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本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。可变电阻存储器件包括：从衬底垂直地伸出的垂直电极；沿着垂直电极层叠的第一水平电极；沿着垂直电极层叠的第二水平电极；插入在垂直电极与第一和第二水平电极之间的可变电阻层，其中所述第一和第二水平电极布...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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