【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种可变电阻存储器件，包括：垂直电极，所述垂直电极从衬底垂直地伸出；第一水平电极，所述第一水平电极沿着所述垂直电极层叠；第二水平电极，所述第二水平电极沿着所述垂直电极层叠；以及可变电阻层，所述可变电阻层插入在所述垂直电极与所述第一水平电极和所述第二水平电极之间，其中，所述第一水平电极和所述第二水平电极布置在彼此交叉的方向上。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李相昑，李宰渊，孙东熙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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