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本发明公开了一种碳/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，首先制备氧化镍薄膜；随后在氧化镍薄膜上制备碳膜，得碳/氧化镍复合薄膜，使用溅射仪对碳/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。本发明将碳膜与氧化镍薄膜进行复合，相比较于其他具有阻变特性的材料，...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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