半导体器件及集成电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及集成电路
本专利技术属于半导体制造领域，特别涉及一种半导体器件及集成电路。
技术介绍
随着集成电路集成度越来越高，集成电路中集成的半导体器件数量也越来越多，集成电路为了实现某种功能，需要将相关的半导体器件相互连接起来，通常，在半导体器件上形成有金属连线，再由外部互联线连接到金属连线将相关的半导体器件连接。如图1所示，在现有技术的半导体器件100包括：一衬底101、形成于衬底101内的有源区102、形成于有源区102上的栅极103、形成于所述栅极103两侧衬底101上的第一金属连线104和第二金属连线105。如图2所示，通常所述第一金属连线104和第二金属连线105设置于所述栅极103上方且位于同一平行于衬底101的层面中。这样，第一金属连线104和第二金属连线105分别作为两个电极板（上电极板和下电极板）会形成一个寄生电容。对该寄生电容来说，所述第一金属连线104和第二金属连线105在与栅极103的平行方向上的重叠面积都是有效的电极板面积。所述电极板面积越大，寄生电容也越大。随着集成电路集成度的提高，半导体器件尺寸越来越小，因此寄生电容和寄生电阻对半导...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：相互平行的两条金属连线，其特征在于，所述金属连线包括：具有至少一个间隙的第一金属层、金属插塞和形成所述间隙上的第二金属层，所述第二金属层通过所述金属插塞与所述第一金属层连接，所述两条金属连线的间隙位置至少部分相互错开。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：相互平行的两条金属连线，其特征在于，还包括：一衬底；形成于所述衬底内的有源区；以及形成于有源区上的栅极；其中，所述两条金属连线形成于所述栅极两侧的衬底上，并平行于所述栅极；所述金属连线包括：具有至少一个间隙的第一金属层、金属插塞和形成所述间隙上的第二金属层，所述第二金属层通过所述金属插塞与所述第一金属层连接，所述两条金属连线的间隙位置至少部分相互错开。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述两条金属连线的间隙位置完全相互错开。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述两条金属连线...
【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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