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本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：平行延伸的多个导线，每个导线具有沿第一方向延伸的第一区域以及与第一区域耦接并沿与第一方向相交叉的第二方向延伸的第二区域；以及多个接触焊盘，每个接触焊盘与第二区域的相应导线耦接，其中，所...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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