电阻式存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电阻式存储装置，包括多数个存储单元对，各存储单元对包括主动区、第一字线及第二字线、源极线、第一电阻及第二电阻。主动区形成于基底上，第一字线及第二字线形成于该基底上，并与主动区交错。源极线形成于基底上并耦接至主动区。第一电阻及第二电阻配置于基底上，并分别耦接至主动区。第一位线及一第二位线形成于第一电阻及第二电阻之上，并耦接至第一电阻及第二电阻。其中，第一位线及第二位线大致与第一字线及第二字线平行的沿第一方向延伸。本发明专利技术的电阻式存储装置，可降低其操作过程中所可能产生的存储单元间的干扰现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电阻式存储装置，尤其涉及一种电阻式存储装置的存储单元的配置结构。
技术介绍
请参照图1，图1示出现有的电阻式存储装置的电路图。电阻式存储装置100由多个存储单元对111～114所构成。其中，以存储单元对111为范例，存储单元对111中具有两个存储单元1111以及1112，而存储单元1111由晶体管T1以及电阻R1所构成，存储单元1112由晶体管T2以及电阻R2所构成。图1中的现有的存储单元对111～114，在各存储单元对中的存储单元，是共用源极线以及位线的。以存储单元对111为例，存储单元对111中的存储单元1111及1112共用相同的位线BL1以及相同的源极线SL1。在如图1的配置下，相同行的存储单元对111、113共用相同的源极线SL1，相同行的存储单元对112、114共用相同的源极线SL2，而相同列的存储单元对111、112共用相同的位线BL1，相同列的存储单元对113、114则共用相同的位线BL2。当对电阻式存储装置100进行形成(forming)动作时，若存储单元1111为被选中存储单元时，存储单元1111对应的字线WL1被设定为3V，其余的字线WL2～本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式存储装置，其特征在于，包括：多数个存储单元对，依阵列方式配置于基底上，各所述存储单元对包括：主动区，形成于所述基底上；第一字线及第二字线，形成于所述基底上，并与所述主动区交错；源极线，形成于所述基底上，并耦接至所述主动区；第一电阻及第二电阻，配置于所述基底上，并分别耦接至所述主动区；以及第一位线及第二位线，形成于所述第一电阻及所述第二电阻之上，并耦接至所述第一电阻及所述第二电阻，其中，所述第一位线及所述第二位线大致与所述第一字线及所述第二字线平行的沿第一方向延伸。

【技术特征摘要】
1.一种电阻式存储装置，其特征在于，包括：多数个存储单元对，依阵列方式配置于基底上，各所述存储单元对包括：主动区，形成于所述基底上；第一字线及第二字线，形成于所述基底上，并与所述主动区交错；源极线，形成于所述基底上，并耦接至所述主动区；第一电阻及第二电阻，配置于所述基底上，并分别耦接至所述主动区；以及第一位线及第二位线，形成于所述第一电阻及所述第二电阻之上，并耦接至所述第一电阻及所述第二电阻，其中，所述第一位线及所述第二位线大致与所述第一字线及所述第二字线平行的沿第一方向延伸。2.根据权利要求1所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述主动区沿第二方向配置于所述基底上，所述第一方向实质上与所述第二方向相交错。3.根据权利要求2所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述源极线沿第三方向配置，并覆盖所述主动区至少一部分。4.根据权利要求3所述的电阻式存储装置，其特征在于，还包括第一连接结构，其中所述第一连接结构配置于所述源极线与所述主动区重叠的区域中，并且所述源极线通过所述第一连接结构耦接至所述主动区。5.根据权利要求4所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述源极线形成于所述主动区上方，且所述第三方向大致与所述第二方向相同，还包括：第二连接结构，配置于所述主动区上方，并耦接至所述第一电阻。6.根据权利要求5所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述第二连接结构具有第二中心，还包括：第一金属层，配置于所述第二连接结构上方，并具有第一金属层中心；第三连接结构，配置于所述第一金属层上方且耦接至所述源极线，并具有第三中心，其中，所述第二中心自所述第一金属层中心往第四方向偏移，且所述第三中心自所述第一金属层中心往第五...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈达，张文雄，吴健民，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71