半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：平行延伸的多个导线，每个导线具有沿第一方向延伸的第一区域以及与第一区域耦接并沿与第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域；以及多个接触焊盘，每个接触焊盘与第二区域的相应导线耦接，其中，所述导线被分组并被布置在多个组中，第一组的第一区域比第二组的第一区域更长，并且第一组的第二区域与第二组的第二区域彼此间隔开。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请基于并要求2011年8月25日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2011-0085084的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法，更具体而言，涉及一种包括导电图案的半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。
技术介绍
根据近来半导体器件的精细度和高集成，为了在有限的区域内形成更多的图案，需要减小图案的线宽和空间宽度。图案通常是利用光刻工艺形成的，但是由于固有分辨率极限的缘故，光刻可能在减小图案的线宽和空间宽度上有限制。为了形成具有超过光刻工艺中固有分辨率极限的细小线宽的细小图案，已经提出了利用双重重叠的图案来形成细小图案的双图案化技术和利用间隔件来形成细小图案的间隔件图案化技术。与此同时，半导体器件包括多个金属导线以及与所述多个金属导线连接的多个接触焊盘。因此，用于在窄小的面积内有效地排列所述多个金属导线和所述多个接触焊盘的布局是期望得到的。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供了一种能够有效地布置多个导线和多个接触焊盘的半导体器件，以及一种制造所述半导体器件的方法。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：多个导线，所述多个导线平行延伸，并且每个导线包括沿第一方向延伸的第一区域以及与所述第一区域耦接并沿与所述第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域；以及多个接触焊盘，每个接触焊盘与所述导线中的相应一个的第二区域耦接，其中，所述多个导线被分组并被布置在多个组中，第一组的第一区域比第二组的第一区域更长，第一组的第二区域与第二组的第二区域彼此间隔开。

【技术特征摘要】
2011.08.25 KR 10-2011-00850841.一种半导体器件，包括：多个导线，所述多个导线平行延伸，并且每个导线包括沿第一方向延伸的第一区域以及与所述第一区域耦接并沿与所述第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域；以及多个接触焊盘，每个接触焊盘与所述导线中的相应一个的第二区域耦接，其中，所述多个导线被分组并被布置在多个组中，第一组的第一区域比第二组的第一区域更长，第一组的第二区域与第二组的第二区域彼此间隔开，其中，在一个组所包括的多个导线中，所述一个组中的中心导线沿所述第二方向具有实质最长的长度，随着导线位于更外侧，所述第二区域沿所述第二方向会具有比所述中心导线更短的长度，使得所述第二区域具有三角形的两侧对称形状。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，一个组所包括的多个导线基于位于所述组中心的导线而两侧对称地布置。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在一个组所包括的多个导线中，布置在中心导线左侧的导线与左侧的接触焊盘耦接，布置在中心导线右侧的导线与右侧的接触焊盘耦接。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个接触焊盘布置在所述第一组的第二区域与所述第二组的第二区域之间的空间中。5.一种半导体器件，包括：多个字线，所述多个字线彼此平行延伸，并且每个字线包括沿第一方向延伸的第一区域以及与所述第一区域耦接并沿与所述第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域；多个接触焊盘，每个接触焊盘与所述字线中的相应一个的第二区域耦接；以及分别位于所述多个字线的一侧和另一侧的漏极选择线和源极选择线，所述漏极选择线和源极选择线的宽度比所述多个字线的宽度更宽，其中，所述多个字线被分组并被布置在多个组中，第一组的第一区域比第二组的第一区域更长，第一组的第二区域与第二组的第二区域彼此间隔开。6.一种半导体器件，包括：第一存储块，所述第一存储块包括分别与第一导电层耦接的第一导线和第一接触焊盘；以及第二存储块，所述第二存储块包括分别与第二导电层耦接的第二导线和第二接触焊盘；其中，每个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：严大成，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：