍是阳极变色材料的典型代表，但是氧化镍着色效率低、调制范围窄和响应时间长等固有缺陷限制了它的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是要解决现有的氧化镍着色效率低、调制范围窄和响应时间长的技术问题，而提供。本专利技术的是按以下步骤进行的:一、清洗玻璃基片:将玻璃基片依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声清洗5min?lOmin，然后用去离子水清洗玻璃基片，最后用氮气吹干，得到干净的玻璃基片；所述的玻璃基片为ITO玻璃基片或FTO玻璃基片；二、制备模板:将步骤一得到的干净的玻璃基片置于质量浓度为0.2%?0.8%的聚苯乙烯微球水溶液中，放入恒温培养箱中，在温度为40°C?80°C的条件下培育3天?6天，得到聚苯乙烯微模板；三、电化学沉积薄膜:用步骤二得到的聚苯乙烯微模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，在CHI660C电化学工作站的电解液中进行恒电位沉积500s?1500s，得到带有聚苯乙烯微模板的NiS薄膜；所述电解液是将氯化镍与硫代硫酸钠一起溶于去离子水中，均匀混合得到的，并且电解液中氯化镍的浓度为0.lmol/L?Imol/L，硫代硫酸钠的浓度为0.lmol/L?lmol/L ;所述的恒电位沉积的电压为0.5V?1.0V ;四、退火:将步骤三得到的带有聚苯乙烯微模板的NiS薄膜放入甲苯中浸泡24h?48h，然后在温度为300°C?500°C的条件下退火Ih?3h，得到三维电致变色氧化镍薄膜。本专利技术使用模板法制备了氧化镍三维有序结构，该结构的氧化镍与传统的致密的氧化镍薄膜相比有以下优点: 一、本专利技术制备的氧化镍三维有序结构具有更大的比表面积，可使电致变色过程中的氧化还原反应进行的更为充分，可使氧化镍的着色效率与变色范围得到提高；二、本专利技术制备的氧化镍三维有序结构可为电解质离子增加有序的离子扩散通道，缩短离子的扩散路径，这有利于离子在电场下的快速嵌入和脱出，可以大大缩短变色过程的响应时间；并且该种方法不需要依托大型仪器设备，加工成本低廉，加工工艺便捷，对提高电致变色氧化镍薄膜的进一步应用有很大的促进作用。本专利技术涉及的反应机理如下:Na2S2O3^ 2Na ++S2O32' 由于 S2O32-是还原剂，2S 20广一S 4062>2e^ 在酸性介质中，S2O32-会发生分解，S 2032_+2H+— H2S03+S，硫单质与反应产生的电子发生反应，S+2e_— S2-;氧化镍按照以下方程生成，Ni2++S2_—NiSNiS在空气中退火即可得到N12NiS+302 — 2Ni0+2S02本专利技术的有益效果:1、本专利技术所得到的氧化镍三维有序结构的孔隙大小可通过调节组成模板的聚苯乙烯微球的粒径进行调节，调节方式便捷且易于实施；2、本专利技术所得到的氧化镍三维有序结构的电致变色性能与传统的电沉积得到的致密薄膜相比，比表面积增大，并提供有序的离子扩散通道，这可以提高氧化还原反应效率并缩短离子的嵌入脱出时间，这对于电致变色性能的提高是有利的；3、本专利技术所涉及的制备方法不需要大型仪器与贵重药品的支持，成本低廉，并且该制备方法简便，易于操作，便于实施。【附图说明】图1为试验一中步骤三的电化学沉积薄膜的示意图；图2为试验一中步骤四得到的带有聚苯乙烯微模板的NiS薄膜的示意图；图3为试验一中制备的三维电致变色氧化镍薄膜的示意图；图4是试验一中步骤二得到的聚苯乙烯微模板的SEM图；图5为试验一中制备的三维电致变色氧化镍薄膜的SEM图。【具体实施方式】【具体实施方式】一:本实施方式为，具体是按以下步骤进行的:一、清洗玻璃基片:将玻璃基片依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声清洗5min?lOmin，然后用去离子水清洗玻璃基片，最后用氮气吹干，得到干净的玻璃基片；所述的玻璃基片为ITO玻璃基片或FTO玻璃基片；二、制备模板:将步骤一得到的干净的玻璃基片置于质量浓度为0.2%?0.8%的聚苯乙烯微球水溶液中，放入恒温培养箱中，在温度为40°C?80°C的条件下培育3天?6天，得到聚苯乙烯微模板；三、电化学沉积薄膜:用步骤二得到的聚苯乙烯微模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，在CHI660C电化学工作站的电解液中进行恒电位沉积500s?1500s，得到带有聚苯乙烯微模板的NiS薄膜；所述电解液是将氯化镍与硫代硫酸钠一起溶于去离子水中，均匀混合得到的，并且电解液中氯化镍的浓度为0.lmol/L?Imol/L，硫代硫酸钠的浓度为0.lmol/L?lmol/L ;所述的恒电位沉积的电压为0.5V?1.0V ;四、退火:将步骤三得到的带有聚苯乙烯微模板的NiS薄膜放入甲苯中浸泡24h?48h，然后在温度为300°C?500°C的条件下退火Ih?3h，得到三维电致变色氧化镍薄膜。【具体实施方式】二:本实施方式与【具体实施方式】一的不同点是:步骤二中将步骤一得到的干净的玻璃基片置于质量浓度为0.4%?0.6%的聚苯乙烯微球水溶液中，放入恒温培养箱中，在温度为40°C的条件下培育5当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维电致变色氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于三维电致变色氧化镍薄膜的制备方法是按以下步骤进行的：一、清洗玻璃基片：将玻璃基片依次用三氯乙烯、丙酮和乙醇各超声清洗5min～10min，然后用去离子水清洗玻璃基片，最后用氮气吹干，得到干净的玻璃基片；所述的玻璃基片为ITO玻璃基片或FTO玻璃基片；二、制备模板：将步骤一得到的干净的玻璃基片置于质量浓度为0.2％～0.8％的聚苯乙烯微球水溶液中，放入恒温培养箱中，在温度为40℃～80℃的条件下培育3天～6天，得到聚苯乙烯微模板；三、电化学沉积薄膜：用步骤二得到的聚苯乙烯微模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，在CHI660C电化学工作站的电解液中进行恒电位沉积500s～1500s，得到带有聚苯乙烯微模板的NiS薄膜；所述电解液是将氯化镍与硫代硫酸钠一起溶于去离子水中，均匀混合得到的，并且电解液中氯化镍的浓度为0.1mol/L～1mol/L，硫代硫酸钠的浓度为0.1mol/L～1mol/L；所述的恒电位沉积的电压为0.5V～1.0V；四、退火：将步骤三得到的带有聚苯乙烯微模板的NiS薄膜放入甲苯中浸泡24h～48h，然后在温度为300℃～500℃的条件下退火1h～3h，得到三维电致变色氧化镍薄膜。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李垚，侯帅，赵九蓬，曲慧颖，张翔，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23